日本語 での 窒化ガリウム の使用例とその 英語 への翻訳
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月に窒化ガリウム評価基盤領域を設立。
窒化ガリウム・パワーFETは、衛星通信基地局やレーダー向けに、電子管からの置き換えも含めて堅調な需要が見込まれます。
Demand for GaN power FET for radars and satellite microwave communications base stations is growing steadily, both for new equipment and replacement of electron tubes.この要求に対応する次世代半導体として、窒化ガリウム(GaN)などのワイドバンドギャップ化合物半導体ウェーハの開発を進めています。
In response to these demands,we have developed a wide band gap semiconductor substrate with gallium nitride(GaN) as the next generation semiconductors.商用のDC-DCアプリケーションにおいて、MOSFETの置き換えとして窒化ガリウム(GaN)・デバイスを製品化して以来、3年が経ちました。
It has been three years since the commercialization of gallium nitride(GaN) devices as MOSFET replacements in a commercial DC-DC application.このスライドキャストで、EPCのAlexanderLidow(アレクス・リドウ)は、いかに同社が窒化ガリウム(GaN)で技術革新をリードしているか、について説明します。
In this slidecast, Alexander Lidow from EPC describes how thecompany is leading a technological revolution with Gallium Nitride GaN.ガリウム窒化物：n型、p型および半絶縁性窒化ガリウム基板、ならびに、低、マルコ欠陥密度および転位密度が低い、リード、ldまたは他の用途のための鋳型またはガンエピウェハウェハ。
この事実から電子線照射によってアクセプタをドープした窒化ガリウム薄膜の電気的、光学的性質が変化したのではないかと考えるに至った5。
He thought from this result that the electrical andoptical characteristics of acceptor doped GaN thin film were changed by electron beam irradiation5.安川電機(株)では、シリコン半導体に代わり、GaN(窒化ガリウム)半導体を用いた住宅用太陽光発電用パワーコンディショナを開発し、2015年の1月に世界で初めて発売する。
Yaskawa Electric Corporation has developed a powerconditioner for residential solar power that uses gallium nitride(GaN) semiconductors instead of silicon semiconductors, and is be the first in the world to put this on the market as of January 2015.従来のサファイアに加えて、シリコン（Si）、シリコンカーバイド（SiC）基板材料、酸化亜鉛（ZnO）および窒化ガリウム（GaN）なども、現在のLEDチップ研究の焦点である。
In addition to traditional sapphire, silicon(SI), silicon carbide(sic) substrate materials, zinc oxide(ZnO)and gallium nitride(Gan) are also the focus of the current LED chip research.この窒化ガリウム薄膜には約1010個/cm2の多くの格子欠陥が存在したにもかかわらず寿命は10万時間以上である。
Although there were many crystal defects- about 1010cm-2- in the InGaN film of LED,住友化学は、今回の買収により、日立金属の窒化ガリウム(GaN)基板・エピウエハ、ガリウムヒ素(GaAs)エピウエハ等に係る事業を取得します。
The business that Sumitomo Chemical will acquire from Hitachi Metals includes those of compound semiconductor materials,such as gallium nitride(GaN) substrates, GaN epiwafers, and このプロセスは、LED照明に使用される窒化ガリウムと共に使用することができ、太陽電池を含む他の半導体製品の効率を高めることもできる。
これに加えて、電力変換システムにおいて窒化ガリウムなどの新しい材料に移行することで、全体の消費電力を20%削減し、サーバー密度を30〜40%向上させることができます。
This, plus transitioning to new materials such as gallium nitride in the power conversion systems can reduce overall power consumption by 20% and increase server densities by 30-40.現在は、EPC社でアプリケーション・エンジニアリング部門のディレクタとして勤務し、窒化ガリウム(GaN)・パワー・トランジスタの利点を最大化するアプリケーション、回路、手法を開発しています。
He is currently working with Efficient Power Conversion Corporation, where, as Director ロサンゼルスに本社を置く同社は、半導体の能力の向上によって、4000億米ドル(2770億ポンド)のシリコン産業を獲得するために、窒化ガリウム(GaN)の潜在能力を研究しています。
His Los Angeles-based company is investigating the capacity of gallium nitride(GaN) to disrupt the $400 billion(£277bn) silicon industry with its improved powers このシリーズの最初の回では、窒化ガリウム(GaN)・オン・シリコンの低耐圧パワー・デバイスが、LiDAR(光による検出と距離の測定)、包絡線追跡、ワイヤレス・パワーなどの多くの新しいアプリケーションを可能にした方法について説明しました。
In the first article in this series, how gallium nitride(GaN)-on-silicon low voltage power devices have enabled many new applications, such as light detection and ranging(LiDAR), envelope tracking, and wireless power was discussed.Vのバス・アーキテクチャの出現によって、窒化ガリウム(GaN)・トランジスタを使う新しいハイブリッド・コンバータを採用することができ、95%を超えるピーク効率と225W/立方インチの電力密度を達成することができます。
With the emergence of the 48V bus architecture,a new hybrid converter using gallium nitride(GaN) transistors can be employed which achieves a peak efficiency that exceeds 95% and with 225W/in3 power density.この水素を含まない雰囲気中で熱処理した窒化ガリウム薄膜は固有抵抗が5桁以上小さく、2Ωcmとなり、1992年、ホール効果測定による正孔の移動度は10cm2/V・sの良好なp型層を得ることに成功した14。
Using this method, in 1992, the specific resistance of heat-treated GaN thin film was improved to 2 Ohm-cm- smaller than usual by more than a factor of 100,000- and the superior p-type layer was successfully obtained where the hole mobility by Hall measurement was 10 cm2/Vs14.この9番目の信頼性レポートに記載されたテスト結果は、ウエハー・レベルのチップスケール・パッケージ封止の当社の窒化ガリウム製品が、半導体技術の選択肢として、シリコンを置き換えることができる優れた信頼性、コスト、性能を備えていることを示しています。
The test results described in thisninth reliability report show that EPC gallium nitride products in wafer level chip-scale packages have the superior reliability, cost, and performance to displace silicon as the technology of choice for semiconductors.この認識に基づき、マグネシウムをドープした窒化ガリウム薄膜に10kVの電子線を照射した。その電気特性を測定した結果、固有抵抗が35Ωcmと5桁減少しており、ホール効果の測定から、はっきりとp型であることを1989年に確認できた。
Based on this, they measured the electrical characteristics of 10 kV electron irradiated Mg doped GaN thin film and found that the resistivity decreased by a factor of 10,000 to 35 Ohm-cm, and confirmed that GaN film is clearly p-type by its Hall effect measurement.EPC社が世界のほぼすべての大手エレクトロニクス企業に販売している窒化ガリウム(GaN)のトランジスタや集積回路は、シリコンで作られたものと比べて、より小さく、より速く、より電力効率の高い製品にすることを可能にします。
Gallium Nitride(GaN) transistors and integrated circuits, which EPC sells to almost every major electronics company in the world, allow companies to make smaller, faster and more power-efficient products compared with those made from silicon.開発基板EPC9016は、40V、33Aのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN®)FETの並列動作が特徴で、電流供給能力を67%増やし、最適レイアウト技術が効率を最大化します。
Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9016 development board features 40 V,33 A enhancement mode gallium nitride(eGaN®) FETs in parallel operation increasing current capability by 67% and optimum layout techniques maximize efficiency.高周波スイッチング可能な窒化ガリウム・パワー・トランジスタを使ったD級オーディオ・アンプのリファレンス設計EPC9106は、プロシューマ品質のサウンドを実現すると同時に、高効率化、小型化が可能で、ヒートシンクが不要です。
Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9106 Class-D audio amplifier reference design,using high frequency switching gallium nitride power transistors, demonstrates efficiency enhancement, size reduction and eliminates need for a heat sink while delivering prosumer quality sound.このシリーズの最初の3回は、EPCのエンハンスメント・モード窒化ガリウム(eGaN)電界効果トランジスタ(FET)と集積回路(IC)のフィールド信頼性の実績とストレス・テストにおける品質を扱いました。
Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. The first three installments in this series covered field reliability experience andstress test qualification of EPC's enhancement-mode gallium nitride(eGaN) field effect transistors(FETs) and integrated circuits ICs.D級オーディオ・アンプのリファレンス・デザインEPC9106は、高周波スイッチングの窒化ガリウム・パワー・トランジスタを搭載し、プロシューマ品質のサウンドを提供すると同時に、効率の向上、サイズの削減を実現でき、ヒートシンク(冷却器)が不要です。
Sign up for EPC email updates or text"EPC" to 22828. EPC9106 Class D audio amplifier reference design,using high frequency switching gallium nitride power transistors, demonstrates efficiency enhancement, size reduction and eliminates need for a heat sink while delivering prosumer quality sound.GaNの工学と未来社会へのインパクト」名古屋大学天野浩教授まずは、名古屋大学の天野浩教授が、ノーベル物理学賞の受賞理由となった青色発光ダイオード(LED)とその材料となる窒化ガリウム(GaN)について講演しました。
GaN engineering and its impact on the futureHiroshi AmanoProfessor, Nagoya University Amano talked about hisresearch on the blue light emitting diode(LED) and gallium nitride(GaN), which led to his receiving the 2014 Nobel Prize in Physics.このたび当社は、Blu-rayDisc等の次世代光ディスクに用いられる青紫色レーザー用の2インチ直径低欠陥単結晶窒化ガリウム(GaN)基板の開発に成功し、サンプル製造、販売を開始することにいたしました。
Hitachi Cable has decided to manufacture and sell samples of two-inch diameter, low defect density,single-crystal gallium nitride(GaN) substrates for blue-violet lasers used in next-generation Blu-ray Discs and other optical discs.青色発光半導体デバイス青色発光半導体デバイス用材料としては、バンドギャップの大きさから、炭化シリコン(SiC)、セレン化亜鉛(ZnSe)、そして窒化ガリウム(GaN)の3種類が考えられた。
Blue light emitting semiconductor device Silicon carbide(SiC),zinc selenide(ZnSe) and gallium nitride(GaN) were all potential semiconductor materials for the development of blue light emitting semiconductor devices, based on the width of their energy band gaps.
