Какво е " FIELD EFFECT " на Български - превод на Български

• полеви ефект
• ефект на поле
• field effect

Примери за използване на Field effect на Английски и техните преводи на Български

Field Effect Transistors.
Транзистора с полеви ефект.

A FET is a Field Effect Transistor.
Ключът е транзистор на полевия ефект.

Inductive power transfer is a near field effect.
Индуктивният пренос на енергия е ефект на близкото поле.

The Field Effect Transistor.
Транзистор на полевия ефект.

JFET stands for Junction Field Effect Transistors.
Наименованието JFET идва от Junction Field- Effect Transistor.

The radio waves received by a crystal radio are a far field effect.
Радиовълните, приети чрез кристално радио, са ефект на далечното поле.

The key is a field effect transistor.
Ключът е транзистор на полевия ефект.

Collectively this intention will set a quantum field effect into motion.
Колективно това намерение ще задейства ефект на квантово поле.

FinFET, also known as Fin Field Effect Transistor, is a non-planar or"3D" type of transistor used in modern processor design.
FinFET(Fin Field Effect Transistor)- вид„3D” транзистор, използван в дизайна на съвременните процесори.

For an example, see the Bokeh Depth of Field effect shown below.
За пример виж ефекта на Bokeh Depth of Field, показан по-долу.

FinFET refers to Fin Field Effect Transistor, is a variety of"3D" transistor or a non-planar, used to design modern processors.
FinFET(Fin Field Effect Transistor)- вид„3D” транзистор, използван в дизайна на съвременните процесори.

The object itself is metallic and disk-shaped; certainly, it is distorted in form and color by means of a field effect.
Обектът е металически и във формата на диск, със сигурност има изменени цвят и форма заради ефекта на полето.

JFET means Junction Field Effect Transistor.
Наименованието JFET идва от Junction Field- Effect Transistor.

Depth of Field effect with Bokeh(support for Diaphragm shape), matching the Depth of Field in Physical Render closely.
Дълбочината на полевия ефект с Bokeh(подкрепа за формата на диафрагмата), съответстваща на дълбочината на полето във физическия ринг.

Field Flux-- The quantity of total field effect, or"substance" of the field.
Поток на поле- количеството общо въздействие върху полето или"вещество" на полето..

Fast f/ 1.4 aperture focus makes it easier to handle in low light and achieve low depth of field effect.
Бърз фокус в съотношение с бленда f/1.4 позволява по- лесно справяне при слаба светлина и постигане на ефект при малка дълбочина на полето.

Give your photos a beautiful depth of field effect for more impressive, creative shots.
Основа за художествена творба Придайте на снимките си красива дълбочина на рязкост с още по-впечатляващи, артистични кадри.

He also raised the possibility that another galaxy nearby was tweaking NGC 1052- DF2's motion through an element of MOND called the“external field effect.”.
Макгоу също така изтъкна възможността друга галактика наблизо да променя движението на NGC 1052-DF2 чрез елемент от MOND, наречен"външен полеви ефект".

FinFET, also known as Fin Field Effect Transistor, is a type of non-planar or"3D" transistor used in the design of modern processors.
FinFET(Fin Field Effect Transistor)- вид„3D” транзистор, използван в дизайна на съвременните процесори.

Apparently, the design originated from a Motorola publication on using field effect transistors(“Tips on using FET's,” HMA-33, 1971).
Очевидно е, че дизайнът произхожда от публикация на Motorola за използване на транзистори с полеви ефект("Нискочестотни приложения на полеви транзистори", AN-511, 1971).

JFET(Junction Field- Effect Transistor) is a field effect transistor with PN- junction.
JFET e полеви транзистор с управляващ PN- преход, наименованието JFET идва от Junction Field- Effect Transistor.

He also raised the possibility that another galaxy nearby was tweaking NGC 1052- DF2's motion through an element of MOND called the“external field effect.”.
Той също така повдигна възможността друга галактика наблизо да ощипва движението на NGC 1052- DF2 през елемент на MOND, наречен„ефект на външното поле“.

First manufactured in 1963 the field effect transistor had great advantages in that the gate consumed virtually no current.
Първите произведени през 1963 поле ефект транзистор имаше големи предимства в това, че портата консумира почти без ток.

In 1990, under different titles inventors conceived electrooptical effects as alternatives to twisted nematic field effect LCDs(TN- and STN- LCDs).
През 1990 г. под различни заглавия изобретатели замислят електрооптични ефекти като алтернативи на усуканите LCD монитори немагнитни с полеви ефект(TN- и STN- LCD екрани).

First manufactured in 1963 the field effect transistor had great advantages in that the gate consumed virtually no current.
Първоначално произведени през 1963 г. транзисторът с полеви ефекти имаше големи предимства, тъй като портата консумираше почти никакъв ток.

The power conversion efficiency is improved because of the use of high efficiency metal oxide semiconductor field effect transistor(MOSFET) and gate drive IC.
Ефективността на преобразуването на мощността се подобрява благодарение на използването на високоефективен транзистор с полупроводникови полупроводникови полеви елементи(MOSFET) и портално задвижване IC.

These force fields create quantum field effects that switch on positive biological responses thereby reducing the affects of stress.
Тези силови полета създават ефекти на квантово поле, което активизира положителни биологични реакции и така намалява ефектите от стреса.

Later homopolar generators would solve this problem by using an array of magnets arranged around the disc perimeter to maintain a steady field effect in one current-flow direction.
По-късно хомополярни генератори биха решили този проблем, като използват масив от магнити, разположени около периметъра на диска, за да поддържат постоянен полеви ефект в една посока на текущия поток.

Field effect transistor- field effect transistor, a transistor in which the effect of a transverse electric field is used to control the current.
Полеви транзистор, униполярен транзистор, FET(field effect transistor)- транзистор, при който изходният ток се управлява от електрическо поле.

Apparently, the design originated from a Motorola publication on using field effect transistors(“Low Frequency Applications of Field-Effect Transistors,” AN-511, 1971).
Очевидно е, че дизайнът произхожда от публикация на Motorola за използване на транзистори с полеви ефект("Нискочестотни приложения на полеви транзистори", AN-511, 1971).