FIELD-EFFECT 日本語意味 - 日本語訳

Field-effect transistor amplifiers.

電界効果トランジスタ増幅器。

Molecular Conductors, Field-Effect Transistors.

分子性導体、電界効果トランジスタ。

The field-effect mobility of the transistor of Sample C was 34.5 cm2/Vsec.

サンプルＣのトランジスタの電界効果移動度は３４．５ｃｍ２／Ｖｓｅｃであった。

Developed device operation model for tunnel field-effect transistor.

トンネル電界効果トランジスタの素子動作モデルを開発。

Introduction to field-effect transistor amplifiers.

電界効果トランジスタ増幅器の紹介。

人々も翻訳します

field effect transistor

Transistors can be classified roughly into two types:bipolar transistors and field-effect transistors.

ちなみにトランジスタは「バイポーラ」と「電界効果」の2種類に大別できます。

Field-effect transistor A type of electronic device that has an amplification effect, characterized by low power requirements.

電界効果トランジスタ増幅作用を示す電子素子の1種で、消費電力が少ないのが特徴。

Fast forward to 2014, though, and the humble CMOS field-effect transistor(FET) is starting to show its age.

しかし2014年に早送りや、謙虚、CMOS電界効果トランジスタ（FET）は、その年齢を示し始めている。

In this chapter, we parallel the approach we used for BJT transistors,this time concentrating on the field-effect transistor.

この章では、BJTトランジスタに使用した手法と対比します。今回は電界効果トランジスタに焦点を当てます。

The switching state of the field-effect transistor is controlled by the voltage on the control gate of the transistor.

電界効果トランジスタのスイッチング状態は、トランジスタのコントロールゲート上の電圧によって制御される。

Conventionally this microphone preamplifier hasbeen implemented using a simple junction field-effect transistor JFET.

従来、このマイクロフォンのプリアンプには、単純な接合型電界効果トランジスタ(JFET)が使用されています。

By increasing the amount of In, the field-effect mobility(also simply referred to as mobility) of the transistor can be improved.

Ｉｎの量を多くすることにより、トランジスタの電界効果移動度（単に移動度ともいう）を向上させることができる。

Professor Suemitsu and his colleagues fabricated GOS for the first time in the world,and Professor Otsuji and his colleagues developed prototype field-effect transistors using GOS.

今回、世界で初めて末光教授らによってGOSが作製され、尾辻教授らによってGOSを用いた電界効果トランジスタが試作されました。

This is much less than tunnel field-effect transistors, multigate transistors and germanium nano-devices that consumes nearly 0.5 V.

これはトンネル電界効果トランジスタ、マルチゲートトランジスタ、そして0.5V近くを消費するゲルマニウムのナノデバイスよりはるかに少ない数値です。

This finding offers a new way to control electrons in metal films and could have big implications for the application of topological materials to devices,such as field-effect transistors.

この発見は、金属膜中の電子の新しい制御法を可能にし、トポロジカル材料の電界効果トランジスタなどのデバイスへの応用に大きな影響を与えると期待される。

Lower leakage temperature coefficient makes it easy ST field-effect rectifier diodes(FERD) help improve designs with new versions focusing on trade-off upgrades.

リーク電流の温度係数の低減により開発を容易にSTの電界効果整流ダイオード(FERD)は、設計の改善をサポートします。

The field-effect transistors that have been used in semiconductor devices have a structure in which an oxide film and a metal object called a gate are placed on top of a flat silicon wafer.

半導体デバイスに使われてきた電界効果トランジスタは平らなシリコン基板の上に酸化膜とゲートと呼ばれる金属が乗った構造になっている。

A voltage was then applied across the nanowire,which allowed it to operate as a field-effect transistor(FET) and detect electrical signals inside the cell.

ナノワイヤーに電圧を印加すると、ナノワイヤーは電界効果トランジスター(FET)として動作するので、細胞内の電気シグナルを検出できる。

Methode's existing field-effect technology, as well as other technology currently under development by Methode, will be a natural fit with our industrial safety radio remote control products.

Methodeの既存の電界効果技術と、現在開発中のその他の技術は、当社の産業安全無線遠隔制御製品に無理なく適合するものと思われます。

The plurality of transistors 514 a, 514 b, 514 c are each,for example, field-effect transistors(FETs), and constitute a part of the differential amplifier circuit 514.

複数のトランジスタ５１４ａ、５１４ｂ、５１４ｃは、それぞれ例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）であり、差動増幅回路５１４の一部を構成するものである。

Field-effect transistors are three-terminal devices, but in contrast with the bipolar transistor, it is the voltage across two terminals that controls the current flowing in the third terminal.

電界効果トランジスタは３端子素子であるが、バイポーラトランジスタとは対照的に、それは第３端子に流れる電流を制御する２端子間の電圧である。

Targets of our research are notonly the conventional organic solar cells and field-effect transistors, but also the organic electronic devices with new functions based on the structure controls.

ターゲットとしては、薄膜太陽電池や電界効果トランジスタなどの既存の有機電子デバイスに加えて、新規な機能を持ったデバイスの開発にも取り組んでいます。

Organic semiconductors are organic materials exhibiting some properties of traditional semiconductors,and are expected to feature in applications such as field-effect transistors, organic solar cells, and more.

有機半導体とは半導体としての性能を示す有機物のことで、電界効果トランジスタや有機太陽電池などへの応用が期待されています。

High-frequency, field-effect transistors have been demonstrated, but devices such as mixers, which create the sum and difference combination frequencies from two input frequencies, require other components.

高周波の電界効果トランジスタは実証されているが、二つの入力周波数から和や差の組み合わせ周波数を作り出す混合機のようなデバイスは、他の構成要素を必要とする。

However, compound semiconductor wafers are being used for applications like LED, LD,solar battery and field-effect transistor and Hall elements based on its light-receiving and emitting, high speed motion and magnetoelectric function.

一方で、化合物半導体ウェハは受発光や高速動作、磁電機能を保有していることから、発光ダイオード(LED)やレーザーダイオード(LD)、太陽電池、電界効果型トランジスタ、ホール素子などの用途に利用されます。

Precise Synthesis of Picene Derivatives toward Organic Functional Materials Picene contains a condensed conjugated system with five benzene rings,which shows a high potential utility for organic field-effect transistor(OFET) and organic thin film solar cells.

Lett.16,440-443(2014).ピセンは,五つのベンゼン環からなる縮環π共役系有機分子であり,その高い機能性から有機電界効果トランジスタや有機薄膜太陽電池の素子としての応用が期待されている化合物群です。

SiC epi wafer is mainly used for Schottky diodes,metal-oxide semiconductor field-effect transistors, junction field effect transistors, bipolar junction transistors, thyristors, GTO, and insulated gate bipolar.

ショットキーダイオード、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ、接合電界効果トランジスタ、バイポーラ接合トランジスタ、サイリスタ、gtoおよび絶縁ゲートバイポーラに主に使用されている。11。

Computer-aided decision-making functions and a powerful search engine enable SMPS designers andcomponent engineers to rapidly make a clear decision about which field-effect rectifier or Schottky diode is best suited for their application.

スイッチング電源(SMPS)の設計者および部品技術者は、コンピュータ向けデバイス選択サポート機能および検索エンジンを使用して、対象アプリケーションにとって最適な電界効果整流ダイオードまたはショットキー・ダイオードについて短時間で判断を下すことができます。

The above properties have triggered intensive studies on variousproperties of OFETs such as electric conduction and field-effect characteristics. However, the effects of pressure on OFETs have not been investigated sufficiently despite their direct connection to mechanical flexibility and consequent applications such as flexible devices.

これまで、電気伝導特性や電界効果特性などの様々な物性が調べられてきましたが、圧力下における物性については、有機半導体の機械的柔軟性に直結するにも関わらず、あまり詳しく研究されていませんでした。

Organic electronics: It's all in the twist 07/29/2013 A small molecular bending effect helps flexible light-emitting transistors to outshineother optoelectronic technologies Organic light-emitting field-effect transistors(OLETs) are innovative devices that combine brilliant light production with fast electronic switching.

有機エレクトロニクス:曲がっているところが肝心2013年08月26日曲げ効果を示す小分子が、ほかのオプトエレクトロニクス技術を凌駕するフレキシブル発光トランジスタを実現させるかもしれない有機発光電界効果トランジスタ(OLET)は、高輝度発光と高速電子スイッチングを兼ね備えた革新的なデバイスである。