영어에서 Band gap 을 사용하는 예와 한국어로 번역
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Computer
Band gap energy.
밴드 갭.High band gap.
높은 띠 간격.Band gap engineering.
밴드 갭.Energy band gap.
에너지 밴드 갭.The band gap is approximately 5-7 eV.
밴드 갭은 약 5-7eV이다.It is this forbidden band that is called the band gap.
그 사이의 Forbidden band를 Band gap 이라고 합니다.Molecular structure, electronic structure, band gap energy, electrostatic moment, magnetization.
분자구조, 전자구조, 밴드갭 에너지, electrostatic moment, magnetization.Inp Wafer, Inp Substrate, Indium Phosphide Wafer,Indium Phosphide Band Gap.
Inp 웨이퍼, inp 기판, 인화 인듐 웨이퍼,인화 인듐 밴드 갭.Further, energy band gap(Eg) can be measured by a full automatic spectroscopic ellipsometer UT-300.
또한, 에너지 밴드 갭(E g )은 전자동 분광 엘립소미터 UT-300을 사용하여 측정할 수 있다.Scandium Oxide, Sc2O3,is an insulator with a band gap of 6.0 eV.
스칸듐 산화물, Sc2O3는,6 eV의 띠 간격을 가진 절연체입니다.Further, energy band gap(Eg) can be measured by a full automatic spectroscopic ellipsometer UT-300.
또한, 밴드 갭(E g )은 전자동 분광 타원 해석기(spectroscopic ellipsometer) UT-300을 사용하여 측정할 수 있다.Sunlight, however, contains many photons with energies greater than the band gap.
그러나 태양빛은 실리콘의 밴드갭보다 더 높은 에너지를 가진 많은 포톤들을 포함하고 있다.Band gap of the p-type inorganic compound semiconductor is preferably 2 eV or more, more preferably 2.5 eV or more.
이 목적의 p형 무기 화합물 반도체는, 밴드 갭이 2eV 이상인 것이 바람직하고, 또한 2.5eV 이상인 것이 바람직하다.In this study, we demonstrated a relatively easy method for giving graphene a band gap.
이 연구에서 우리는 graphene에게 밴드 갭을 제공을 위해 비교적 쉬운 방법을 보여주었다.Accordingly, the first upper semiconductor DBR 1071 is able to maintain high band gap energy, and favorably functions as an electron blocking layer.
따라서, 제1 상부 반도체 DBR(107 1 )은 밴드갭 에너지를 크게 유지할 수 있고, 전자 블록층으로서 바람직하게 기능한다.Shows that amorphous InGaZnO4 including an oxygen defect has a deep level in the band gap.
도 3은 산소 결함을 포함하는 비정질 InGaZnO 4 가 밴드갭 내에 깊은 준위를 갖는다는 것을 도시한다.Solar Cells: GaN's wide band gap covers the solar spectrum from 0.65 eV to 3.4 eV(which is practically the entire solar spectrum), making indium gallium nitride.
태양 전지: gan의 넓은 밴드 갭은 0.65 ev에서 3.4 ev (사실상 전체 태양 스펙트럼)의 태양 스펙트럼을 포함하여 인듐 갈륨 질화물.In small spheres of a semiconducting material the excess energy enables extra electrons to jump across the band gap.
반도체 물질의 작은 구 안에서, 잉여 에너지가 추가적인 전자들이 밴드갭을 가로질러 점프할 수 있도록 해주었다.For efficient energy transfer from the host to the dopant molecule,a necessary condition is that the band gap of the dopant is smaller than that of the host material.
호스트로부터 발광 물질까지의 효율적인 에너지 전달을 위해,필요 조건은 도판트의 밴드갭이 호스트 물질의 것보다 작다는 것이다.Others have shown how to create a band gap in graphene by adsorbing different gasses to its surface, but this is the first time it has been done with water,” he said.
기타의 표면에 다른 건가를 adsorbing으로 graphene에 밴드 갭을 만드는 방법을 보여주지만, 이것은 그것이 물로 완료되었습니다 처음이다"고 말했다.Each quantum well layer105a is made of GaInPAs, which is a composition inducing compressive strain, and has a band gap wavelength of about 780 nm.
각 양자 우물층(105a)은,압축 왜곡을 유기하는 조성인 GaInPAs로 이루어지고, 약 780 nm의 밴드갭 파장을 가진다.Compared with graphene, molybdenum disulfide has a band gap of 1.8eV, so molybdenum disulfide in the field of nano-transistor has a very wide application space.
그래 핀과 비교하여, 이황화 몰리브덴이 1.8EV의 밴드 갭을 가지며, 따라서, 이황화 몰리브덴 나노 트랜지스터의 분야에서 매우 광범위한 어플리케이션 공간을 가질 수있다.If V. sub. OX exceeds a critical value, e.g., 8 V, during Fowler-Nordhiem tunneling,the tunnel electrons can gain enough energy to exceed the band gap energy of the oxide, which is approximately 8-9 eV.
만약 V ox 가 임계치, 예를 들어, 8V를 초과하면, 파울러 노르트하임 터널링(Fowler-Nordheim tunneling) 동안,터널 전자는 대략 8 내지 9eV인 산화물의 밴드갭 에너지를 초과하기에 충분한 에너지를 획득할 수 있다.Although this band gap may be too high for optimum conversion efficiencies, it is clear from the above that homogeneous material can be produced even for high S containing films.
비록 이러한 밴드 갭이 최적의 변환 효율을 위해서 너무 높을지라도, 그것은 균질의 물질이 높은 S 함유 필름들에 대하여도 산출될 수 있다는 위의 사실로부터 분명하다.In order to provide different sets of films withdifferent energy band gaps, the silicon films may be alloyed with germanium to change the band gap of the films.
서로 다른 조의 필름에 서로 다른에너지 This is a process to section this grown silicon ingot into thin wafers with even thickness Because silicone wafer made of silicon has a relatively wide energy band gap as broad as about 1.2e, there is an advantage able to operate at relative high temperature.
성장된 규소 봉을 균일한 두께의 얇은 웨이퍼로 잘라내는 과정이다. 실리콘으로 만들어진 실리콘 웨이퍼는 약 1.2 eV의 넓은 Energy Band gap을 가지고 있기 때문에 비교적 고온에서도 소자가 동작할 수 있는 장점이 있다.Light emitting diodes easily adjust the band structure and band gap of materials through chemical modification, and achieve red, yellow, green and orange multi color emission.
발광 다이오드는 화학적 변형을 통해 물질의 Light-emitting diode easily through the chemical modification method, adjust the material band structure and band gap, to achieve red, yellow, green and blue orange multi-color light.
발광 다이오드는 화학적 변형을 통해 물질의 The conversion efficiencies were critically related to the band gap of the sample alloys and varied between 8% and 15%, the best device being that with the lowest band gap(sample 200375-b).
상기 변환 효율들은 상기 샘플 합금들의 밴드 갭에 임계적으로 관련되고 8%와 15% 사이에서 변화하며, 최적 소자는 가장 낮은 밴드 갭(샘플 200375-b)을 가진다.
