AN OXIDE 한국어 뜻 - 한국어 번역

• 산화물
• an oxide
• oxide
• 산화

영어에서 An oxide 을 사용하는 예와 한국어로 번역

Hydroxide: combination of water and an oxide.
수산화물: 물과 산화물의 조합.

Rupture of an oxide film.
산화막으로 이루어지는 Composed of an oxide film.

An oxide semiconductor layer; and.
산화물 반도체막; The oxide semiconductor layer; 및 And.

In one embodiment, the insulating layer is an oxide layer.
상기 절연층은 금속 산화물층이고, Wherein the insulating layer is a metal oxide layer.

An oxide semiconductor and 4H- SiC have some common features.
산화물 반도체와 4H－SiC는 몇 개의 공통점을 가지고 있다.

The most common method is to form an oxide layer on the surface with the use of electricity.
가장 일반적인 방법은 전기를 사용 하 여 표면에 산화 계층을 형성 하는 것.

An oxide semiconductor has a wide energy gap of 3.0 eV or more.
산화물 반도체는, 3.0eV 이상의 넓은 에너지 갭을 갖는다.

The second transistor includes an oxide semiconductor.
상기 제 3 트랜지스터는 산화물 반도체를 포함하고, The third transistor comprises a semiconductor oxide.

An oxide is a chemical compound in which oxygen atoms stuck together with another kind.
산화물은 산소 원자와 다른 종류의 서로 붙어있는 화학적 화합물이다.

Almost every continent on Earth has a source of tin, usually in the form of cassiterite, an oxide mineral.
지구에 거의 각 대륙에는 석석의 모양으로 주석의 근원이, 보통, 산화물 무기물 있습니다.

The standards feature an oxide step on a silicon die mounted on a quartz block.
이 기준샘플은 쿼츠 블록에 탑재한 실리콘 다이 상의 산화물 스텝을 선보입니다.

In order to form CAAC-OS, it is important, for example, not to generate oxygen defects in an oxide semiconductor.
CAAC-OS를 형성하기 위해서는 예를 들어, 산화물 반도체에 산소 결손을 발생시키지 않는 것이 중요하다.

An oxide semiconductor used for the oxide semiconductor film 403 contains at least indium(In).
산화물 반도체막(403)에 사용하는 산화물 반도체는 적어도 인듐(In)을 포함한다.

Laser annealing is used to mark devices made of ferrous metal by heating the surface of the device to create an oxide layer.
레이저 어닐링 레이저 어닐링은 장치 표면을 가열하여 산화물 층이 만들어지면서 철금속 소재의 장치를 마킹하는 데 사용됩니다.

Thus, a transistor including an oxide semiconductor cannot yet be said to have sufficiently high reliability.
따라서, 산화물 반도체를 이용한 트랜지스터는, 아직 충분한 신뢰성을 가지고 있다고는 할 수 없다.

Lt;Short channel effect in a transistor including an oxide semiconductor>
Lt;산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터에 있어서의 단채널 효과> <Short channel effect of the transistor including the oxide semiconductor>

An oxide semiconductor having a nanocrystal is referred to as nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor).
나노 결정을 갖는 산화물 반도체를 nc-OS(nanocrystalline Oxide Semiconductor)라고 부른다.

On the other hand, the transistor 162 including an oxide semiconductor material can hold charge for a long time due to its characteristics.
한편, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터(162)는 그 특성 때문에 전하를 장시간 유지할 수 있다.

Lead-free bearing layer provides an excellent initial transfer film, which effectively coats the mating surfaces of the bearing assembly, forming an oxide type solid lubricant film.
무연 품는 층은 효과적으로 방위 집합의 짝지어주는 표면을 입히는 산화물 유형 단단한 윤활유 영화를 형성하는 우수한 처음 이동 영화, 제공합니다.

In 1995, a transistor using an oxide semiconductor was invented, and its electrical characteristics were disclosed(see Patent Document 2).
년에는, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터가 발명되고, 그 전기 특성이 개시되어 있다(특허문헌 2 참조).

Here, the oxygen excess oxide exceeding the stoichiometric ratio means, for example, expressed as In a Ga b Zn c Si d Al e Mg f O g(a, b, c, d, e, f, g At 0), an oxide of 2g>3a+3b+2c+4d+3e+2f is satisfied.
여기서, 화학량론비를 넘는 산소 과잉의 산화물이란, 그것이, 예를 들면, In a Ga b Zn c Si d Al e Mg f O g (a, b, c, d, e, f, g≥0)로 나타내어질 때, 2 g > 3 a + 3 b + 2 c + 4 d + 3 e + 2 f 를 만족하는 산화물을 말한다.

The standards feature an oxide step on a silicon die mounted on a quartz block, or an etched quartz step with a chrome coating.
이 기준샘플은 크롬을 코팅한 식각된 쿼츠 스텝 또는 쿼츠 블록에 탑재한 실리콘 다이 상의 산화물 스텝을 선보입니다.

According to Embodiment 5, a protective circuit is formed using a non-linear element including an oxide semiconductor; thus, a display device having a structure suitable as a protective circuit can be provided.
실시예 5에 따르면, 보호 회로는 산화물 반도체를 포함하는 비선형 소자를 사용하여 형성되고; According to Example 5, a protective circuit is formed using a non-linear element including an oxide semiconductor; 따라서, 보호 회로로서 적합한 구조를 갖는 표시 장치가 제공될 수 있다.

Using artificial method to produce an oxide film(Al2O3) on the surface of aluminum and its alloy products, and different colors are applied to improve the abrasion resistance of aluminum material, prolong the service life and add luster and luster.
인공적인 방법 알루미늄과 그것의 합금 제품의 표면에 산화물막 (Al2O3)를 생성하는 것은, 그리고 다른 색깔을 사용하여 알루미늄 물자의 마모 저항을 개량하고, 서비스 기간을 머리말을 붙이고 광택과 광택을 추가하기 위하여 적용됩니다.

According to Embodiment 6, a protective circuit is formed using a non-linear element including an oxide semiconductor; thus, a display device having a structure suitable as a protective circuit can be provided.
실시예 6에 따르면, 산화물 반도체를 포함하는 비선형 소자를 사용하여 보호막이 형성되고; According to the sixth embodiment, the protective film is formed using the non-linear element including an oxide semiconductor; 따라서, 보호 회로로서 적합한 구조를 갖는 표시 장치가 제공될 수 있다.

When exposed to air at this temperature, an oxide layer sublimes as the base metal reacts with oxygen, resulting in an oxidation process that resembles smoke.
이 온도에서 공기에 노출 될 때, 산화물 층은 기본 금속이 산소와 반응하여 승화되며, 연기와 유사한 산화 공정을 초래한다.

In other words, with the transistor 162(or the transistor 562) including an oxide semiconductor, a nonvolatile memory device which can store data even when power is not supplied can be achieved.
즉, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터(162)(또는 트랜지스터(562))에 의해, 전력이 공급되지 않는 때에도 데이터를 저장할 수 있는 비휘발성 기억 장치가 달성될 수 있다.

Note that such a compound semiconductor or an oxide semiconductor can be used for not only a channel portion of the transistor but also other applications.
이러한 화합물 반도체 또는 산화물 반도체가 트랜지스터의 채널 부분뿐만 아니라 다른 용도에도 사용될 수 있다.

In addition, the transistor 207 uses an oxide semiconductor so as to have an extremely low off-current;
The 부가적으로, 트랜지스터(207)는 는 매우 낮 은 off - 전류 를 갖 도록 산화물 반도체 를 사용 하 고; Additionally, the transistor 207 using an oxide semiconductor to have a very low off- current;

Thus, when it is combined with a transistor including an oxide semiconductor, a semiconductor device can perform operation(e.g., data reading operation) at a sufficiently high speed.
따라서, 산화물 반도체를 포함하는 트랜지스터와 조합되면, 반도체 장치는 충분히 고속으로 동작(예를 들어, 데이터 판독 동작)을 실시할 수 있다.