플래시 메모리는 영어 뜻 - 영어 번역 S

한국어에서 플래시 메모리는 을 사용하는 예와 영어로 번역

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플래시 메모리는 매우 흥미 롭습니다.
Flash memory is very interesting.
높은 비용에도 불구하고 플래시 메모리는 점점 더 대량 저장응용들에서 사용되고 있다.
In spite of the higher cost, flash memory is increasingly being used in mass storage applications.
플래시 메모리는 EEPROM의 한 종류.
Flash memory is a type of EEPROM.
보다 높은 비용에도 불구하고, 플래시 메모리는 대용량 저장 용례에 점증적으로 사용되고 있다.
In spite of the higher cost, flash memory is increasingly being used in mass storage applications.
플래시 메모리는 ROM의 일종인.
FLASH is a type of ROM memory.
HHSL-101 의 내부 플래시 메모리는 32,000 데이터 포인트를 저장할 수 있는 큰 저장 공간이 있습니다.
The HHSL-101 has internal flash memory that is large enough to store up to 32,000 data points.
플래시 메모리는 그러나 램 대용으로 사용할 수는 없다.
Flash memory can't be used as RAM.
USB 불도저 플래시 드라이브가 내장되는 플래시 메모리는 이동 중에도 데이터를 저장할 수 있습니다.
USB Bulldozer Flash Drive is built-in flash memory lets you store your data on the go.
플래시 메모리는 EEPROM의 한 종류.
Flash memory is a specific type of EEPROM.
자기 디스크 저장장치에 비해 높은 가격에도 불구하고, 플래시 메모리는 대량 저장 애플리케이션들에서 점점 더 사용되고 있다.
In spite of the higher cost, flash memory is increasingly being used in mass storage applications.
플래시 메모리는 데이터 저장의 전체 개념을 변경했다.
Flash memory has changed the entire concept of data storage.
서버와 PC의 주요 메모리인 램(RAM)과는 달리, 플래시 메모리는 전원이 제거된 뒤에도 지속적이다.
Unlike RAM, the main memory in servers and PCs, flash memory is persistent even when power is removed.
플래시 메모리는 컴퓨터 메모리(DRAM)와 다른 기술을 사용합니다.
Flash memory uses different technology from computer memory(DRAM).
W29N02GVSIAA W29NO2GV {2g 조금 낸드 플래시 메모리는 한정된 공간을 묻힌 체계, 핀을 저장 해결책을 제공합니다.
W29N02GVSIAA W29NO2GV{2g bitNAND flash memory provides storage solutions for embedded systems with limited space, pins.
플래시 메모리는 10,000번까지 반복하여 다시 프로그래밍하는 것이 가능하다.
It is thought that flash memory can be rewritten 10,000 times.
SSD가 새 것일 때 그 내부의 NAND 플래시 메모리는 이미 지워져 있는 상태로 말하자면, 사용자는 깨끗한 슬레이트로 시작하는 것이다.
When an SSD is new, the NAND flash memory inside it has been pre-erased; Users start with a clean slate, so to speak.
플래시 메모리는 NOR 플래시와 NAND 플래시 두 종류가 있다.
Two types of flash memory are NOR flash and NAND flash..
NAND NAND 플래시 메모리 NAND 플래시 메모리는 저장된 데이터를 유지하기 위한 전력소비가 필요 없습니다.
NAND Flash Memory The NAND flash memory is a type of non-volatile storage technology that does not require any power to retain data.
플래시 메모리는 1984년 당시 도시바에서 근무하고 있던 마스오카 후지오 박사가 발명했다.
Flash memory was invented by Dr. Fujio Masuoka while working for Toshiba in 1984.
비록 플래시 메모리가 EPROM과 EEPROM의 많은 특성을 공유하지만,현 세대의 플래시 메모리는 소거 동작이 블록 단위로 이행된다는 점에서 차이가 있다.
Although flash memory shares many characteristics with EPROM andEEPRbM, the current generation of flash memory differs in that erase operations are done in blocks.
NAND 형 플래시 메모리는 대용량의 데이터 기억용으로 한다.
By contrast, NAND flash memory chips retain massive amounts of such data.
비휘발성 메모리(124), 예를 들어,NAND 플래시 메모리와 같은 플래시 메모리는 데이터가 요구될 때 액세스되어 판독될 수 있도록 데이터를 저장하기 위해 배열된다.
Non-volatile memory 124, e.g.,flash memory such as NAND flash memory, is arranged to store data such that data may be accessed and read as needed.
내장 USB 플래시 메모리는 컴퓨터와 연결되지 않은 장소에서도 (현재) 보이는 곳이라면 어디서든 발견 할 수 있습니다.
Built-in USB flash memory can be found anywhere today, even in places that are not(seemingly) connected with computers.
이 모델은 Qualcomm Snapdragon 845 프로세서를 기반으로 조립되며 RAM은 4GB이고 내장 플래시 메모리는 64GB입니다.
The model is assembled on the basis of the Qualcomm Snapdragon 845 processor. The RAM is 4 GB and the built-in flash memory is 64 GB.
플래시 메모리는 일반적으로 NOR 플래시 및 NAND 플래시로 공지된 2개의 기본 구조들 중 하나를 사용한다.
Flash memory typically utilizes one of two basic architectures known as NOR Flash and NAND Flash..
내구성 플래시 스토리지 장치에 있는 모든 NAND 플래시 메모리는 NAND 플래시 블록이 더 이상 저장된 데이터를 의존하지 않을 때까지 NAND 플래시 메모리 셀의 모든 프로그램 또는 지우기(P/E) 주기로 데이터 비트를 안정적으로 보관하는 기능을 저하시킵니다.
All NAND Flash memory contained in Flash storage devices degrade in their ability to reliably store bits of data with every program or erase(P/E) cycle of a NAND Flash memory cell until the NAND Flash blocks can no longer reliably store data;
플래시 메모리는 비 이동할 수 있는 자료 기억 장치를 제안한 힘이 제거된 후에 그것의 자료를 유지하는 비휘발성 기억 장치 장치이다.
Flash memory is a non-volatile memory device that retains its data after the power is removed offering non removable data storage….
연구팀이 제작한 플래시 메모리는 10V 이하의 프로그래밍 전압과 10년 이상의 데이터 유지시간을 갖는 동시에 2.8%의 기계적 변형률에도 메모리 성능을 유지했다.
The KAIST team produced flash memory with programming voltages around 10 V and a projected data retention time of over 10 years, while maintaining its memory performance even at a mechanical strain of 2.8%.
따라서, 플래시 메모리는 데이터 유지 시간이 극도로 길어지며(거의 영구적) 휘발성 저장 장치 내에서 필요한 리프레시 동작이 요구되지 않는다는 점에 있어서 장점들을 가진다(예를 들어, 특허 문헌 1을 참조) Therefore, flash memory has advantages in that the data holding time becomes longer extremely do (substantially permanently) not require the refresh operation required in the volatile storage device (see e.g., Patent Document 1).
Therefore, a flash memory has advantages in that the data storing time is extremely long(almost permanent) and refresh operation which is necessary in a volatile memory device is not needed(e.g., see Patent Document 1).
보드상의 플래시 메모리는 대용량 저장 장치로 사용되도록 의도한 것이고, sunXi 기반 시스템에서 두 가지 형태가 있습니다.
Onboard flash memory intended to be used as a mass storage device generally exists in two basic variants on sunXi-based systems.
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한국어 문장에서 "플래시 메모리는"를 사용하는 방법

플래시 메모리는 하드디스크 역할을 하는 것이다.
도 1에 도시된 플래시 메모리는 하나이다.
USB 플래시 메모리는 이스라엘에서 처음 나왔다.
플래시 메모리는 휴대전화와 무인 자동차에 필수 요소다.
플래시 메모리는 데이터센터의 엔터프라이즈 스토리지를 획기적으로 변화시켰습니다.
플래시 메모리는 램이 아니고 보조 기억 장치의 일종이다.
즉, 플래시 메모리는 셀을 비워버리면 끝난다고 보시면 됩니다.
플래시 메모리는 노어 플래시를 사용하고 4MB라고 가정을 할게요.
노어 플래시 메모리는 부트로더 없이 메인 바이너리만 있으면 되지만 낸드 플래시 메모리는 반드시 부트로더가 필요하답니다.
데이터 로거의 비휘발성 플래시 메모리는 조사된 그리드들을 기억해 둡니다.

영어 문장에서 "flash memory"를 사용하는 방법

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Maximum USB/SD Flash Memory Support: 32GB.
Flash memory for future electronics upgrades.
Also, flash memory has limited writes.
Flash memory and passive cooling concept.
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단어 번역에 의한 워드

S

의 동의어 플래시 메모리는

플래시 메모 flash memory 플래쉬 메모리

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