ОБРАТНОГО ВОССТАНОВЛЕНИЯ на Английском - Английский перевод

• reverse recovery

Примеры использования Обратного восстановления на Русском языке и их переводы на Английский язык

Перенапряжение возникает на тиристорах, имеющих меньший заряд обратного восстановления.
Overvoltage occurs in thyristors that have lower reverse recovery charge.

Для достижения малого разброса параметров обратного восстановления используется следующая технологическая схема.
To achieve low variation of reverse recovery parameters the following process flowsheet is used.

Существуют, однако, и дополнительные возможности снижения заряда обратного восстановления.
However there are some additional options to lower the value of reverse recovery charge.

Это позволяет уменьшить импульсный ток обратного восстановления, увеличить мягкость обратного восстановления.
This allows reducing reverse recovery surge current and increasing softness of reverse recovery.

Исключительно важной является возможность получения тиристоров с идентичными характеристиками обратного восстановления.
It's very crucial to have identical reverse recovery characteristics for thyristors.

Из рисунков видно, что разброс заряда обратного восстановления в массовых партиях тиристоров снижается до величины менее 5.
It is clear that variation of reverse recovery charge in massive lots of thyristors decreases down to value lower than 5.

Приборы имеют исключительно малые времена выключения, весьма малые значения заряда обратного восстановления, импульсного тока обратного восстановления.
The semiconductors have remarkably small turn-off time, small recovered charge and peak reverse recovery current.

Это позволяет в значительной мере уменьшить заряд обратного восстановления без влияния на падение напряжения во включенном состоянии.
This allows to lower reverse recovery charge without any influence on voltage rate of rise in on-state.

Заряд обратного восстановления: температура полупроводниковой структуры 125С, скорость спада тока 5А/ мкс, обратное напряжение UR( DC)~, 5-, 8URRM.
Reverse recovery charge: temperature of semiconductor element- 125C, rate of rise 5A/µs, reverse voltage VR(DC)~ 0,5-0,8VRRM.

Типичные зависимости тока обратного восстановления и напряжений испытуемого и эталонного тиристоров приведены на рис. 3.
Typical dependences of reverse recovery current and voltage of testee and standard sample thyristors are shown in Fig. 3.

При этом важно получить не только одинаковые импульсные токи и заряды обратного восстановления, но также идентичный характер зависимости тока от времени.
And it's very important to have same surge current and reverse recovery charge, as well as identical characteristic of current dependence on time.

Кроме того, как показывают расчеты и эксперименты, для таких тиристоров характерны слабые температурные зависимости времени и заряда обратного восстановления.
More than that, as proved by calculations and experimentations, for such thyristors low temperature dependence of time and reverse recovery charge is very characteristic.

Однако, соотношение UFM и интегрального заряда обратного восстановления Qrr- i для двух групп диодов практически одинаково см. рис. 4.
However, correlation of VFM and integral re- verse recovery charge(Qrr-i) for both groups of the diodes is almost the same, as shown in the fi gure 4.

Полученные соотношения основных характеристик тиристоров( падение напряжения во включенном состоянии- UTM, время выключе ния- tq, заряд обратного восстановления- Qrr) приведены на рисунках 2- 3.
Relations of main characteristics(on-state voltage drop VTM, turn-off time tq, reverse recovery charge Qrr,) are shown on figures 2 and 3.

Однако увеличение емкости- это не всегда рациональный способ, поэтому необходимо подбирать приборы для последовательного соединения по заряду обратного восстановления.
However the capacity increase is not always rational, that is why the selection of devices for the series connection according to reverse recovery charge is required.

Финишная разбраковка на установке, позволяющей провести испытания обратного восстановления двух или более последовательно соединенных тиристоров в режимах, близких к эксплуатационным.
Final presorting with equipment that provides the possibility to run tests of reverse recovery of two and more series connected thyristors in mode close to operational.

Известно, что величина заряда обратного восстановления, в первую оче- редь, зависит от величины накопленного заряда избыточных электронов и дырок в n-- базовом слое тиристора, а также от скорости рекомбинации этого накопленного заряда.
It's clearly known that value of reverse recovery charge depends on value of accumulated charge of excess electrons and holes in n- base layer of thyristor, and also on recombination rate of this accumulated charge.

Однако это требует от комплементарных диодов аналогичной скорости изменения тока обратного восстановления( dIrrm/ dt), которая для традиционных быстровосстанавливающихся диодов равна примерно 500 А/ мкс.
However complementary diodes are required to have same change rate of reverse recovery current(dIrrm/dt), which for conventional fast recovery diodes equals 500 A/ s.

На рис. 7 показано изменение разброса заряда обратного восстановления в партиях высоковольтных тиристоров Т273- 1250- 44 на ток 1250 А, напряжение 4400 В, после проведения операций прецизионного облучения.
In figure 7 change of reverse recovery charge distribution in lots of high voltage thyristors T273-1250-44 with current 1250 A and volatge 44 V after precise irradiation process is shown.

Таким образом, есть некоторое оптимальное значение эффективного времени жизни носителей заряда в n- базе тиристора, позволяющее получить малый заряд обратного восстановления при приемлемом малом значении падения напряжения во включенном состоянии.
Thus there is some optimum value of effective life time of carriers in n- base of thyristor, which allows achieving low reverse recovery charge with relatively low value of voltage rate of rise in on-state.

Для приборов с напряжением 6500- 8500 В значения заряда обратного восстановления и максимального значения тока обратного восстановления достигают весьма значительных величин, даже при не очень больших значениях скорости спада тока.
For devices with 6,5-8,5kV voltage values of reverse recovery voltage and maximum value of reverse recovery current reach very high level, even with low value of current rate of rise.

В тиристоре с более сильно легированной p- базой, вследствие транзисторного эффекта происходит не вынос избыточных электронов из n- базы, а инжекция избыточных дырок в n- базу, что приводит к относительному увеличению заряда обратного восстановления.
In thyristor with highly doped p- base, as a result of transistance, there isn't any electrons transfer from n- base, but excess holes injection into n- base what leads to relative increase of reverse recovery charge.

Типичное статистическое распределение импульсного тока обратного восстановления IrrM( Tj= 125C, ITM= 800A, di/ dt=- 5А/ мкс) в партии тиристорных элементов Т353- 800- 35 после прецизионной обработки ускоренными электронами.
Typical statistical distribution of surge reverse recovery current IrrM(Tj=125C, ITM=800A, di/dt=-5A/µs) in lots of thyristor elements T353-800-35 after precise irradiation with accelerated electrons.

На второй фазе обратного восстановления диод имеет высокую плотность обратного тока в n-- базе, который поддерживается за счет рекомбинации остаточного заряда избыточных электронов и дырок, накопленных в n-- базе ранее при протекании прямого тока.
During the second phase of the reverse recovery diode has a very high density of reverse current in the n--base, which is being supported by means of recombination of residual charge of excess electrons and holes accumulated in the n--base earlier during direct current fl ow.

Исходная предпосылка для достижения малого разброса характеристик обратного восстановления- это обеспечение высокой идентичности профилей легирующих примесей в выпускаемых кремниевых элементах, что достигается за счет хорошо отработанной технологии.
Presupposition for achieving low variation of reverse recovery characteristics- providing high identity of dopant profiles in produced silicon elements, which is achieved by thoroughly worked-out technology.

Анализируя их, следует, прежде всего, заметить, что экспериментальные диоды имеют значи- тельно меньшие значения Irrm и Qrr вторая фаза обратного восстановления- спад обратного тока аппроксимация хордой через точки, 9Irrm и, 25Irrm.
Analyzing these characteristics it is, fi rst of all, neces- sary to note that the experimental diodes have signifi cantly lower values of Irrm and Qrr second phase of reverse recovery- reverse current drop- chord approximation through the points 0,9*Irrm and 0,25*Irrm.

Если уменьшить максимальную концентрацию атомов акцепторной примеси в р- базе тиристора, удается снизить заряд обратного восстановления за счет выноса части избыточных электронов, накопленных в n- базе, прямо в n эмиттер, аналогично тому, как это происходит в диоде.
If we lower the maximum concentration of atoms of acceptor dopant in p- base of thyristor, this will lower reverse recovery charge by means of transferring part of excess electrons accumulated in n- base into n+ emitter, same to the process in diode.

Если эти две области встречаются, возникает эффект« схлопывания» заряда избыточных электронов и дырок в n-- базе, сопровождаемый чрезвычайно резким спадом тока обратного восстановления, что, в свою очередь, приводит к мощному всплеску напряжения, как правило, превышающему напряжение лавинного пробоя диода.
If both these areas contact a snappy effect of excess electrons and holes occurs in the n--base, which is being accompa- nied by extremely rapid reverse recovery current drop what leads to voltage outburst, which, as a rule, exceeds avalanche breakdown voltage of the diode.

Во-вторых, когда необходимо получить более мягкое обратное восстановление, может быть применена специальная технология регулирования времени жизни носителей заряда, базирующаяся на протонном облучении.
Secondly, when it's necessary to reach soft reverse recovery special technology of carrier life time regulation based on proton irradiation.

Однако значения Qrr, ERQ получаются весьма далекими от оптимальных за счет длинного« хвоста» тока при обратном восстановлении такого диода.
ERQ values are far from ideal due to the presence of long tail of reverse recovery current in the process of reverse recovery.