日本語 での 窒化 の使用例とその 中国語 への翻訳
{-}
-
Ecclesiastic
-
Programming
-
Computer
窒化珪素。
氮化硅.材質SKD61＋窒化処理。
材质SKD61＋氮化处理.窒化ガリウム。
氮化镓.材質SKD61＋窒化処理。
材质相当于SKD61＋氮化处理.炭窒化チタン（TiCN）。
このような場合にも、熱処理による「窒化鉄」には殆ど影響はありません。
这种情况下也对经过了热处理的「氮化铁」几乎毫无影响。窒化深さは0.9mm以下。
氮化深度为0.9mm以下。当レポートは窒化ホウ素および炭化ホウ素の世界市場について精査しています。
本報告提供氮化硼及炭化硼的全球市場詳查。酸窒化物合成の最前線：低温合成法の開発。
氮氧化物合成的最前线：低温合成法的开发.Wang先生および同僚はこれらの多くの挑戦のアドレス指定の目的のIII窒化物によって基づくnanowiresの統合そして特性を調査しています。
Wang博士和同事调查III氮化物基于nanowires综合和属性打算解决这些许多挑战。窒化ホウ素NanotubesおよびNanosheets-導入および最近の前進。
聚氮化硼Nanotubes和Nanosheets-简介和最近预付款.Yap、「熱化学気相堆積による窒化ホウ素のnanotubesの有効な成長」、ナノテクノロジー19、455605(2008年)。
Yap，“由热量化学气相沉积的聚氮化硼nanotubes有效增长”，纳米技术19，455605(2008)。窒化ベリリウム(Be3N2)は非常に加水分解をしやすい、高融点な化合物である。
氮化鈹（Be3N2{\displaystyle{\ce{Be3N2}}}）是一種可以輕易水解的高熔點化合物。ソウル半導体は初回の競売で、55件の米国特許を含め、パワーアンプと窒化ガリウム(GaN)RF半導体に関連する特許資産98件の最高額入札者を募る。
在首次拍卖中，首尔半导体将为其功率放大器和氮化镓(GaN)RF半导体相关的98项专利资产寻求最高竞标者，包括55项美国专利。これらの窒化物半導体の発明は、ディスプレイ・照明・車載・産業機器・医療計測分野において光源の技術革新を起こしております。
这些氮化物半导体的发明正在显示屏、照明、车载、产业器材、医疗测量领域引发光源技术革新。ソウル半導体は初回の競売で、55件の米国特許を含め、パワーアンプと窒化ガリウム(GaN)RF半導体に関連する特許資産98件の最高額入札者を募る。
在第一次拍卖中，首尔半导体公司正在寻求与功率放大器和氮化镓（GaN）RF半导体相关的98项专利资产的最高竞标者，其中包括55项美国专利。窒化ガリウム(GaN) 半導体デバイスの世界市場2023年：パワードライブ、サプライ&インバーター、RF、照明&レーザー。
氮化镓(GaN)半导体设备的全球市场2023年:电力驱动器，支援&变频器，RF，照明&雷射.産業技術総合研究所（産総研）と東北大学は2019年7月、低い電流密度でも発光効率を維持できるGaN（窒化ガリウム）マイクロLEDを開発したと発表した。
产业技术综合研究所和东北大学于2019年7月宣布，他们开发了一种在电流密度较低情况下也能保持发光效率的GaN（氮化镓）MicroLED。技術-GaNFET（窒化ガリウム）MOSFET（金属酸化物）SiCFET（炭化ケイ素）SiC（炭化ケイ素ジャンクショントランジスタ）。
技术-GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）SiC（碳化硅结晶体管）.従来のサファイアに加えて、シリコン（Si）、シリコンカーバイド（SiC）基板材料、酸化亜鉛（ZnO）および窒化ガリウム（GaN）なども、現在のLEDチップ研究の焦点である。
除了传统的蓝宝石、硅（Si）、碳化硅（SiC）衬底材料以外，氧化锌（ZnO）和氮化镓（GaN）等也是当前LED芯片研究的焦点。窒化炭素としてである金属などフリー、また機能グループを容認し、したがってバイオマス変換技術と持続可能な化学の多目的アプリケーションに適しています。
作为碳氮化是无金属的这种，而且还容忍功能组，因此适合于生物质转化和可持续化学多用途的应用程序。W,Ti,Al,Si,Ta,B,V等の炭化物、窒化物、炭窒化物、酸化物およびこれらに加えて、Fe,Co,Ni,Cr,Moなどの金属成分を含みます。
W,Ti,Al,Si,Ta,B,V等的碳化物、氮化物、碳氮化物、氧化物及加入其中Fe,Co,Ni,Cr,Mo等金属成分。発光物質を追求する中で、1993年に世界を驚かせた青色LEDの発表以来、紫外〜黄色迄の窒化物LEDに加え、白色LEDといった相次ぐ商品化で、LEDの応用分野は大幅に拡大しました。
在研制发光物质的过程中，于1993年发表了震惊世界的蓝色LED以来，相继实现了紫外～黄色的氮化物LED及白色LED的商品化，大幅度扩大了LED的应用领域。PubmedID:22109976窒化高分子黒鉛炭素材料(わかりやすくするため:g-C(3)N(4))注目を集めている近年ではグラフェンへの類似性のため。
PubmedID:22109976高分子石墨碳氮化物材料（为简单起见：g-C(3)N(4)备受关注近几年由于其对石墨烯的相似性。両方の総合的なアプローチがSandiaで探索されている間、一次焦点は金属有機性化学気相堆積を使用してGaNおよびIII窒化物のコアシェルのnanowiresのVLSベースの成長にありました(MOCVD)。
当这两个综合途径在Sandia时测试，使用金属有机化学气相沉积，主要重点在GaN和III氮化物核心壳nanowires基于VLS的增长(MOCVD)。製品別の分析として、窒化ホウ素と炭化ホウ素とで個別に市場分析を行っており、また地域市場別分析としては米国、日本、欧州、ならびにその他地域に市場を分類し、それぞれ総合的な市場データと詳細な分析とを提供しています。
各產品分析，分為氮化硼和炭化硼個別的市場分析，還有各地區市場分析，分為美國、日本、歐洲，以及其他地區分類市場，提供各種綜合性的市場資料詳細的分析。FCAのMP、JL、PFプラットフォーム(JeepPatriot、JeepCompass、JeepWrangler、DodgeDart等)向けブレーキディスク及びフェライト窒化浸炭(FNC)処理。
FCA的MP、JL、PF平台(JeepPatriot、JeepCompass、JeepWrangler、DodgeDart等)用制动盘及铁素体氮碳共渗(FNC)处理技术.しかし、問題は、シリコンと窒化ガリウムLEDチップの高品質の組み合わせが技術的困難であり、格子定数と熱膨張係数との間の巨大な不一致と、クラックや他の技術的問題による高密度の欠陥が長らくチップ開発を妨げていることである。
但问题是，硅与氮化镓的高质量结合是LED芯片的技术难点，两者的晶格常数和热膨胀系数的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂纹等技术问题长期以来阻碍着芯片领域的发展。SiCSi3N4nanocompositeの実際の微細構造1(1)炭化物の理解パフォーマンスのPurdueの焦点のMultiphysicsの実験室の陶磁器のnanocomposite作業はおよび窒化物核アプリケーションを含む発電のサイクルで見つけられた極度な環境のための高温陶磁器のNanocompositesを(2) 酸化物の陶磁器材料のMultiscaleの模倣および性格描写および(3)熱電発電のための材料の理解の熱伝導および熱問題基づかせていました。
实际微结构SicSi3N4nanocomposite1陶瓷nanocomposite工作在Purdue重点的Multiphysics实验室在(1)碳化物了解的性能和氮化物根据在发电循环找到的极其环境的高温陶瓷Nanocomposites包括核应用，(2)Multiscale在氧化物陶瓷材料的塑造和描述特性和(3)了解的热量传导和热量问题在材料热电发电的。Yap、「窒化ホウ素Nanotubesの統合の最初成功および窒化ホウ素NanotubesおよびシンポジウムKのカーボンNanotubesのヘテロ接合、:Nanotubesおよび関連のNanostructuresは、2009の材料社会の落下会合、4を11月12月30日、ボストンで、ペーパーK17.6研究します。
Yap，“在聚氮化硼Nanotubes综合的第一在讨论会K的聚氮化硼Nanotubes和碳Nanotubes的成功和异质结，：Nanotubes和相关Nanostructures，2009材料研究社团秋季会议，4日11月3012月，在波士顿，纸K17.6。
