BAND GAP 日本語意味 - 日本語訳

High band gap.

高いバンドギャップ。

Band gap or absorption onset.

バンドギャップまたは吸収の発症。

The energy band gap is large 10eV.

エネルギーのバンドギャップは大きい(10eV)です。

Band gap energy at 300 K.

バンドギャップenergyat300K。

Next Generation Power Electronics- Wide Band Gap Power Semiconductor Devices.

パワーエレクトロニクス-ワイドバンドギャップ半導体。

The band gap is approximately 5-7 eV.

バンドギャップは約5〜7eVである。

Scandium Oxide, Sc2O3, is an insulator with a band gap of 6.0 eV.

スカンジウムの酸化物、Sc2O3は、6.0eVのバンドギャップの絶縁体です。

The band gap of the SWNT is 0.6 eV.

HOMOバンドの閾値は0.6eV（矢印）。

The energy difference between the HOMO and the LUMO is called the band gap.

ヒトと、LUMOのエネルギーの違いは、バンドギャップと呼ばれます。

Band gap of titanium oxide: photocatalyst.

光触媒：酸化チタンのバンドギャップ。

This effect was fully reversible and the band gap reduced back to zero under vacuum.

この効果は、完全には可逆的であり、バンドギャップは、真空下でゼロに戻って減少。

Wide Band Gap Semiconductor Research Team.

ワイドバンドギャップ半導体調査研究調査チーム。

In this study,we demonstrated a relatively easy method for giving graphene a band gap.

この研究では、グラフェンのバンドギャップを与えるための比較的簡単な方法を示した。

With the symmetry broken, the band gap of graphene did, indeed, open up, Koratkar said.

対称性の破れと、グラフェンのバンドギャップは、実際に、開いていない、Koratkarは言った。

The band gap sets a precision common mode, while the outputs act as a differential driver.

バンドギャップ・リファレンスによって高精度なコモン・モードが設定され、差動ドライバとして出力バッファが機能します。

Current photovoltaic solar power generation usesonly ultraviolet part of sunlight due to the band gap of semiconductor.

現在の太陽電池は半導体でできており、そのバンドギャップのために紫外光しか発電に利用していない。

Further, the band gap is about three times that of Si, making possible operation at higher temperatures than for Si devices.

また、バンドギャップがSiの約3倍広いので、Siより高い温度での動作が可能です。

Graphene, an atom-thick sheet of carbon atoms arranged like a nanoscale chain-link fence,has no band gap.

グラフェン、ナノスケールのチェーンリンクのフェンスのように配置の炭素原子の原子厚シートは、どのバンドギャップを持っていません。

Their band gap can vary from zero to about 2 eV and their electrical conductivity can show metallic or semiconducting behavior.

その巻き方によってSWNTのバンドギャップは0から2eVまで変化し、電気伝導性は金属性もしくは半導体性の挙動を示します。

A peak rises at an energy 8.8 eV lower than the reflected incident electron,allowing the band gap of the SiO2 film to be measured *1.

入射電子より8.8eV低いエネルギーからピークが立ち上がっており、SiO2膜のバンドギャップ(*1)を知ることができます。

But, as graphene has no band gap, creating graphene nanoribbon which aims to form band gap is being tried mainly by top-down technique.

しかし、グラフェンにはバンドギャップが存在しないため、バンドギャップ形成を目指した「グラフェンのナノリボン化」が、主としてトップダウン的手法により試みられています。

Further in the future, possibly sometime in 2018, we will introduce directconversion dc-dc converters using wide band gap semiconductors such as GaN.

さらに、2018年中には、GaNなどのワイド・バンドギャップ半導体を使った直接変換のdc-dcコンバータを製品化します」とも語りました。

For example, our material for unique composition with controlled band gap can raise conversion efficiency as a transparent film for solar cell.

一例としてAZOのバンドギャップを広げた当社独自組成の材料は、太陽電池用透明導電膜として、変換効率を向上させることができます。

Title: Low band gap polycyclic hydrocarbons: From closed-shell near infrared dyes and semiconductors to open-shell radicals.

今回の講演では、"LowBandGapPolycyclicAromaticCompounds: FromClosed-ShellNearInfraredDyesandSemiconductorstoOpen-shellBiradicals"という題目で、。

Indium Oxide Nano Powder is a kind of new n-type transparent semiconductor functional materials,which has wide band gap width, smaller resistivity and high catalytic activity.

酸化インジウムナノ粉末はバンドギャップ幅が広く、抵抗率が小さく、触媒活性が高い新しいn型透明半導体機能材料の一種。

With a band gap of 3.4 eV, gallium nitride emits invisible ultraviolet light, but when some of the gallium is exchanged for indium, colors like violet, blue, and green are produced.

EVのバンド隙間で、窒化ガリウムは目に見えない紫外線を放つが、いくつかのガリウムがインジウムと交換されるとき、すみれ、青、および緑色のような色は発生します。

It also integrates programmable gain instrumentation amplifiers,a precision band gap reference, programmable excitation current sources, a flexible multiplexer, and many other features.

さらに、ゲインをプログラムできる計装アンプ、高精度のバンドギャップ・リファレンス、プログラマブルな励起電流源、柔軟性の高いマルチプレクサなど、多くの回路を搭載しています。

Because the band gap narrows as the crystal's temperature increases, and less energy is needed to jump the gap, photons with less and less energy(longer and longer wavelengths) are absorbed by the band..

素子の温度が上昇するにつれてバンドギャップが狭くなり、ギャップを飛び越すために必要なエネルギーが少なくなるので、より少ないエネルギー（より長い波長）の光子がバンドによって吸収されます。

The wavelength of the emitted light is determined by the band gap of the semiconductor material. Gallium arsenide(GaAs) based material and gallium phosphide(GaP) based material are used to produce red and green LEDs.

放出される光の波長は、各材料固有のバンドギャップにより決まり、赤外から緑色までは、砒化ガリウム系とリン化ガリウム系の材料が用いられる。

This is because the wavelength of the emitted light depends on the band gap of the semiconductor material representing energy difference between valence-band electrons and conduction-band electrons.

Thisisbecausethewavelengthoftheemittedlightdependsonthebandgapofthesemiconductormaterial.このバンドギャップエネルギーは、材料の価電子帯電子と伝導帯電子のエネルギー差を表す。