日本語 での ガリウム の使用例とその 英語 への翻訳
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LEDエピタキシャルウエハガリウム。
LED Epitaxial Wafer Ga.ガリウムニュートリノ天文台。
The Gallium Neutrino Observatory.発光ダイオードに用いられる窒化ガリウム系半導体の開発及び製造。
Development and manufacturing of gallium nitride-based semiconductor.ガリウム、インジウム、ゲルマニウム、タリウムなどの希少金属を分散させ;
Dispersing rare metals such as gallium, indium, germanium, and thallium;サルコイドーシスの患者はツベルクリン検査やガリウム検査をどのくらいするべきでしょうか？
How often should ガリウムの特性である“凝固膨張”を利用し、コバルトクロムの凝固収縮を和らげ、。
A property of gallium to ease solidification contraction MetalJet線源用に供給される室温の液体金属合金は、主にガリウム(Ga)、インジウム(In)及びスズ(Sn)からなります。
The room temperature liquid metal alloyssupplied for the MetalJet source consist mainly of gallium, indium and tin.ガリウム（Ga）リッチ合金が利用可能です。この合金の9.2keV（1.3Å）Kα線は、銅（Cu）のKα線に近接しています。
A gallium(Ga) rich alloy has Kα emission of 9.2 keV which is close to the copper(Cu) Kα emission line at 8.0 keV.危険な金属の代わりに無害な合金を使用します。たとえば、ガリン、ガリウム、インジウム、スズの合金です。
It uses harmless alloys instead N32および4N33はガリウム砒素赤外線LEDおよびケイ素のphotodarlingtonセンサーが付いている光学的につながれたアイソレーターです。
The 4N32 and 4N33 are optically coupled isolators with a Gallium Arsenide infrared LED and このプロセスは、LED照明に使用される窒化ガリウムと共に使用することができ、太陽電池を含む他の半導体製品の効率を高めることもできる。
ガリウムビームは正電荷を持ち、電子ビームは負電荷を持っているので、正か負のいずれかの電荷を持つ試料はどちらかに反発してしまいます。
Because the gallium beam has a positive charge and ITR817（スロットオプティカルスイッチ）はプラスチックハウジングのケイ素のフォトトランジスターとつながれるガリウム砒素の赤外線出るダイオードです。
The ITR817(Slot Optical Switch) is a gallium arsenide infrared emitting diode which トランシーバの「トークタイム」を拡張するために、バイポーラトランジスタよりも効率の良いガリウム砒素FET(GaAsFET)のパワーアンプが使用されています。
Talk time" in these transceivers isextended by the use of power amplifiers based on gallium-arsenide FETs(GaAsFETs), which are more efficient than those based on bipolar transistors.EVのバンド隙間で、窒化ガリウムは目に見えない紫外線を放つが、いくつかのガリウムがインジウムと交換されるとき、すみれ、青、および緑色のような色は発生します。
従来のサファイアに加えて、シリコン（Si）、シリコンカーバイド（SiC）基板材料、酸化亜鉛（ZnO）および窒化ガリウム（GaN）なども、現在のLEDチップ研究の焦点である。
In addition to traditional sapphire, silicon(SI), silicon carbide(sic) substrate materials, zinc oxide(ZnO)and gallium nitride(Gan) are also the focus of the current LED chip research.そして第2に、より革新的なインジウム・ガリウム・亜鉛酸化物（IGZO）技術で、各ピクセルに供給される電圧、明るさ、色（赤、緑、青の組み合わせ）を指定します。
Second, we have the more innovative Indium Gallium Zinc Oxide(IGZO) technology, which dictates the voltage supplied to each pixel, its brightness, and the particular mix of red, green and blue it's using for its color.独特な特徴（高い最高の現在、高い絶縁破壊電圧および高い転換の頻度が）の原因、ガリウム窒化物GaN未来のエネルギー問題を解決する選択の独特な材料はです。
Due to its unique characteristics(high maximum current, high breakdown voltage,and high switching frequency), Gallium Nitride GaN is the unique material of choice to solve energy problems of the future.ガリウム窒化物：n型、p型および半絶縁性窒化ガリウム基板、ならびに、低、マルコ欠陥密度および転位密度が低い、リード、ldまたは他の用途のための鋳型またはガンエピウェハウェハ。
Gallium Nitride: N type, p type and semi-insulating gallium nitride substrate and template or GaN epi wafer for HEMT with low Marco Defect Density and Dislocation Density for LED, LD or other application.LEDはライトの作成によってより有効、省エネけれども「冷たいプロセス」です-力が半導体（通常ガリウム、ヒ素およびリン）に適用されるとき、それらは電子の動きによって刺激されます;
LED is more efficient and energy saving by creating light though a"cold process"-When power is applied to semiconductors(usually gallium, arsenic and phosphorus), they're stimulated by the movement of electrons;Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム(GaN)・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95%を超えるピーク効率と225W/立方インチの電力密度を達成することができます。
With the emergence of the 48V bus architecture,a new hybrid converter using gallium nitride(GaN) transistors can be employed which achieves a peak efficiency that exceeds 95% and with 225W/in3 power density.研究者は、ガリウム砒素の"スピントロニクス"デバイス出力を行い、あなたには、いくつかの所望の方向にスピンを準備した場合、あなたはそれがやりたい最後の点は、それが動いている時にいくつかの他のスピンに反転することです。
Researchers make‘spintronic' devices out of gallium arsenide, and if you have prepared a spin in some desired orientation, the last thing you would want it to do is to flip to some other spin when it's moving.”.現在は、EPC社でアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとして勤務し、窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの利点を最大化するアプリケーション、回路、手法を開発しています。
He is currently working with Efficient Power Conversion Corporation, where, as Director of Applications Engineering, he develops applications, circuits,and methods to maximize the benefit of gallium nitride(GaN) power transistors.このシリーズの最初の回では、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスが、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの多くの新しいアプリケーションを可能にした方法について説明しました。
In the first article in this series, how gallium nitride(GaN)-on-silicon low voltage power devices have enabled many new applications, such as light detection and ranging(LiDAR), envelope tracking, and wireless power was discussed.EPC社が世界のほぼすべての大手エレクトロニクス企業に販売している窒化ガリウム(GaN)のトランジスタや集積回路は、シリコンで作られたものと比べて、より小さく、より速く、より電力効率の高い製品にすることを可能にします。
Gallium Nitride(GaN) transistors and integrated circuits, which EPC sells to almost every major electronics company in the world, allow companies to make smaller, faster and more power-efficient products compared with those made from silicon.高性能の青色発光素子の実現には、窒化ガリウム(GaN)などエネルギーの大きい半導体の高品質単結晶の作製と、そのpn接合の実現が不可欠ですが、いずれも極めて困難だったからです。
Both of the two essential requirements for creating high-performance blue light-emitting devices, namely, the growth of high-quality single crystals of semiconductors with wide bandgap energy,such as gallium nitride(GaN), and realization of their p-n junction, were extremely difficult to achieve.研究·試作は、シリコンシリーズに加えて、太陽電池であった、硫化カドミウム、ガリウム砒素、銅インジウムセレンと枚挙にいとまがない太陽電池、他の多くの種類があり、次のようなより一般的な太陽のほんの一部です細胞。
Research and trial production has been the solar cell, in addition to silicon series,there are cadmium sulfide, gallium arsenide, copper indium selenium and many other types of solar cells, too numerous to mention, the following are a few of the more common solar cells.FIB製品群は高安定性加速電圧にフローティング出力を組み込み、従来のガリウムイオン源のみならず、ウィーンフィルター技術と共にプラズマとその他の多くの光源材料を駆動する19インチのラックソリューションとしてコンパクトにまとめました。
The FIB range incorporates high stability acceleratorvoltages with the floating outputs to drive traditional Ga Ion Sources, together with Plasma and many other source materials when coupled with Wien Filter technologies, in a compact 19 inch rack solution.例えばLED用途には特性に応じて基板にサファイア、シリコンカーバイト（SiC）、ガリウム砒素（GaAs）、ガリウム燐(GaP)、窒化ガリウム（GaN）などが用いられ、デバイス機能を作るために基板上に薄膜（エピタキシャル層）が形成されます。
For example, Sapphire, Silicon Carbide(SiC), Gallium Arsenic(GaAs), Gallium Phosphorus(GaP) and Gallium Nitride substrate are being used according to LED application characteristics and thin deposition(epitaxial layer) is formed on substrate in order to produce device function.
