在 印度尼西亚 中使用 Nand 的示例及其翻译为 中文
{-}
-
Ecclesiastic
-
Ecclesiastic
-
Computer
Hadirnya 3 D NAND Flash.
英特尔3DNANDFlash.Arsitektur NAND flash diperkenalkan oleh Toshiba pada tahun 1989.
NANDFlash由Toshiba公司在1989年发明。Komersialisasi 5 G akan mendorong permintaan untukpenyimpanan flash NAND pada tahun 2020.
年5G商业化将推动NAND闪存存储需求的增长.Dua kali kapasitas 128 GB NAND die yang telah dipasarkan oleh berbagai pembuat chip tahun lalu.
是去年各芯片制造商商业化的128位NAND芯片容量的两倍。Hampir selama dua dekade,kolaborasi sukses telah membantu perkembangan dan inovasi teknologi flash NAND.
近20年来，两家公司合作无间，带动了NANDFlash技术的成长和创新。Intel QLC 3 D NAND digunakan dalam Intel SSD 660 p, Intel SSD 665 p dan Intel Optane Memory H10.
IntelQLC3DNAND用于Intel固态硬盘660p、Intel固态硬盘665p和IntelOptaneMemoryH10。Drive QLC Intel memiliki 4 bit per sel danmenyimpan data dalam konfigurasi NAND 64- layer dan 96- layer.
Intel的QLC驱动器每个单元有4位，并以64层和96层NAND配置存储数据。Para 20 nm kelas terbaruteknologi proses 64 GB flash NAND komponen diharapkan untuk meningkatkan produktivitas perusahaan dengan 60%.
最新的20毫微米選件類加工技術64GB與非閃光要素預計增加公司的生產率60%。Sebagai contoh, saya menemukan SSD SLC enterprise 128 GB yang harganya sama dengan SSD tingkat konsumen 1 TB yangberjenis TLC NAND.
例如，我在亚马逊上发现了一个128GB的企业SLCSSD，其成本与带有TLCNAND的1TB消费者级SSD相同。Jika anda menemukan SSD SLC di lingkup konsumen,mungkin memiliki jenis NAND dengan cache SLC yang berbeda untuk meningkatkan kinerja.
如果确实看到了消费类SLCSSD，则它可能具有不同类型的NAND和SLC缓存以提高性能。Samsung sudah mulai memproduksi 8 GB moviNAND, menggunakan 30 nanometer( nm) kelas 32- gigabit( Gb) NAND flash chip di akhir bulan Juli, dan akan mulai memproduksi 16 GB moviNAND menggunakan 20 nm 32 Gb kelas NAND flash bulan ini.
三星已经开始生产8GB的moviNAND，使用30纳米（nm）级32千兆（GB）NAND闪存芯片7月下旬，将开始生产16GB的moviNAND本月20纳米级32GBNAND闪存使用。Menurut firma riset pasar TrendForce,harga kontrak chip memori flash NAND naik untuk pertama kalinya dalam lebih dari satu setengah tahun.
根據市場研究公司TrendForce的數據，NAND閃存芯片的合同價格在一年半以上的時間內首次上漲。Dibangun dengan memanfaatkan berbagai teknologi baru dan inovasi-inovasi manufaktur, BiCS5 adalah densitas tertinggi Western Digital danteknologi 3 D NAND tercanggih hingga saat ini.
BiCS5采用了广泛的新技术和创新的制造工艺，是西部数据迄今为止最高密度、最先进的3DNAND。Karena mold stack di setiap area sel bertambah tinggi,chip NAND flash cenderung menjadi lebih rentan terhadap kesalahan dan membaca latensi.
随着每个单元区域的模具堆叠高度的增加，NANDFlash芯片往往更容易出错和读取延迟。Dalam eksperimen lain, para peneliti menciptakan Not Gate' dan memadukannya dengan AND Gate' gunamenghasilkan NAND Gate' yang lebih kompleks.
在另一項實驗中，研究者處造出「NOT閘」，並且將之與AND閘結合，形成更複雜的「NAND閘」。SK Hynix dikabarkanakan mulai mengirimkan 4 D NAND 128- Layer TLC mulai paruh kedua tahun ini, sambil terus meluncurkan berbagai solusi dan inovasi.
SK海力士将从今年下半年开始发售128层4DNAND闪存，同时继续推出各种解决方案。Statistik ChinaFlashMarket( CFM) menunjukkan bahwa pada tahun 2019, pengiriman SSD perusahaan ke China diperkirakan mencapai 31,1 juta,terhitung 25% dari produksi global chip flash NAND, dan kapasitas penyimpanan unit rata-rata adalah 2,3 TB.
ChinaFlashMarket（CFM）的统计数据显示，到2019年，企业使用的SSD到中国的出货量估计达到3110万个，占NAND闪存芯片全球产量的25％，平均单位存储容量达到2.3TB。Secara historis, seperti halnya kebanyakan chip komputer, NAND flash merupakan plannar, yaitu struktur fungsioinal pada chip yang ditempatkan pada satu plane dua dimensi.
历史上，与大多数计算机芯片一样，NANDflash一直是平面的，也就是说，芯片上的功能结构(大部分)被放置在单个二维平面上。Dengan kemunculan teknologi bandwidth tingkat tinggi seperti 5 G, Augmented Reality, dan sistem pengenalan wajah, aplikasi-aplikasi baru dapat mengambil keuntungan dari performa,efisiensi daya dan kapasitas NVMe dan 3 D NAND milik Western Digital untuk memberikan pengalaman pengguna yang optimal.
随着5G技术、增强现实和面部识别等高带宽技术的到来，许多新的应用将得益于NVMe和西部数据3DNANDSSD提供的出色性能、功效和容量，从而提供卓越的用户体验。Samsung berencana untuk mulai menggantikan 30 nm 32 Gb NAND kelasnya chip flash dengan garis penuh 20 nm NAND chip kelas 32 Gb untuk produk moviNAND masa akhir tahun ini.
三星电子计划今年晚些时候开始全线的20纳米级32GBNAND芯片取代其30纳米级32GBNAND闪存芯片，为未来的moviNAND产品。Produk baru ini juga menawarkan kinerja dengan level performa yang lebih tinggi, yang tidak dapat dicapai oleh Triple Level Cell( TLC)3 D NAND SSD tradisional masa kini dan melenyapkan kebutuhan untuk perangkat penyimpanan sekunder.
新產品還提供了當今傳統TripleLevelCell(TLC)3DNANDSSD無法滿足的更高效能，並且減少對於第2顆資料儲存設備的需求。Seniman Prancis Nadine Le Prince, pada 1999 membeli Nand Lal Devra Haveli yang dibangun pada 1802( sekarang dikenal sebagai Nadine Le Prince Cultural Centre) dan dengan susah payah mengembalikannya seperti saat masa kejayaannya di kota Fatehpur.
年，法国艺术家那丁·勒·皮里斯购买了建于1802的豪宅“NandLalDevraHaveli”（现在称为那丁·勒·皮里斯文化中心），并煞费苦心地重现了它当年在法特普尔城的奢华。Paket 12 GB memiliki empat chip 24 GB( 3 GB) dengan eUFS 3.0 NAND dan paket 10 GB menggabungkan dua chip 24 GB( 3 GB) dengan dua chip 16 GB( 2 GB) dan eUFS 3.0 NAND.
GB封装具有四个带有eUFS3.0NAND的24Gb（3GB）芯片，而10GB封装则包含两个24Gb（3GB）芯片和两个16Gb（2GB）芯片以及eUFS3.0NAND。Seniman Prancis Nadine Le Prince, pada 1999 membeli Nand Lal Devra Haveli yang dibangun pada 1802( sekarang dikenal sebagai Nadine Le Prince Cultural Centre) dan dengan susah payah mengembalikannya seperti saat masa kejayaannya di kota Fatehpur.
在1999年，法国艺术家NadineLePrince买下了1802年建造的NandLalDevra宫殿(现在被称为NadineLePrinceCulturalCentre)，而且煞费苦心恢复了它往日在法塔赫布尔镇上的荣耀。Seniman Prancis Nadine Le Prince, pada 1999 membeli Nand Lal Devra Haveli yang dibangun pada 1802( sekarang dikenal sebagai Nadine Le Prince Cultural Centre) dan dengan susah payah mengembalikannya seperti saat masa kejayaannya di kota Fatehpur.
年，法國藝術家那丁·勒·皮里斯（NadineLePrince）購買了建於1802的豪宅「NandLalDevraHaveli」（現在稱為那丁·勒·皮里斯文化中心），並煞費苦心地重現了它當年在法特普爾城（Fatehpur）的奢華。Menggunakan memori flash yang mendukung fitur ReadyBoost(perangkat memori NAND) untuk melakukan caching mengizinkan Windows Vista dan Windows Server 2008 untuk melakukan pembacaan disk secara acak dengan performa yang umumnya 80 hingga 100 kali lebih cepat ketimbang hard disk tradisional biasa.
使用支持ReadyBoost的闪存（NAND存储）设备作为缓存，可以使WindowsVista或者Windows7中的随机磁盘读取性能原则上较传统的硬盘提高80-100倍。
