Що таке SILICON TRANSISTORS Українською - Українська переклад

• кремнієві транзистори
• кремнієвих транзисторів

Приклади вживання Silicon transistors Англійська мовою та їх переклад на Українською

How to replace silicon transistors in metal?
Як замінити кремній металом в транзисторах?

Silicon transistors can't get much smaller and more efficient than they already are.
Кремнієві транзистори не можуть стати набагато менше і ефективніше, ніж вони вже є.

To get there, we can't rely on silicon transistors anymore.”.
Щоби дійти до цього, ми більше не можемо покладатися на кремнієві транзистори.”.

The professor himself is absolutely sure that such computer systems will be of much smaller size than the current ones, based on silicon transistors.
Сам професор абсолютно впевнений: подібні комп'ютерні системи стануть значно менше, ніж нинішні, в основу яких входять кремнієві транзистори.

In that year were born actually in fact the silicon transistors and mobile phone.
У тому ж році народилося насправді насправді кремнієві транзистори і мобільні телефони.

Thanks to advances in the replacement of silicon transistors, computers based on DNA promise to provide us a massive parallel computing architecture, is impossible at the presen….
Завдяки досягненням в області заміни кремнієвих транзисторів, комп'ютери на основі ДНК обіцяють надати нам масивні паралельні обчислювальні архітектури, неможливі в даний час.

Making carbon nanotube transistors that are better than silicon transistors is a big milestone.
Створення вуглецевих нанотрубок транзисторів, які перевершують кремнієві транзистори, є великою віхою.

Shockley gathered eight talented young researchers in his team who, after the death of their mentor, continued the business and established a successful production of silicon transistors.
Шоклі зібрав у себе в команді 8 талановитих молодих дослідників, які після смерті свого наставника продовжили справу та налагодили успішне виробництво кремнієвих транзисторів.

Circuits today are 2-D, since building conventional silicon transistors involves extremely high temperatures of over 1,000 degrees Celsius.
Сучасні схеми є двовимірними, адже створення звичайних силіконових транзисторів потребує екстремально високих температур- понад 1000 градусів Цельсія.

It is noteworthy that the frequency performance of the graphene device already exceeds the cut-off frequency of state-of-the-art silicon transistors of the same gate length(~ 40 GigaHertz).
Примітно, що робоча частота графенового елемента вже перевищує граничну частоту сучасних кремнієвих транзисторів з такою ж довжиною затвора(~ 40 ГГц).

For decades, computing speed has increased as silicon transistors have shrunk, but they're currently near their size limits.
Протягом десятиліть обчислювальна швидкість збільшувалася по мірі того, як кремнієві транзистори зменшувалися в розмірах, але в даний час ця динаміка майже досягла своєї межі.

Now, for the first time, University of Wisconsin- Madison materials engineers have created carbon nanotube transistors that outperform state-of-the-art silicon transistors.
Тепер, уперше, Університет Вісконсин-Медісон матеріалів інженери створили транзистори вуглецевих нанотрубок, що перевершують впроваджений кремнієвих транзисторів.

They are continuing to work on adapting their device to match the geometry used in silicon transistors, which get smaller with each new generation.
Вони продовжують працювати над адаптацією їх влаштування до геометрії використовуваного в кремнієвих транзисторів, які отримують менше з кожним новим поколінням.

To overcome that limitation, Reiskarimian implanted silicon transistors on the face of a CMOS chip in an arrangement that reroutes signals as they are captured by both the transmitter and the receiver in order to avoid interference.
Щоб подолати таке обмеження Реіскаріміан імплантував кремнієві транзистори на поверхні CMOS чіпу так, що вони перенаправляють сигнали, які фіксуються передавачем і приймачем, щоб уникнути інтерференції.

The researchers are continuing to work towards adapting their device to match the geometry applied in silicon transistors, which becomes smaller with each new generation.
Вони продовжують працювати над адаптацією їх влаштування до геометрії використовуваного в кремнієвих транзисторів, які отримують менше з кожним новим поколінням.

Reflecting on the first few years of development of silicon transistors, in 1965 Moore made a prediction that computing power would double roughly every eighteen- to twenty-four months for a given cost(I'm simplifying here).
Роздумуючи над першими кількома роками розробки кремнієвих транзисторів, в 1965 році Мур зробив прогноз, що обчислювальна потужність одиниці вартості буде подвоюватися згрубша кожні вісімнадцять- двадцять чотири місяці(я тут спрощую).

And each carbon nanotube transistor in this prototype can flip on and off about a million times each second, whereas silicon transistors can flicker billions of times per second.
І кожен вуглецевий нанотрубний транзистор в цьому прототипі може вмикатися і вимикатися близько мільйона разів на секунду, в той час як кремнієві транзистори можуть мерехтіти мільярди разів на секунду.

This achievement could enable carbon nanotube transistors to replace silicon transistors and consistently deliver the performance gains the computer industry depends on and that consumers demand.
Це досягнення може прокласти шлях для вуглецевих нанотрубок транзисторів, замінити кремнієві транзистори і продовжити постачати приріст продуктивності в комп'ютерній індустрії, і грунтується на тому, що попит споживачів.

Led by Michael Arnold and Padma Gopalan, UW-Madison professors of materials science and engineering, the team's carbon nanotube transistors achieved current that's 1.9 times higher than silicon transistors.
На чолі з Майклом Арнольдом і Падмою Гопаланом, професорами матеріалознавства й інженерії Університету Вісконсин-Медісон, вуглецевих нанотрубок транзисторів команди струму досягається це в 1, 9 рази вище, ніж у кремнієвих транзисторів.

By making carbon nanotube transistors that, for the first time, surpass state-of-the-art silicon transistors, the researchers have achieved a big milestone in nanotechnology.
Під час розробки транзисторів із вуглецевими нанотрубками, які вперше перевершили впроваджені кремнієві транзистори, дослідники відкрили велику віху в області нанотехнологій.

Engineer Eric Johnson, who works at the School of Engineering and Computer Science at the University of Texas, created a unique computer system based on carbon; he believes that in the near future, carbon can replace silicon transistors, which now work in modern gadgets.
Інженер Ерік Джонссон, що працює в Школі інженерних, комп'ютерних наук при Університеті Техасу, створив унікальну комп'ютерну систему, що працює на вуглецевій основі, він вважає, що в недалекому майбутньому вуглець здатний замінити кремнієві транзистори, які зараз працюють в сучасних гаджетах.

The team's breakthrough could pave the way for carbon nanotube transistors to replace silicon transistors, and is particularly promising for wireless communications technologies.
Прорив команди може прокласти шлях для вуглецевих нанотрубок транзисторів, щоб замінити кремнієві транзистори, і є особливо перспективним для бездротових комунікаційних технологій.

This advance could pave the way for carbon nanotube transistors to replace silicon transistors and continue delivering the performance gains the computer industry relies on and that consumers demand.
Це досягнення може прокласти шлях для вуглецевих нанотрубок транзисторів, замінити кремнієві транзистори і продовжити постачати приріст продуктивності в комп'ютерній індустрії, і грунтується на тому, що попит споживачів.

The inexorable advance in computing power over the past 50 years is largely thanks to the ability to make increasingly smaller silicon transistors, the three-pronged electrical switches that do the logical operations for computers.
Неймовірний прогрес в обчислювальній потужності протягом останніх п'ятдесяти років багато в чому обумовлений можливістю створювати більш дрібні кремнієві транзистори, трехзубцевие електричні вимикачі, які виконують логічні операції комп'ютера.

The first commercial silicon transistor was manufactured by Texas Instruments in 1954.
Перший кремнієвий транзистор виготовили в Texas Instruments у 1954.

The first commercial silicon transistor was produced by TexasInstruments in 1954.
Перший кремнієвий транзистор виготовили в Texas Instruments у 1954.

The researchers benchmarked their carbon nanotube transistor against a silicon transistor of the same size, geometry and leakage current in order to make an apples-to-apples comparison.
Дослідники протестували їх вуглецева нанотрубка транзистор проти кремнієвого транзистора того ж розміру, геометрії і струму витоку, щоб зробити порівняння яблук із яблуками.

Morris Tanenbaum et al. at Bell Laboratories[24] were the first to develop a working silicon transistor on January 26, 1954.
Morris Tanenbaum в Bell Laboratories були першими, хто розробив робочий кремнієвий транзистор 26 січня 1954 р.