Що таке НАПІВПРОВІДНИКОВИМИ Англійською - Англійська переклад

• semiconductor
• semiconducting

Приклади вживання Напівпровідниковими Українська мовою та їх переклад на Англійською

Лікування напівпровідниковими лазерами"Візерунок";
Treatment of semiconductor lasers«Pattern«;

Подвійні чіп ростуть вогні оснащені двома напівпровідниковими чіпами на один світлодіод замість одного.
Double chip grows lights are equipped with two semiconductor chips per LED instead of one.

Меланін відомий з 70-х років минулого століття як речовина, що володіє напівпровідниковими властивостями.
Melanin is known since the 70s of the last century as a substance possessing semiconducting properties.

Таким чином, може бути цікаво використовувати нанориббони з напівпровідниковими функціями в електроніці(наприклад, для менших, швидших комп'ютерних мікросхем).
Thereby, it could be interesting to use nanoribbons with semiconductor-like functions in electronics(e.g. for smaller, faster computer chips).

Особливо примітним є той факт, що нанотрубки можуть бути металевими або напівпровідниковими залежно від їх структури.
Especially notable is the fact that nanotubes can be metallic or semiconducting depending on their structure.

Електрони і дірки переміщуються у перехід між напівпровідниковими матеріалами і об'єднується для вивільнення енергії у вигляді фотонів.
The one-directional travel of electrons and electron holes flow into the junction between the semiconducting materials and combine to release energy in the form of photons.

Технічно вона представляє електронну плату з напаяними мікросхемами пам'яті і іншими напівпровідниковими приладами(опору, конденсатори і т. д.).
Technically it is the electronic Board with soldered memory chips and other semiconductor devices(resistors, capacitors, etc.).

У сучасних системах перетворення виконується з напівпровідниковими комутаційними пристроями, такими як діоди, тиристори та транзистори, які були започатковані Р. D.
In modern systems, the conversion is carried out with semiconductor switching devices, such as diodes, thyristors and transistors, initiated by R.D. D.

Coli, ті почали виробляти фотосинтезуючі речовини, після чого їх покрили напівпровідниковими матеріалами для виробництва електрики.
Coli bacteria, they began to produce photosynthetic substances, after which they were coated by semiconductor materials for the production of electricity.

Співавтор розробки нормативно-технічного документу"Технічні вимоги до рудникового вибухозахищеного електроустаткування з силовими напівпровідниковими приладами напругою до 1140 В".
Co-author of technical document"Specifications for mine explosion-proof electrical equipment with power semiconductors voltage up to 1140 V".

Цей витік в точці контакту між металевими і напівпровідниковими компонентами транзистора, так званого«бар'єру Шотткі», є небажаною характеристикою.
This leak at the point of contact between the metal and semiconducting components of a transistor, the“Schottky barrier,” is normally an undesirable characteristic of all transistors.

У 1955 році Рубін Браунштайн з Radio Corporation of America заявив по наявність інфрачервоного випромінювання арсеніду галію(GaAs) в комбінації з іншими напівпровідниковими сплавами.
In 1955- Rubin Braunstein from the Radio Corporation of America, told about the presence of the infrared radiation of gallium arsenide(GaAs) in combination with other semiconductor alloys.

У сучасних системах перетворення виконується з напівпровідниковими комутаційними пристроями, такими як діоди, тиристори та транзистори, які були започатковані Р. D. Middlebrook та іншими, починаючи з 1950-х років.
In modern systems the conversion is performed with semiconductor switching devices such as diodes, thyristors and transistors, pioneered by R. D. Middlebrook and others beginning in the 1950s.

Фоторезистори є менш світлочутливими за фотодіоди чи фототранзистори, оскільки два останніх є справжніми напівпровідниковими приладами, у той час як фоторезистор є пасивним компонентом і не має p-n-переходу.
Photoresistors are less light-sensitive devices than photodiodes or phototransistors: the two latter components are true semiconductor devices, while a photoresistor is a passive component and does not have a PN-junction.

Керує численними спільними науково-дослідними проектами у співпраці з такими відомими напівпровідниковими компаніями та фінансово-науковими установами, як Австрійський науковий фонд фундаментальних досліджень(FWF), Дослідницька асоціація імені Крістіана Допплера(CDG), Європейська дослідницька рада(ERC).
He supervised numerous research projects with well-known semiconductor companies and funding agencies, like the Austrian Science Fund(FWF), the Christian Doppler Research Association(CDG), and the European Research Council(ERC).

SVC є об'єднання звичайних конденсаторів та індуктивностей з високошвидкісними комутаторами(зазвичай- напівпровідниковими керованими семісторами), що дозволяє здійснювати регулювання більш плавно, ніж статичними батареями.
SVC are actually packs of ordinary capacitors and inductors with high-speed commutation lines(usually semiconducting regulated semistors), what allows to adjust current more fluently, than static batteries do.

Після закінчення магістратури з фізики Аслам почала працювати в університеті Пенджабу викладачем фізики для студентів та аспірантів.[1] З часу вступу до Школи фізики і астрономії в Манчестерському університеті, вона була важливим дослідником в області полімерних композитів, сенсибілізованих напівпровідниковими наночастинками, з метою досягнення високої швидкості реакції і дифракційної ефективності, необхідної для застосування в якості зберігання та обробки даних.
After her master's degree in physics, Aslam joined University of the Punjab as a lecturer where she has taught undergraduate and post-graduate level physics.[6] Since she has joined School of Physics and Astronomy at the Manchester University, she has been a vital researcher to the field of polymer composite sensitised with semiconductor nanoparticles, in order to achieve high response rate and diffraction efficiency as required for applications as data storage and processing.

Побудована нелінійна теорія взаємодії( трьох хвильові процеси) в шарово-періодичних структурах з напівпровідниковими шарами у зовнішньому постійному магнітному полі. Побудована теорія розповсюдження електромагнітних хвиль у обмежених шарових структурах.
A nonlinear theory of interaction(three wave processes) in layered periodic structures with semiconductor layers in an external constant magnetic field, a theory of electromagnetic wave propagation in bounded layered structures were constructed.

Вироблені практичні рекомендації для експериментального дослідження взаємодії електронних потоків з неоднорідними напівпровідниковими структурами круглого і прямокутного перетину, і отримана нова інформація про деякі особливості взаємодії електронних потоків з обмеженими неоднорідними напівпровідниковими структурами, для використання в сучасній радіофізиці і плазмовій електроніці НВЧ при створенні експериментальних зразків плазмових підсилювачів і генераторів. Яковенко В. М., Русанов А. Ф.
The practical recommendations for the experimental investigation of the interaction of the electron beams with non-homogeneous semiconductor structures of circular and rectangular cross-section have been established. New information about some features of interaction of electron beam with bounded non-homogeneous semiconductor structures which are used in up-to-date radiophysics and plasma microwave electronics(for designing experimental samples of plasma amplifiers and generators) has been obtained. Rusanov A.F., Yakovenko V. M.

У монографії набули подальший розвиток методи аналізу взаємозалежних iмпульсно-періодичних процесів у колах електророзрядних установок з накопичувальним конденсатором, напівпровідниковими комутаторами, стохастичним навантаженням i регульованим зворотним зв'язком по напрузі, а також синтезу нових структур таких ланцюгів з підвищеними динамічними характеристиками.
The methods for the analysis of interdependent pulse-periodic processes in circuits of electric discharge installations with a reservoir capacitor, semiconductor switches, stochastic load and controlled voltage feedback, as well as the synthesis of new structures of such circuits with increased dynamic characteristics have been developed in the monograph.

Coli напівпровідниковим металом, а потім нанесли цю суміш на скляну поверхню.
Coli with a semiconductor metal and then applied that mixture to a glass surface.

Технічне вдосконалення електричних напівпровідникових перетворювачів, що використовуються в різноманітних автоматизованих технологічних процесах.
Technical improvement of electrical semiconducting converters that are used in different technological processes.

Кубіти спина дуже нагадують напівпровідникову електроніку та транзистори, як ми їх сьогодні знаємо.
Spin qubits highly resemble the semiconductor electronics and transistors as we know them today.

У перспективі, такі напівпровідникові вуглецеві нанотрубки можуть стати заміною галлію».
The prospect is to use semiconducting carbon nanotubes as a substitute for gallium.”.

Багато плазмових процесів також використовуються в напівпровідниковій промисловості",- заявив Пустильник.
Many plasma processes are also used in the semiconductor industry,” Pustylnik said.

Замість цього напівпровідниковий полімер світить під дією світла.
Instead, the semiconducting polymer fluoresces when exposed to light.

Питання витрат вже почали трансформувати напівпровідникову промисловість в цілому.
Cost issues have already begun to transform the semiconductor industry as a whole.

Екситони існують тільки в напівпровідникових і ізоляційних матеріалах.
Excitons exist only in semiconducting and insulating materials.

У разі сонячних елементів, кремній є напівпровідниковим вибору.
In the case of solar cells, silicon is the semiconductor of choice.