THRESHOLD VOLTAGE 日本語 意味 - 日本語訳 - 英語の例文

• スレッショルド電圧
• しきい電圧は
• きい値電圧
• threshold voltage

英語 での Threshold voltage の使用例とその 日本語 への翻訳

Your threshold voltage is low compared with silicon MOSFETs.
あなたのしきい電圧は、シリコンMOSFETと比べて低くなっています。

If VGS is at least as high as the threshold voltage, the MOSFET turns on.
つまり、VGSがしきい値以上の電圧であれば、MOSFETはオンします。

Your threshold voltage is low compared with silicon MOSFETs.
あなたのしきい電圧は、シリコンMOSFETに比べて低くなっています。

The devices are differentiated by their output logic configurations and preset threshold voltages.
これらの素子は、出力ロジック構成とスレッショルド電圧によって区別されています。

When the supply voltage drops below the threshold voltage VIT-, the output becomes active(low) again.
電源電圧がスレッショルド電圧VIT-を下回ると、出力は再びアクティブ(ロー)になります。

Power-on resets are available with several different, fixed timeout periods and threshold voltages.
パワーオンリセットは、数種類の固定タイムアウト期間とスレッショルド電圧で利用することができます。

Note that this threshold voltage is not the same as the minimum power-supply voltage shown in the data sheet.
この閾値電圧は、データシートに記載されている最小電源電圧とは異なることに注意してください。

In MOSFET transistors, RDF in the channel region can alter the transistor's properties, especially threshold voltage.
MOSFETにおいてチャネル領域のRDFは、トランジスタの特性、特に閾値電。

All the devices of this family have a fixed-sense threshold voltage, VIT-, set by an internal voltage divider.
このファミリのデバイスはすべて、内部分圧回路により検出スレッショルド電圧VIT-が固定されています。

With the threshold voltage not scaling as well, the gap between the supply and threshold voltages shrinks, thereby reducing the noise margin.
しきい値電圧は、対応したスケーリングを行わないため、供給電圧としきい値電圧間のギャップは小さくなり、ノイズマージンが減少します。

Consequently, the necessary gate voltage VG is 3.16V, which defines the threshold voltage of U1. Figure 2.
結果、必要なゲート電圧VGは3.16Vであり、この電圧によってU1のスレッショルド電圧が決まります。

Once the supply reaches the threshold voltage, the POR circuit releases the internal reset signal and the state machine initializes the device.
電源電圧が閾値に達したら、ICが内蔵するPOR回路がリセット信号を送信し、ステートマシンがIC自身を初期化します。

Better suited are shunt regulators, which are similar to zener diodes, but reach their threshold voltage at a much lower current.
これはツェナーダイオードに類似していますが、ツェナーダイオードよりもはるかに低い電流でスレッショルド電圧に到達します。

If the threshold voltage of the cell is higher than“d′”, the bit line remains at the high level because the cell is turned off.
Whenthethresholdvoltageofthecellishigherthan"b'", thecellisturnedoff.このため、ビット線はハイレベルのままである。

In addition, when the output voltage exceeds the preset determination threshold voltage, the current application stops only for that sample.
また、出力電圧が予め設定した判定閾値電圧を超えるとそのサンプルのみ電流印加を停止します。

The input threshold voltages of the Schmitt trigger are designed to change state corresponding to the desired peak voltages of the triangular wave output.
シュミットトリガの入力スレッショルド電圧は、三角波出力の所望のピーク電圧に対応して状態を変化させるよう設計されています。

For a particular application, the positive and negative threshold voltages can be set to desired values by a suitable choice of feedback network.
特定のアプリケーションでは、フィードバックネットワークの適切な選択によって正と負のスレッショルド電圧を所望の値に設定することができます。

The pin 4 threshold voltage is set to be 2 VBE. When Vst is 2.0V or higher, the amplifier will be on, and when Vst, is 0.7V or lower, the amplifier will be off.
ピン4のしきい値電圧は2VBEに設定されます。Vstが2.0V以上の場合、アンプはオンになり、Vstが0.7V以下の場合、アンプはオフになります。

The circuit in Figure 6 illustrates how the contributions to DSN from the data filter and the peak detector combine to produce a rapidly responding threshold voltage.
図6の回路は、DSNに対するデータフィルタとピーク検出器からの寄与分を組み合わせて、迅速に反応するスレッショルド電圧の生成を実現する方法を示しています。

When the load current exceeds the threshold voltage at the junction of R1 and R2, the comparator changes state, causing the output voltage to be pulled high by R3.
負荷電流がR1とR2の接合部におけるスレッショルド電圧を上回ると、コンパレータの状態が変化して、出力電圧がR3によってハイに引き上げられます。

This main controller also includes a secondary feedback input that triggers an ultrasonic pulse(DL1 turned on) if the SECFB voltage drops below its threshold voltage.
このメインコントローラは、SECFB電圧がスレッショルド電圧より下がると超音波パルス(DL1ターンオン)をトリガする2次フィードバック入力も備えています。

These crowbar-mode protection devices are programmable: the threshold voltage follows the power supply voltage and protection efficiency is ensured whatever the power supply voltage setting and variations.
これらのクローバ･モードのプロテクション･デバイスはプログラマブルです。電圧の閾値は電源電圧に追随し、電源電圧のどのような設定や変動に対しても保護効率が保証されます。

The use of heat treatment to add phosphorous to the insulating film makes it possible to maintain the reliability of the insulating film, and to avoid variation in channel mobility and threshold voltage.
熱処理を用いて、絶縁膜にリンを添加することで、絶縁膜の信頼性を維持でき、チャネル移動度や閾値電圧のばらつきを回避することができる。

In summary, the only difference in the equations for the MOSFET and JFET are the values of the constant K, and the fact that the threshold voltage in the MOSFET is equivalent to the pinch-off voltage in the JFET.
要約すると、MOSFETとJFETの式の唯一の違いは、定数の値です。Kそして、MOSFETのスレッショルド電圧がJFETのピンチオフ電圧に等しいという事実。

In standard type internal waveforms analysis, a memory threshold voltage distribution is also provided as a summary of how the different memory states(4 states for MLC devices and 8 states for TLC devices) are programmed and distributed as shown in the two examples below:.
標準タイプの社内波形解析では、メモリーのスレシホールド電圧の分布が提供され、各種メモリーステート(MLCデバイスの場合は4ステート、TLCデバイスの場合は8ステート) のプログラムおよび分布の概要を把握できます(下記の2つの例を参照)。

New chemistry and direct, high-temperature wafer heating generate the higher dosages of nitrogen needed for oxynitride gates at the 3X and 2Xnm nodes while simultaneously achieving superior leakage and threshold voltage performance.
新しい化学特性と高温でのウェーハ直加熱により、3xnm、2xnmノードの酸窒化物ゲートで要求される窒素の高ドーズが達成され、同時により優れた漏れ電流としきい値電圧特性が得られます。

In succession to the preceding discussion of MOSFET switching characteristics, here we explain the gate threshold voltage, which is a crucial characteristic of MOSFETs, as well as the ID-VGS characteristics, and the temperature characteristics of each of these.
前回のMOSFETのスイッチング特性に続いて、MOSFETの重要特性である、ゲートしきい値電圧、そしてID-VGS特性、そしてそれぞれの温度特性について説明します。

During power on, RESET asserts when the supply voltage VDD becomes greater than 1.1 V. Thereafter, the supply voltage supervisor monitors VDD and keeps RESET active low as long as VDD remains below the threshold voltage, VIT.
電源投入時には、電源電圧VDDが1.1Vを上回るとRESETがアクティブになります。その後は、電源電圧監視ICがVDDを監視し、VDDがスレッショルド電圧VIT-を下回っている限りはRESETをアクティブ・ローに維持します。

A multi-level cell(MLC) may be assigned, for example, four different threshold voltage(Vt) ranges of 200 mV for each range, with each range corresponding to a distinct data state, thereby representing four data values or bit patterns.
Amulti-levelcell(MLC)is,forexample, mayhaveeachrangeisassignedfourdifferentthresholdvoltage(Vt)rangeconsistingof200mV, therangecorrespondstoaseparatedatastates.このため、４つの閾値電圧は、４つのデータ値またはビットパターンを表している。

The selected word line of the selected block(e.g., WL2) is connected to a reference voltage, a level of which is specified for each read and verify operation in order to determine whether a threshold voltage of the concerned memory cell is above or below such level.
Theselectedwordlineoftheselectedblock(e.g.,WL2)isconnectedtoareferencevoltage. この基準電圧のレベルは、対応するメモリ・セルの閾電圧がこのレベルよりも高いか低いかを判定するために、各読み出し及びベリファイ・オペレーションに対して指定されている。