ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР на Английском - Английский перевод

• semiconductor laser

Примеры использования Полупроводниковый лазер на Русском языке и их переводы на Английский язык

Тип полупроводниковый лазер GaAs/ GaAlAs.
Type Semiconductor laser GaAs/GaAlAs.

Система обнаружение сигнала: бесконтактное оптическое считывание полупроводниковый лазер.
Signal Detection System: Non-contact optical pickup semiconductor laser.

Тип: полупроводниковый лазер InGaAIP( DVD), AIGaA CD.
Type: Semiconductor laser InGaAIP(DVD), AIGaAs CD.

После интенсивных исследований в период с 1975 по 1980 год появилась первая коммерческая волоконно-оптическая система, оперировавшая светом с длиной волны, 8 мкм и использовавшая полупроводниковый лазер на основе арсенида галлия GaAs.
After a period of research starting from 1975, the first commercial fiber-optic communications system was developed which operated at a wavelength around 0.8 µm and used GaAs semiconductor lasers.

Полупроводниковый лазер будет поврежден в случае перегрева.
The semiconductor laser will be damaged if it overheats.

В эксперименте использовали полупроводниковый лазер ЛС-, 97(« ИРЭ- Полюс», Россия) с длиной волны излучения, 97 мкм и максимальной мощностью 11 Вт.
LS-0.97(IRE-Polus, Russia) semiconductor laser with 0.97 μm wavelength and 11 W maximal power was used in the experiment.

Полупроводниковый лазер будет поврежден, если он перегреется.
The semiconductor laser will be damaged if it overheats.

Лазер на квантовых точках- полупроводниковый лазер, который использует в качестве активной лазерной среды квантовые точки в их излучающей области.
A quantum dot laser is a semiconductor laser that uses quantum dots as the active laser medium in its light emitting region.

Лазер Лазер: Полупроводниковый лазер видимого диапазона, длина волны 650 нм Вывод: 1 мВт или меньше( Класс II* 2) Точность измерений( повторяемых)* 3± 1, 5 мм Время измерения* 4 от, 5 до 3 с.
Laser Laser: Visible light semiconductor laser 650 nm Output: 1 mW or less(Class II *2) Measuring accuracy(repeated) *3±1.5 mm Measuring time *4 0.5 to 3 sec.

BF- 6800 следующее поколение из семейства гематологических анализаторов серии BF использует полупроводниковый лазер для проточной цитометрии в сочетании с техникой цитохимического окрашивания для обеспечения точного результата при дифференцировании лейкоцитов на 5 субпопуляций.
BF-6800 is a five-part differential fully automatic hematology analyzer, adopting semiconductor laser flow cytometry combined with cytochemical staining technique to ensure accurate results.

Лазер Полупроводниковый лазер Длина волны 650 нм и 780 нм.
Laser Semiconductor laser Wavelength 650 nm and 780nm.

Ключевые слова: полупроводниковый лазер 1470 нм; полупроводниковый лазер 810 нм; коагуляция; вапоризация.
Keywords: 1470 nm semiconductor laser; 810 nm semiconductor laser; coagulation; vaporization.

При цене$ 5 за полупроводниковый лазер и$ 15 за сенсор суммарная стоимость микроскопа не превысит$ 100 с учетом модулей для передачи данных на компьютер или в Интернет.
With 5$ for a semiconductor laser and 15$ for a sensor an integrated cost of the microscope will not exceed 100$ taking into account module for data transfer to computer or Internet.

В качестве примера можно привести одномодовый полупроводниковый лазер с номинальной выходной оптической мощностью в 300 миливатт и длиной волны в 780 нанометров, который будучи подключен к управляющему электронному модулю, работающему в радиочастотном диапазоне( 100 мегагерц) на пике импульса длительностью в 10 наносекунд, повторяющемся каждые 10 наносекунд, показал выходную оптическую мощность равную 3, 1 ваттт в течении 72 часов.
As an example, a single-mode semiconductor laser with a nominal output optical power of 300 mw and a wavelength of 780 nanometers, which is being connected to the control electronics module, working in radio frequency(100 MHz) at the peak of the pulse duration of 10 ns, repeated every 10 nanoseconds, showed the output optical power is equal to 3.1 watt within 72 hours.

Оценку действия полупроводниковых лазеров осуществляли в контактном непрерывном режиме.
The assessment of semiconductor laser operation was made in the contact continuous mode.

Перегрев полупроводникового лазера приведет к его выходу из строя.
The semiconductor laser will be damaged if it overheats.

Полупроводниковые лазеры, электронный транспорт в наноструктурах, нелинейные явления в полупроводниках, графен.
Semiconductor lasers, electronic transport in nanostructures, nonlinear phenomena in semiconductors, graphene.

Исследование характеристик полупроводниковых лазеров Доцент Коваль О.
Investigation of the semiconductor laser characteristics Associated-Professor Koval' O.I.

Мимз написал несколько технических пособий по полупроводниковым лазерам и светодиодам.
Mims also wrote technical books on semiconductor lasers and light-emitting diodes.

Светодиоды и полупроводниковые лазеры.
Light-emitting diodes and semiconductor lasers.

Й Белорусско- Российский Семинар" ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ И СИСТЕМЫ НА ИХ ОСНОВЕ.
The 11th Belarusian-Russian Workshop"SEMICONDUCTOR LASERS AND SYSTEMS.

Драйвер тока накачки представляет собой разрядный контур, состоящий из накопительной емкости C1+ C2, полупроводникового лазера L1 и пары динисторов VS1 и VS2.
The pumping current driver is a discharge circuit consisting of a storage container C1+C2, a semiconductor laser L1, and a pair of dinisters VS1 and VS2.

С точки зрения практического применения, история развития полупроводниковых лазеров- это в значительной степени история борьбы за снижение их порогового тока, при котором начинается лазерная генерация.
In terms of practical applications, the history of the semiconductor lasers development is largely the history of combatting their threshold currents to reduce the laser generation threshold.

Появилась возможность производить лазеры на квантовых точках для работы на таких длинах волн, на которых ранее сделать это не представлялось возможным с использованием прежних технологий полупроводниковых лазеров.
This allows quantum dot lasers to be fabricated to operate at wavelengths previously not possible using semiconductor laser technology.

Лэнг является автором и соавтором более 80 публикаций по полупроводниковым лазерам, оптике, и микросхемной оптоэлектронике, и обладает 46 патентами в данных областях.
Lang has authored or co-authored over 80 publications on semiconductor lasers, optics, and integrated optoelectronics, and holds 46 patents in these fields.

Полупроводниковые лазеры очень компактны, накачиваются электрическим током, что позволяет использовать их в бытовых устройствах, таких как проигрыватели компакт-дисков.
Semiconductor lasers are typically very small, and can be pumped with a simple electric current, enabling them to be used in consumer devices such as compact disc players.

Лазеротерапия- это метод лечения с применением газовых и полупроводниковых лазеров, испускающих свет в очень узком спектральном диапазоне в виде направленного высококогерентного, монохроматического, поляризованного луча.
Laser therapy is a method of treatment applying gas and semiconductor lasers which let out light in a very narrow spectral range in the form of the directed high-coherent, monochromatic, polarized beam.

Лазерные источники: фемтосекундный Ti- Sa лазер, импульсный лазер с модуляцией добротности Nd- YAG, He- Cd лазеры, непрерывные Nd- YAG лазеры с удвоением гармоники, перестраиваемые по длине волны генерации He- Ne лазеры, полупроводниковые лазеры, работающие на различных длинах волн;
Laser sources, femtosecond Ti-Sa laser, impulse laser with Nd-YAG Q-modulation, He-Cd lasers, continuous Nd-YAG lasers with double harmonics, lasing wavelength tuned He-Ne lasers, semiconductor lasers with various wavelength;

Облучение осуществляли полупроводниковым лазером с длиной волны 661 нм в среднем через 4- 6 ч после введения препарата.
Radiation was produced by a semiconductor laser with wavelength 661 nm, on average 4-6 h after administration.

Аннотация: Рассматриваются процессы формирования, распространения и прохождения спирального волнового фронта излучения полупроводникового лазера через полупрозрачный объект с заданными дефектами.
Annotation: Processes of formation, propagation and penetration of spiral wave front of semi-conductor laser radiation through a translucent object with the given defects are considered.