SILICON OXIDE 日本語意味 - 日本語訳

Silicon oxide is above 95%.

ケイ素酸化物は95%の上にあります。

Next: high purity 99.999% Silicon oxide sputtering target.

次：高純度99.999％シリコン酸化スパッタリングターゲット。

Silicon oxide(SiO2) with n= 1.46.

酸化シリコン（SiO2、n=1.46）。

High purity 99.999% Silicon oxide sputtering target.

高purity99.8の％〜99.99％のシリコンアルミニウム合金スパッタリングターゲット。

Silicon oxide is a commonly used sacrificial layer.

一般に,酸化シリコンが犠牲層として用いられる。

Your present location: HOMEgt; Silicon oxide seriesgt; Silicon dioxide polishing solution.

貴方の現在の位置：トップページgt;酸化シリコンシリーズgt;二酸化珪素研磨液。

High transmittance for deep UV wavelengthis available by using hafnium oxide and silicon oxide materials.

材料に酸化ハフニウムと酸化シリコンを用いることによって深紫外においても高い透過率を実現しました。

Etching solutions for silicon oxide film which control etching of aluminum.

アルミニウムのエッチングを抑制したシリコン酸化膜のエッチング液。

Aluminum oxide(AI2O3) content of 70% to 80%,containing more impurities such as silicon oxide and titanium oxide, a black corundum.

酸化アルミニウム（Al2O3）70％〜80％の含有量、酸化シリコン、酸化チタン、ステンレス鋼に使用ブラックcorundum。

When bound to oxygen, the resulting silicon oxide is generally one of the highest quality electronic insulating materials.

酸素に結合する場合、結果として得られる酸化シリコンは、一般的に最高品質の電子絶縁材料の一つです。

Oxidation 2 aluminium(Al2O3) content over 98%,and the composition such as containing a small amount of ferric oxide, silicon oxide, appera white.

人工の種類、及びそのような酸化鉄、酸化ケイ素の含有量が少ないなどの組成物が、白色appera。

It also has natural items which are rich silicon oxide, minerals of calcium carbonate, aluminum oxide..

それはまた豊富な酸化ケイ素、炭酸カルシウムの鉱物、酸化アルミニウムである天然物を持っています。

In an argon-oxygen atmosphere, whereby the implanted oxygen ions combine with Si atoms around a depth corresponding to the projected stroke(Rp)of the ion implantation to form a silicon oxide layer.

その結果、イオン注入の投影飛程（Ｒp）に相当する深さを中心に注入された酸素イオンがＳｉと結合して酸化Ｓｉ層が形成される。

CMP suspensions are widely used to polish and smooth the silicon oxide, poly silicon and metal surfaces.

CMP懸濁液を広く酸化シリコン、ポリシリコン及び金属表面を研磨し、平滑化するために使用されます。

OxiMax is an ultrapure, transparent silicon oxide coating that has low internal stress and is highly adherent and micro-conformal to the substrate surface.

OxiMaxTM(オキシマックス)は、高純度で透明な酸化ケイ素コーティングで、内部応力が小さく、基材表面に対して密着性が高く、マイクロコンフォーマルな特性を備えています。

This behavior had formerly confused scientists working in the area of nanoelectronics- they thought that the switching was due to the nano-additive butit turns out that the source of the switching might be from the underlying silicon oxide itself.

この動作は、ナノエレクトロニクスの分野で働く以前は混乱の科学者を持っていた-彼らは、スイッチングは、ナノ添加剤によるものだと思ったが、それは、スイッチングのソースは、下地のシリコン酸化膜自体からのものである可能性があることが判明。

Film Deposition Thin film layers of silicon oxide, aluminum and other metals that will become the circuit materials are formed on the wafer.

成膜ウェーハ上に回路の素材となる酸化シリコンやアルミニウムなどの薄膜を形成します。

Bismuth silicon oxide(Bi12SiO20) exhibit piezoelectric, electro-optic, elasto-optic and photoconductive properties, and therefore have potential applications inspatial light modulators, acoustic delay lines, hologram recording equipment and phase conjugation etc.

ビスマスシリコン酸化物（Bi12SiO20）は、圧電、電気光学、エラストオプティクス、光伝導特性を示し、したがって、光変調器、音響遅延線、ホログラム記録装置および位相共役などの潜在的用途を有する。

In the DPN HD nitridation process, silicon oxide dielectric is infused with nitrogen using low-energy, pulsed plasma to create the….

DPNHD窒化プロセスでは、パルスプラズマを使用して低エネルギーの窒素をシリコン酸化膜中に注入します。

Among the materials, the silicon oxide used in the anode of a rechargeable battery has the highest electrical capacity among the commercialized lithium ion rechargeable batteries.

特に、二次電池の負極に採用したシリコン酸化物は、実用化されているリチウムイオン二次電池のなかで、最大の容量を持つ負極活物質である。

Simultaneously with the removal of the silicon oxide film 205, a thermal oxide film that is formed on the surface of the region 206 is also removed.

Toremovethesiliconoxidefilm205.この際、領域２０６の表面に形成される酸化膜も同時に除去する。

Stone: It is natural items that has rich silicon oxide, aluminum oxide or calcium carbonate minerals, and all of them contain radioactive elements- chlorine.

石：酸化シリコン、酸化アルミニウム、炭酸カルシウムの鉱物が豊富な天然素材で、放射性元素（塩素）を含んでいます。

Because of the high insulation value of the silicon oxide surrounding the gate, the stored charge cannot readily leak away and the data can be retained for decades.

ゲートを取り囲む酸化ケイ素の層は絶縁値が高いため、蓄えられた電荷は簡単には漏れ出すことができず、データは数十年間保持できる。

Then, the mask 204 which is the silicon oxide film for selectively introducing the nickel elements is removed to obtain a state shown in FIG.

And removing themask204madeofasiliconoxidefilmforselectivelyintroducingnickelelement.こうして、図１（Ｃ）に示す状態を得る。

The scientists sandwiched a nano-sized layer of silicon oxide, thousands of times smaller than the width of a human hair, between two electrodes and exposed the device to increasing amounts of electrical current.

科学者は、シリコン酸化物のナノサイズの層、2つの電極と電流の量が増加するため、デバイスを露出さの間に人間の髪の毛の幅よりも小さい数千回を挟み。