한국어에서 트랜지스터가 을 사용하는 예와 영어로 번역
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년 트랜지스터가 발명되었다.
이 증폭기에는 NPN 트랜지스터가 사용되기….
년 트랜지스터가 발명되었다.
그러므로 외부 전력 트랜지스터가 필요하지 않다.
트랜지스터가 발명된 1948년부터 시작됐다.
따라서 노멀리-오프 박막 트랜지스터가 획득될 수 있다.
N-p-n 트랜지스터가 회로에 추가된다.
액세스 제어에는 2 개의 추가 트랜지스터가 필요합니다.
트랜지스터가 시냅스보다 대략 1만 배나 더 많습니다.
이 저항은 트랜지스터가 꺼져있을 때 Q1의 컬렉터를 끌어옵니다.
CMOS 기술에는 PMOS와 NMOS의 두 가지 유형의 트랜지스터가 필요합니다.
CMOS에서는 하나의 트랜지스터가 논리 상태를 유지하고 있을 때, 거의 전력이 소모되지 않는다.
따라서, 온/오프 비율이 높은 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다.
LSI (large-scale integration)는 수천 개의 트랜지스터가 들어있는 마이크로칩을 의미한다.
Apple의 새로운 [A13 Bionic] 칩에는 85 억 개의 트랜지스터가 포함되어 있습니다.
이 스마트폰의 성능을 두 배로 늘리려면 약 60억 개의 트랜지스터가 필요하게 된다.
만 개의 트랜지스터가 집적된 66MHz 펜티엄 프로세서가 출시되고 수퍼스칼라 기술이 발표됨.
우리는 창고, 그것에 있는 10 수천 트랜지스터가 대부분의 품목의 리드타임을 삭감할 수 있었다 이상의 유지합니다.
반대로, 트랜지스터가 꺼지면, 그것은 열려있는 스위치처럼 동작합니다: 전혀 전류가 흐르지 않습니다.
NAND 메모리는 리토그래피의 벽에 근접해가고 있는데 이는 트랜지스터가 더는 작아질 수 없어졌음을 의미한다.
트랜지스터가 미세화되는 경우에, 단채널 효과(short channel effect)의 다른 문제가 일어난다.
특히, c축이 배향된 결정을 사용하면 트랜지스터가 안정적인 전기적 특성을 가질 수 있다.
트랜지스터(804 및 808) 각각으로서, 고순도화된 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터가 이용되었다.
일부 실시예에서, 2개의 인접한 트랜지스터가 공통의 SPW를 가지지 않는 경우, 이들은 서로 독립적으로 바이어스될 수 있다.
탄소 nanotube 트랜지스터가 1 일 그들의 실리콘 전임자를 대체할 것이라는 점을 과학자와 기업 전문가는 오래 사색했습니다.
년에는, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터가 발명되고, 그 전기 특성이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조).
트랜지스터가 작아지고 그 사이의 공간도 작아지면서 트랜지스터를 서로 물리적으로 분리시키기가 갈수록 더 어렵습니다.
그러므로 여러 종류의 트랜지스터가 트랜지스터들에 필요한 기능들에 따라 배치될 때, 포토센서의 성능이 개선될 수 있다.
트랜지스터가 충분히 빠르게 on / off되는 경우, 전구에 대한 전력은 가변 저항으로 제어되는 것처럼 부드럽게 변할 수 있습니다.
먼저 고효율의 경우,내장된 출력 트랜지스터가 로옴의 독자적인 Super Junction MOSFET (이하, SJ MOSFET)인 것이 키 포인트입니다.