NITRIDES 日本語 意味 - 日本語訳 - 英語の例文

• 窒化

英語 での Nitrides の使用例とその 日本語 への翻訳

Crystal Structure of Nitrides.
窒化物の1.1Crystal構造。

Double carbides/ nitrides are used as additives for cemented carbide as well as the main raw material of cermet.
また、チタンの炭窒化物はサーメットの主原料としても使用されます。

(2) Identification of oxides and nitrides.
A酸化物、窒化物の同定。

CrN1-x, Cr2N, TaN and other nitrides are available upon request.
CrN1-x,Cr2N、TaN、および、その他の窒化物もご要望に応じて対応可能です。

Materials of inorganic materials: Metals, Metal oxides, Nitrides, etc.
無機材料の材質：金属、金属酸化物、窒化物等。

Manufacturer and supplier of nanoscale metal oxides, nitrides, carbides, diamond, Carbon nanotubes/ Particles for research and industries.
メーカーと研究と産業のためのナノスケールの金属酸化物、窒化物、炭化物、ダイヤモンド、カーボンナノチューブ/粒子のサプライヤー。

Xray characterization of grown Epitaxial films of group 3 nitrides on Si.
Si基板上に成長させた3族窒化物半導体単結晶薄膜のX線による結晶性の評価。

Sulphamic Acid removes excess of nitrides used in the diazotization reactions in the manufacturing of dye stuffs and pigments. Nitrides if prese.
Sulphamic酸は染料の原料および顔料の製造業のジアゾ化の反作用で使用される窒化物の超過分を取除きます。prese窒化物。

Polarity control becomes extremely important in group III nitrides such as AlGaN.
AlGaNなどのIII族窒化物では、極性制御が非常に重要になります。

Nitrides are normally divided into the 3 types, ionic nitrides, common nitrides, and interstitial nitrides. We provide products managed with synthesis methods suited to each type.
窒化物は普通イオン性窒化物、共有制窒化物、侵入型窒化物の3種に分類されており、それぞれにあった合成法で製造した製品を供給しています。

It is possible to form organic and inorganic(metals, compounds, oxides, nitrides) films!
有機・無機（金属、化合物、酸化物、窒化物）の成膜が可能！

Sticking and welding between forming dies and parts can be substantially reduced applying metal nitrides(TiN, CrN) and lubricating thin films(DLC, MoS2)to working surfaces of molds and dies.
金型の表面に金属窒化物（TiN，CrN）と潤滑薄膜（DLC，MoS2）をコーテングすると付着と溶着が大幅に低減できる。

If such a material could be realized experimentally, it could have the potential to be a much harder coating material than existing carbides and nitrides.
もし、このような材質が実験室で実現されるならば、現存する炭化物や窒化物よりはるかに硬いコーティング材料となる可能性を持つであろう。

Applied's ALD systems deposit a variety of oxides, metal nitrides, and metals on the wafer one fraction of a monolayer at a time to create ultra-thin layers in advanced transistor, memory, and interconnect applications.
アプライドマテリアルズのALDシステムは、先進のトランジスタ、メモリおよび配線アプリケーション向けに、酸化、メタル窒化、メタルを一度に単層ずつ微量に成膜することで、極薄の層を成膜します。

Titanium addition eliminates the formation of chromium carbides at the grain boundaries by tying up the carbon and nitrogen as titanium carbides or nitrides.
チタニウムの付加は粒界でチタニウムの炭化物か窒化物としてカーボンおよび窒素の上で結ぶことによってクロムの炭化物の形成を除去します。

In my research, polar semiconductor oxides and nitrides with very large spontaneous polarization are also considered as a candidate. I promote the research and development for these materials by exploiting the function of polarization interfaces.
本研究では、自発分極が非常に大きい極性半導体酸化物や窒化物も候補材料として位置付けて、分極界面の機能を開拓する電子セラミックスの研究開発を推進する。

Manufactures thin film coating systems and provides coating services for microelectronics and optoelectronics; gold-tin, copper, platinum, many metals, oxides, nitrides.
薄膜コーティングシステムを製造し、マイクロエレクトロニクスおよびオプトエレクトロニクスのためのコーティングのサービスを提供します。金-スズ、銅、白金、多くの金属、酸化物、窒化物。

Compared with existing inorganic compounds such as oxides and nitrides, unique coordination and crystal structures are obtained from such mixed anion compounds, it is possible that fundamentally different, innovative functions may be created.
酸化物や窒化物など既存の無機材料と比べ、複合アニオン化合物では特異な配位構造や結晶構造が得られるため、根源的に異なる革新的機能が現れる可能性が秘められています。

Physical vapour deposition is carried out in a vacuum chamber at temperatures between 150 °C and 500 °C, by means of a cathodic arc source and can react with various gases to deposit oxides, nitrides, carbons or carbonitrides.
物理蒸着は陰極アーク源によって、150°Cから500°Cの間の温度で真空槽の中で行われ、様々なガス反応によって、酸化物、窒化物、炭素あるいは炭窒化物を蒸着させていきます。

Tungsten carbide bar drawing dies surface of the die orifice depositing one or more layers of carbides, nitrides, oxides and other hard refractory compounds, which can greatly improve the performance and service life of the mold.
このような炭化物、窒化物、酸化物と大幅に金型の性能や寿命を向上させることができ、他の耐火硬質化合物、などの表面上に堆積された1つ以上の層を有する超硬チャート死ん表面WAのNIミリアンペアのSiダイオリフィス。

The project will involve developing an understanding of the oxidative capability of chloride melts(both with and without additives like oxygen, oxides etc) and characterisation of the products obtained when metal nitrides are placed in a molten salt medium.
プロジェクトは、塩化物溶融物(および酸素との酸化物等のような添加剤なしの両方)及び金属窒化物は、溶融塩培地中に置かれたときに得られた生成物の特徴付けの酸化能力の理解を現像伴う。

Moreover, reactive sputtering makes it possible to use oxides, nitrides, carbides, and other such compounds as coating materials, which means barrel sputtering has high potential for uses such as imparting conductivity and metallic sheen or surface protection.
また、反応性スパッタリング等により、酸化物、窒化物、炭化物等の化合物を成膜する事も可能です。そのため、導電性付与、金属光沢付与、表面保護等、様々な応用が期待できます。

The production of fine ceramics was started with alumina ceramics(white ceramics) and Al2O3-Tic(black ceramics). Nowadays it shows its development with various materials besides general oxides, such as carbides, nitrides and their compositions.
当初アルミナセラミック(白色セラミックス)、アルミナ-チタンカーバイド(黒色セラミックス)で始まったファインセラミックスは現在、酸化物を基本に炭化物、窒化物及びそれらの複合体など材種様々な材種への発展を見せております。

The Producer system supports traditional PECVD(TEOS and Silane-based oxides and nitrides) and Sub-atmospheric CVD films, as well as advanced processes, including low k, strain engineering, litho-enabling films, thermal films, high-temperature PECVD applications, SiGe and amorphous silicon.
Producerシステムは、従来のPECVD（TEOSおよびシランベース酸化および窒化）、準常圧CVD膜と同様に、Low-k、歪みエンジニアリング、リソグラフィー可能な膜、熱膜、高温PECVDアプリケーション、SiGeおよびアモルファスシリコンといった、先進のプロセスもサポートしています。

Combining the M4 TORNADOPLUS, boasting a light element X-ray tube and dual large area light element silicon drift detectors, with the AMICS software allows the range of elements to be extended from Na down to C. This means that the M4 TORNADOPLUS significantly improves the capability to differentiation of carbonates, nitrides, oxides and fluorides.
軽元素対応X線管と、超軽元素対応大面積シリコンドリフト検出器をダブルで搭載したM4TORNADOPLUSとAMICSソフトウェアを組み合わせることにより、分析対象元素をNaからCに拡張することができ、M4TORNADOPLUSは炭酸塩、窒化物、酸化物およびフッ化物の区別分析をより正確に行うことができます。

Home ProductsSilicon Nitride Tube.
ホーム製品窒化珪素の管。

Gallium Nitride Wafer.
ガリウム窒ウエファー。

Gallium Nitride: N type, p type and semi-insulating gallium nitride substrate and template or GaN epi wafer for HEMT with low Marco Defect Density and Dislocation Density for LED, LD or other application.
ガリウム窒化物：n型、p型および半絶縁性窒化ガリウム基板、ならびに、低、マルコ欠陥密度および転位密度が低い、リード、ldまたは他の用途のための鋳型またはガンエピウェハウェハ。

When several kinds of aluminum nitride filler are blended and filled at 80 vol%, the thermal conductivity becomes 12 W/ mK and it shows about 60 times the thermal conductivity of epoxy resin alone.
数種類の窒化アルミニウムフィラーをブレンドして、80vol%充填したときの熱伝導率は12W/mKとなり、エポキシ樹脂の約60倍の熱伝導率を発現します。