OXIDE SEMICONDUCTOR 日本語 意味 - 日本語訳 - 英語の例文

• 酸化物半導体
• oxide semiconductor

英語 での Oxide semiconductor の使用例とその 日本語 への翻訳

As a result, an i-type oxide semiconductor layer 352 is formed.
型の酸化物半導体層３５２が形成される。

The transistor 202 is formed using an oxide semiconductor.
おり、トランジスタ２０２は酸化物半導体を用いて形成されている。

As another material, an oxide semiconductor has attracted attention.
知られているが、その他の材料として酸化物半導体が注目されている。

Exhibits: Next-generation high-performance display panels and low-power LSI using oxide semiconductor.
出展内容：酸化物半導体を用いた次世代の高性能ディスプレイ、および低消費電力LSI等。

Further, in the oxide semiconductor film, oxygen is one of the main constituent materials.
なお、酸化物半導体において、酸素は主たる成分材料の一つである。

Note that second heat treatment may be performed after the oxide semiconductor layer 403c is formed.
なお、酸化物半導体層４０３ｃを形成後に第２の加熱処理を行ってもよい。

The transistor 162 using an oxide semiconductor has a feature that the off current is extremely small.
酸化物半導体を用いたトランジスタ１６２は、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。

In order to increase the flatness of the surface, it is preferable to form an oxide semiconductor on a flat surface.
表面の平坦性を高めるには、平坦な表面上に酸化物半導体を形成することが好ましい。

The transistor 1762 using an oxide semiconductor has a feature that the off current is very small.
酸化物半導体を用いたトランジスタ１７６２は、オフ電流が極めて小さいという特徴を有している。

BTOS is a battery protection circuit which utilizes the electric characteristics of crystalline oxide semiconductor.
BTOSは、結晶性酸化物半導体の電気的特徴の一つである極小オフ電流を活かした二次電池保護回路です。

Tags: nano indium oxide powder gas sensor indium oxide semiconductor materials in2o3 powder.
タグ:ナノインジウム酸化物粉末ガスセンサーインジウム酸化物半導体材料in2o3パウダー。

The oxide semiconductor film preferably contains at least indium(In) or zinc(Zn).
Theoxidesemiconductorpreferablycontainsatleastindium(In) orzinc(Zn).特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。

The transistor 162 shown in Fig. 8A is a transistor in which an oxide semiconductor is used for the channel formation region.
図４（Ａ）に示すトランジスタ１６２は、酸化物半導体をチャネル形成領域に用いたトランジスタである。

The oxide semiconductor film preferably contains at least indium(In) or zinc(Zn).
Theoxidesemiconductorlayerpreferablycontainsatleastindium(In) orzinc(Zn).特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。

The company was tackling the challenge of developing ICs that would replace MOS(Metal Oxide Semiconductor) field-effect transistors.
MOS(MetalOxideSemiconductor)電界効果トランジスタのIC化です。

An oxide semiconductor to be used preferably contains at least indium(In) or zinc(Zn).
Theoxidesemiconductorpreferablycontainsatleastindium(In) orzinc(Zn).特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。

President Yamazaki published three jointly edited books on crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO® from John Wiley& Sons, Inc.
山﨑社長他が編者となった「結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO®」に関する書籍3冊がJohnWiley&Sons社より刊行」。

An oxide semiconductor to be used preferably contains at least indium(In) or zinc(Zn).
Theoxidesemiconductorlayerpreferablycontainsatleastindium(In) orzinc(Zn).特にＩｎとＺｎを含むことが好ましい。

Book Announcement: President Shunpei Yamazaki is going to publish three jointly edited books on crystalline oxide semiconductor CAAC-IGZO®, sequentially from October 2016.
当社代表取締役山﨑舜平が、結晶性酸化物半導体CAAC-IGZO®に関する共編書3冊を2016年10月より順次刊行します。

Here, it is preferable that the oxide semiconductor layer 140 is sufficiently removed from impurities such as hydrogen and is highly purified.
ここで、酸化物半導体層１４０は水素などの不純物が十分に除去され、高純度化されている。

In this report, IDTechEx focus on chemical gas sensors based on techniques of pellistor, infrared, metal oxide semiconductor(MOS), electrochemical and optical particle monitor(OPM).
当レポートでは、IDTechExはペリスター、赤外線、金属酸化物半導体（MOS）、電気化学および光学粒子モニター（OPM）の技術に基づいた化学ガスセンサーに焦点を当てています。

Such an oxide semiconductor is referred to as a highly purified intrinsic or substantially highly purified intrinsic oxide semiconductor..
そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。

His contributions to the field of materials science through the discovery and creation of new materials such as IGZO-TFT, an oxide semiconductor, iron-based high temperature superconductors, and stable electrides continue to be highly evaluated.
IGZO-TFTなどの酸化物半導体、鉄系高温超伝導体、電子化物など、新物質・材料の発見と創製が業績として評価されました。

In addition to the oxide semiconductor, the field effect mobility of the actually measured insulated gate type transistor is lower than the original mobility for various reasons.
酸化物半導体に限らず、実際に測定される絶縁ゲート型トランジスタの電界効果移動度は、さまざまな理由によって本来の移動度よりも低くなる。

To control supplying of supply voltage or reference voltage to a circuit cell and blocking of the voltage supplying is known as, for example, a circuit technique called multi-threshold complementary metal oxide semiconductor(MTCMOS).
電源電圧または基準電圧の回路セルへの供給と遮断を制御することは、例えば、ＭＴＣＭＯＳ（multi-thresholdcomplementarymetaloxidesemiconductor）と称される回路技術として知られている。

We will present our latest technology, Batteries Oxide Semiconductor/ Operating System(BTOS), at The 59th Battery Symposium and SEMICON Japan 2018.
第59回電池討論会企業展示、セミコンジャパン2018では、当社の最新技術であるBTOS(BatteriesOxideSemiconductor/OperatingSystem)を展示いたします。

Our crystalline oxide semiconductor technology is used widely in the display industry. For example, our technology has been used in smartphones produced by Sharp Corporation since 2012.
当社の結晶性酸化物半導体技術は、2012年よりシャープ株式会社製のスマートフォンに搭載されるなど、ディスプレイ分野で幅広く用いられています。

Through the above steps, the concentration of hydrogen in the oxide semiconductor layer 716 can be reduced and the oxide semiconductor layer 716 can be highly purified.
Throughtheabovesteps, toreducetheconcentrationofhydrogenintheoxidesemiconductorlayer716canbehighlypurified.それにより酸化物半導体層の安定化を図ることができる。

Here, it is preferable that the oxide semiconductor layer 144 be highly purified when impurities such as hydrogen are sufficiently removed or when sufficient oxygen is supplied.
ここで、酸化物半導体層１４４は水素などの不純物が十分に除去され、十分な酸素が供給されることにより、高純度化されたものであることが望ましい。

When a large amount of hydrogen is contained in the oxide semiconductor film 106, by combining with the oxide semiconductor, part of the hydrogen becomes a donor and generates electrons as carriers.
酸化物半導体膜１０６に、水素が多量に含まれると、酸化物半導体と結合することによって、水素の一部がドナーとなり、キャリアである電子を生じてしまう。