T18D5BP-002 is a color active matrix TFT LCD module using amorphous silicon TFT's(Thin Film Transistors) as an active switching devices.
일부 전기 제품에서, 회로 및/또는 회로 요소는 박막 트랜지스터(Thin-Film Transistor; TFT) 기술을 이용하여 시행될 것이다.
In some electronics applications, circuits and/or circuit elements may be implemented using thin-film transistor(TFT) technology.
TFT의 LCD는 IPS-LCD는 TFT LCD는 시야각 및 전력 소비를 개선하면서, 화질을 개선하기 위해 박막 트랜지스터 기술을 사용한다.
TFT LCDs use the thin-film transistor technology to improve image quality, while IPS-LCDs improve on the viewing angles and power consumption of TFT LCDs.
박막 트랜지스터 액정 디스플레이(TFT-LCD) 기술은 약 10여 년 전 디스플레이 기술을 선도했던 브라운관(CRT)을 대체했습니다.
Thin-film-transistor liquid crystal display(TFT-LCD) technology replaced cathode ray tube(CRT) as the primary leader of display technology approximately ten years ago.
우리의 기억 장치 디자인 이하 50 nm기술 마디를 위해 가능하, 해결합니다 박막 트랜지스터와 책임 함정 섬광과 관련되었던 일반적인 중요한 문제를.
Our memory design is feasible for thesub-50 nm technology node, and solves the usual critical problems associated with thin film transistors and charge trap flash.".
특히, BT 시험 전과 시험 후 사이의 박막 트랜지스터의 임계 전압의 변화량은, 신뢰성을 검사하기 위한 중요한 지표가 된다.
In particular, the amount of shift in threshold voltage of the transistor between before and after the BT test is an important indicator for examining reliability.
파워 MOSFET 및 박막 트랜지스터는 도 7의 A 내지 C 및 도 8의 A 및 B에 대략 동일한 스케일로 나타내지만, 이러한 스케일은 이해를 용이하게 하기 위한 것이고, 실제 크기의 관계를 규정하지는 않는다.
Although the power MOSFET and the thin film transistor are shown on approximately the same scale as A to C of Fig. 7 and A and B of Fig. 8, this scale is for the sake of understanding and does not define the actual size relationship.
특히, BT 시험 전과 시험 후 사이의 박막 트랜지스터의 임계 전압의 변화량은, 신뢰성을 검사하기 위한 중요한 지표가 된다.
In particular, the amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the GBT stress test is an important index for examining reliability.
또한, 제 1 산화물 반도체막이 대량의 산소를 함유할 때, 오프 전류량이 감소될 수 있고; Further, when the first oxide semiconductor film contains a large amount of oxygen,the off current can be reduced; 따라서, 온/오프 비율이 높은 박막 트랜지스터가 제공될 수 있다.
Moreover, when the first oxide semiconductor film is formed in an atmosphere which contains a large amount of oxygen,the amount of off current can be reduced; therefore, a thin film transistor with a high on/off ratio can be provided.
예를 들어, +BT 시험을 행한 박막 트랜지스터에 -BT 시험을 행하면, 먼저 행한 +BT 시험의 영향에 의해, -BT 시험의 결과를 올바르게 평가할 수 없다.
For example, if a-BT test is performed on a thin film transistor that has already been subjected to the+ BT test, the result of the-BT test can not be correctly evaluated because of the influence of the+ BT test performed earlier.
박막 트랜지스터에 의한 피전사층(4)의 형성은, 예를 들면, 일본 특공평2-50630호 공보나, 문헌: H. Ohshima et al: International Symposium Digest of Technical Papers SID 1983 ” B/W and Color LC Video Display Addressed by Poly Si TFTs”에 기재된 방법에 따라서 행할 수 있다.
The transferred layer 4 including thin film transistors is formed by, for example, the methods described in Japanese Patent Publication No. 2-50630, and H. Ohsima et al.: International Symposium Digest of Technical Papers SID 1983“B/W and Color LC Video Display Addressed by Poly Si TFTs”.
예를 들어, 이미 +BT 시험을 수행한 박막 트랜지스터에 대해 -BT 시험을 수행하면, 앞서 수행한 +BT 시험의 영향으로 인해, -BT 시험 결과가 올바르게 평가될 수 없다.
For example, if a-BT test is performed on a thin film transistor that has already been subjected to the+ BT test, the result of the-BT test can not be correctly evaluated because of the influence of the+ BT test performed earlier.
액정표시장치에 대표되는 것과 같이, 유리 기판 등의 평판에 형성되는 박막 트랜지스터는, 아모퍼스 실리콘, 다결정 실리콘에 의해 제조되어 있다., As typified by a liquid crystal display device, thin film transistors formed on a flat plate such as a glass substrate, is prepared by amorphous silicon, polycrystalline silicon.
As typically seen in a liquid crystal display device, a thin film transistor formed over a flat plate such as a glass substrate is manufactured using amorphous silicon or polycrystalline silicon.
실시형태 2 내지 실시형태 9에 기술된 상기 박막 트랜지스터들 중 임의의 것이 상기 박막 트랜지스터들(4010, 4011)의 각각으로서 적절하게 사용될 수 있으며, 동일한 프로세스 및 동일한 재료를 사용하여 형성될 수 있다.
Any one of the thin film transistors described in Embodiment Modes 2 to 9 can be suitably used as each of the thin film transistors 4010 and 4011 and can be formed using the same process and the same material.
열적 안정성과 치수 안정성을 갖춘 Lotus NXT Glass는 저온 폴리실리콘(Low Temperature Poly Silicon)이나 산화 박막트랜지스터(Thin Film Transistor) 백플레인을 채택한 OLED와 고화질 LCD 제조 공정에서 뛰어난 성능을 발하도록 조성되었습니다.
Thermally and dimensionally stable, Lotus NXT Glass is formulated to perform exceptionally well in OLED and high-resolution LCD manufacturing processes that use either low-temperature poly-silicon(LTPS) or oxide thin-film transistor(TFT) backplanes.
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How to use "박막 트랜지스터" in a Korean sentence
가요성 기판(30)은 박막 트랜지스터 어레이를 포함한다.
를 포함하는 박막 트랜지스터 기판의 금속배선 형성방법.
보호막은 박막 트랜지스터 및 광 다이오드를 덮는다.
평판 디스플레이는 비교적 새로운 박막 트랜지스터 디스플레이를 포함한다.
기판 위에 박막 트랜지스터 및 발광 소자를 형성한다.
본 발명의 박막 트랜지스터 기판의 금속배선 형성방법은 다음과 같다.
상기 투명 도전막 패턴은 IZO로 이루어진 박막 트랜지스터 기판.
도 4a에 도시된 바와 같이 가요성 기판 상에 박막 트랜지스터 어레이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판(230)을 마련한다.
본 발명은 또한 상기 박막 트랜지스터 기판을 포함하는 액정표시장치를 제공한다.
이하 본 발명의 박막 트랜지스터 기판의 예를 보다 구체적으로 설명한다.
How to use "thin film transistor, thin-film transistor" in an English sentence
Thin Film Transistor circuit such as an OFET.
A thin film transistor monitor will display much better quality images.
All new TFT( Thin Film Transistor ) instrument panel.
thin film transistor liquid crystal display?
A 12-inch Thin Film Transistor screen replaces the usual instrument cluster.
The thin film transistor 305 is formed by the foregoing processes.
The thin film transistor - A late flowering bloom .
Thus, the thin film transistor is complete.
The peripheral circuit comprises n-type and p-type complementary thin film transistor pair.
For example, either a top-gate thin film transistor or a bottom-gate thin film transistor may be used.
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