ガリウム砒素 Meaning in English - translations and usage examples

• gallium arsenide

Examples of using ガリウム砒素 in Japanese and their translations into English

ガリウム砒素ウェハ製品。
Gallium Arsenide Wafer Products.

GaAs（ガリウム砒素）ウエハース。
GaAs(Gallium Arsenide) Wafers.

ガリウム砒素ウェーハ、P/P。
Gallium Arsenide wafers, P/P.

ガウス（ガリウム砒素）ウェーハ。
GaAs(Gallium Arsenide) Wafers.

主にガリウム砒素に適用されます(GaAsの)半導体用(マイクロチップ)そして、のGa2O3の製造。
Mainly applied to Gallium arsenide(GaAs) for semiconductor(Microchip) and manufacturing of Ga2O3.

N32および4N33はガリウム砒素赤外線LEDおよびケイ素のphotodarlingtonセンサーが付いている光学的につながれたアイソレーターです。
The 4N32 and 4N33 are optically coupled isolators with a Gallium Arsenide infrared LED and a silicon photodarlington sensor.

ガリウム砒素の用途は様々であり、LED/LED、電界効果トランジスタ（FET）、集積回路（IC）に使用されることを含む。
The uses of Gallium arsenide are varied and include being used in LED/LD, field-effect transistors(FETs), and integrated circuits(ICs).

このチップは、比較的長い波長の赤外スペクトルで動作するインジウムガリウム砒素（InGaAs）を使用し、より高い出力およびより長い範囲を可能にする。
The chip uses indium gallium arsenide(InGaAs), which operates in the infrared spectrum at a relatively long wavelength that allows for higher power and longer ranges.

インジウム・ガリウム砒素(InGaAs)センサーは、SWIRイメージングで使用される主要なセンサーで、代表的なSWIR領域をカバーしますが、550nm(最低)~2.5μm(最高)の範囲で拡張できます。
Indium gallium arsenide(inGaAs) sensors are the primary sensors used in SWIR imaging, covering the typical SWIR range, but can extend as low as 550nm to as high as 2.5μm.

WSCで総合優勝したのは、高価なガリウム砒素太陽電池を使用したチーム。しかし、ガリウムも砒素も廃棄する時に環境に悪影響を与えます。
The team that became the comprehensive champion of the WSC had used expensive gallium arsenide solar battery, and both gallium and arsenic harm the environment when disposed.

さらに、寒川教授のグループの肥後昭男助教は、ナノスケールドライエッチングと有機金属気相エピタキシー法による再成長を利用して作製したガリウム砒素量子ナノディスクLEDの室温動作について発表した。
And Akio Higo, an assistant professor from Samukawa's group, presented research into the room-temperature operation of gallium arsenide quantum nanodisk light-emitting diodes fabricated using a technique called dry nanoscale etching and regrowth by metal organic vapor-phase epitaxy.

このミキサーはガリウム砒素（GaAs）金属半導体電界効果トランジスタ（MESFET）プロセスを使用して製造されており、外付け部品やマッチング回路は不要です。
This mixer is fabricated in a gallium arsenide(GaAs), metal semiconductor field effect transistor(MESFET) process and requires no external components or matching circuitry.

ガリウム砒素と合金化されており、インジウムガリウム砒素を形成する。インジウムガリウム砒素は、In/Ga比に依存するバンドギャップを有する材料であり、インジウム窒化ガリウムを生成するために窒化インジウム窒化物を合金化することに主に類似した方法である。
Alloyed with gallium arsenide it forms indium gallium arsenide- a material with band gap dependent on In/Ga ratio, a method principally similar to alloying indium nitridewith gallium nitride to yield indium gallium nitride.

研究者は、ガリウム砒素の"スピントロニクス"デバイス出力を行い、あなたには、いくつかの所望の方向にスピンを準備した場合、あなたはそれがやりたい最後の点は、それが動いている時にいくつかの他のスピンに反転することです。
Researchers make‘spintronic' devices out of gallium arsenide, and if you have prepared a spin in some desired orientation, the last thing you would want it to do is to flip to some other spin when it's moving.”.

研究·試作は、シリコンシリーズに加えて、太陽電池であった、硫化カドミウム、ガリウム砒素、銅インジウムセレンと枚挙にいとまがない太陽電池、他の多くの種類があり、次のようなより一般的な太陽のほんの一部です細胞。
Research and trial production has been the solar cell, in addition to silicon series, there are cadmium sulfide, gallium arsenide, copper indium selenium and many other types of solar cells, too numerous to mention, the following are a few of the more common solar cells.

高周波デバイスに使用されるGaAs(ガリウム砒素)などの化合物半導体は、従来のダイヤモンドブレードを使用したダイシング(以下:ブレードダイシング)では送り速度が遅く、高い生産性を得ることは困難でした。
Compound semiconductors, such as GaAs(Gallium Arsenide), are used in high frequency devices. When blade dicing compound semiconductors with an existing diamond blade, the feed speed is slow and high productivity is difficult to obtain.

例えばLED用途には特性に応じて基板にサファイア、シリコンカーバイト（SiC）、ガリウム砒素（GaAs）、ガリウム燐(GaP)、窒化ガリウム（GaN）などが用いられ、デバイス機能を作るために基板上に薄膜（エピタキシャル層）が形成されます。
For example, Sapphire, Silicon Carbide(SiC), Gallium Arsenic(GaAs), Gallium Phosphorus(GaP) and Gallium Nitride substrate are being used according to LED application characteristics and thin deposition(epitaxial layer) is formed on substrate in order to produce device function.

ITR817（スロットオプティカルスイッチ）はプラスチックハウジングのケイ素のフォトトランジスターとつながれるガリウム砒素の赤外線出るダイオードです。
The ITR817(Slot Optical Switch) is a gallium arsenide infrared emitting diode which is coupled with a silicon phototransistor in a plastic housing.

新しいガリウム砒素（GaAs）ベースのRFPAは、前世代に比べて最大20％低いピーク電力を消費するように設計されています。
The new Gallium Arsenide(GaAs) based RF PAs are designed to consume up to 20% lower peak power compared to their predecessors.

加うるに、黒色シリコンイメージセンサは、夜光条件下においてコスト高のインジウム-ガリウム砒素イメージセンサで見受けられる信号対雑音比の８倍以上を有する場合がある。
In addition, a black silicon image sensor may have over eight times the signal to noise ratio found in costly indium-gallium arsenide image sensors under night sky conditions.

最初は特に今、赤外光からなる半導体ガリウム砒素発光ダイオードアレイを使用することであること、発光アレイ集積チップLEDアレイの新技術の開発と生産の使用。
The first is the use of semiconductor gallium arsenide light-emitting diode array consisting of infrared light, especially now that the use of new technology development and production of light-emitting array integrated chip LEDArray.