在 中文 中使用 损耗 的示例及其翻译为 日语
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插入损耗小于0.75dB。
米的距离的自由空间损耗为88dB。
Mの距離での空きスペースの損失は88dBです。而每次改变形式时就会出现能源的损耗。
エネルギーが形を変えるそれぞれの過程で損失が生じます。晶圆采用SiC(碳化硅)降低电力损耗。
ウエハーにSiC(炭化ケイ素)を採用して電力損失を低減。回波损耗测量功能通常用于监控RF负载的应用中。
反射損失の測定は、RF負荷を監視するアプリケーションで一般的に行われます。滤波器网络和其它组件引起的总插入损耗仅有5.8dB。
フィルタ回路やその他の要素による総合挿入損失はわずか5.8dBです。值得注意的是，对于0dB的回波损耗，误差仍然只在1dB范围内。
とはいえ、反射損失が0dBとなっても、誤差はわずか1dBの範囲内に収まります。想展示通过鸡肉的解冻过程，实现「损耗·滴水降低效果」。
如果将链路范围延伸到500米，路径损耗将增加到大约150dB。
リンクの通信範囲を500mまで拡大すると、経路における損失は約150dBに増加します。由滤波器网络和其他阻性元件引起的总插入损耗仅为2.0dB。
フィルタ回路やその他の抵抗成分による合計挿入損失は、わずか2.0dBです。也就是说日本的体力确实在不断衰退（现在总投资已经低于资本损耗）。
つまり、日本の体力は確実に衰退しつつある（現在すでに、総投資は資本減耗を下回っている）。由滤波器网络、变压器和其他阻性元件引起的总插入损耗仅为1.2dB。
フィルタ回路、トランス、その他の抵抗性部品による全体の挿入損失はわずかに1.2dBです。采用的磁性材料为日本东北大学开发的低损耗软磁性材料“NANOMET”。
磁性材料には、東北大学が開発した低損失の軟磁性材料「NANOMET」を採用している。但是，ADL5920还可用于测量材料分析应用中的标量回波损耗。
ADL5920を使用すれば、材料分析の用途においてスカラー反射損失を測定することも可能です。不管您是否运行以太网在10Mbps或ATM在155Mbps，损耗是相同的。
Mbpsのイーサネットであっても、155MbpsのATMであっても、損失は同じです。在应用中，IGBT7能够减少功率损耗或增加最大输出功率和功率密度。
アプリケーションにおいて、IGBT7は電力損失が低減、又は最大出力および電力密度を増加させます。根据NLOS室外到室外链接，我们假定这里的路径损耗为135dB。
ここでは、屋外から屋外へのNLOSリンクの場合、経路における損失は135dBであると仮定しました。电动机只在必要的时候以不同速度启动泵，因此可降低摩擦损耗。
電気モーターがさまざまな速度でポンプを動かし、必要な場合にのみ作動するため摩擦損失を低減させることができるという。相反，如果我们假设一个LOS模型，那么路径损耗可能在110dB左右。
一方、LOSモデルを想定する場合には、経路における損失は110dB程度に収まると考えられます。例如，在使用MOSFET模块时，40A的负载电流最高只会产生3W的功率损耗。
例えば、MOSFETモジュールを使用すれば、40Aの負荷電流で生じる電力損失は3W以内です。使通过130公里的直流电缆系统非常低损耗地传输电力成为可能。
これにより、130kmの長さの直流ケーブルシステムを介して、非常に低い損失で本土に送電することが可能になります。但是，如果电力的传输距离达到数千公里之远时，减少电力损耗则困难重重。
しかし、電力が数千キロメートルの距離を送られてくる場合には、電力損失を減らすことは、必ずしも容易ではありません。通过替换IGBT模块，有望大幅降低开关损耗，实现冷却装置的小型化。
IGBTモジュールからの置き換えにより大幅なスイッチング損失の低減が望め、冷却機構の小型化が可能になります。反向损耗超过散热，损耗进一步增加，产品温度呈指数级上升的状态。
逆方向損失が放熱を上回り、さらに損失が増大し、製品温度が指数関数的に上昇する状態のこと。除了降低变流器损耗之外，电缆损耗或直径也可减少30%左右。
我们有一些想法，那就是在动力单元的几乎每个角落去减少摩擦，或者电力系统的损耗。
私たちはパワーユニットのほぼ全ての領域で摩擦を減らすためのアイデアや、電気システムの損失を減らすアイデアを持っています」。如果ERL值太低，IP网络(ACOM)中出现的总回声返回损耗可能不足以抑制回声。
ERLの値が低すぎると、IPネットワークで発生するエコーリターンロスの合計（ACOM）が、エコーの抑制に不十分である可能性があります。即不付费的商业性损耗与漏水及偷水造成的物理性损耗率高达40%，只有60%的自来水供应量能够创收。
すなわち料金不払いによる商業的なロスと、漏水や盗水による物理的なロスが40％もあって、水道供給量の60％しか売り上げとして立っていない。在高耐压范围中，SiCMOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。
高耐圧領域において、SiCMOSFETはSi-MOSFETと比較して「スイッチング損失・導通損失が少ない」「大電力対応が可能」「温度変化に強い」などの利点があります。自1970年低损耗光纤的发明带来电信革命以来，康宁一直在不断创新，以提高光网络的速度和容量，同时降低安装成本。
年に低損失光ファイバの発明によってテレコミュニケーションの革新をもたらして以来、コーニングは設置コストを削減しながら光ネットワークの速度と容量を増大するために、絶えずイノベーションを続けています。
