영어에서 Effect transistor 을 사용하는 예와 한국어로 번역
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Field Effect Transistor.
Abbreviation for Field Effect Transistor.
Field Effect Transistor (전계 효과 트랜지스터)의 약어.Field Effect Transistors.
장효과 트랜지스터.PTF10137 is a 12 Watts,1.0 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor.
PTF10137는 와트 12,1 GHz GOLDMOS 전계효과 트랜지스터입니다.Field Effect Transistor(837).
전계효과 트랜지스터 (837).N7002dw-7-f dual n-channel enhancement mode field effect transistor.
N7002DW-7-F는 전계효과 트랜지스터 N 수로 증진 형태 이중으로 합니다.Field Effect Transistor AO3400A N-Channel Enhancement Mode 30V.
전계효과 트랜지스터 AO3400A N 수로 증진 형태 30V.N7002 Enhancement Mode Field Effect Transistor VDSS 20v ID 6.0 A.
N7002 증진 형태 전계효과 트랜지스터 VDSS 20v ID 6 A.V CoolMOS P7 Power Transistor IPA80R1K4P7 MOS tube Field effect transistor.
V CoolMOS P7 힘 ETH1506-M3 Insulated Gate Field Effect Transistor New And Original Stock.
ETH1506-M3에 의하여 격리되는 문 전계효과 트랜지스터 새로운 본래 주식.V CoolMOSTM CE Power Transistor IPA80R1K4CE Field Effect Transistor.
V CoolMOSTM 세륨 힘 BD7905FS-E2 Field Effect Transistor High Power Mosfet Transistors. .
BD7905FS-E2 전계효과 트랜지스터 고성능 Mosfet 트랜지스터.Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor.
Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor(금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터).V Mos Field Effect Transistor N Channel AlphaSGT HXY4264 Silicon Material.
V MOS 전계효과 트랜지스터 N 채널 AlphaSGT HXY4264 실리콘 물자.PTF10134 100 Watts,2.1-2.2 GHz GOLDMOS Field Effect Transistor ERICSSON RF Power Transistors. .
PTF10134 100개 와트,2.1-2.2 GHz GOLDMOS 전계효과 트랜지스터 ERICSSON RF 힘 트랜지스터.Field effect transistors: Heterojunctions are used in high electron mobility transistors(HEMT) which can operate at significantly higher frequencies over 500 GHz.
전계 효과 트랜지스터: 이형 접합은 상당히 높은 주파수 (500GHz 이상)에서 작동할 수 있는 고 전자 이동성 트랜지스터(HEMT)에 사용된다.N- Channel Mosfet Field Effect Transistor AUIPS7125RTRL ROHS Listed.
N- 목록으로 만들어지는 채널 Mosfet 전계효과 트랜지스터 AUIPS7125RTRL ROHS.The active layer of the field effect transistor includes such a transparent amorphous-oxide semiconductor as to be capable of realizing a normally off state.
상기 전계 효과형 트랜지스터의 활성층은, 노멀리 오프상태를 실현할 수 있는 투명 비정질 산화물 반도체를 포함하고, An active layer of the field effect transistor, and a transparent amorphous oxide semiconductor capable of realizing a normally off state.SiC epi wafer is mainly used for Schottky diodes, metal-oxide semiconductor field-effect transistors, junction field effect transistors, bipolar junction transistors, thyristors, GTO, and insulated gate bipolar.
Sic 에피 웨이퍼는 주로 쇼트 키 다이오드, 금속 산화막 반도체 전계 BU9716B Power Field Effect Transistor High Voltage Transistor ROHS Passed.
통과되는 BU9716B 힘 전계효과 트랜지스터 고전압 Relays can be replaced with Field Effect Transistors of an appropriate type to reduce the mechanical nature of the design.
계전기는 설계의 기계적 특성을 줄이기 위해 적절한 유형의 전계 효과 트랜지스터로 교체할 수 있다.IPD70R1K4P7S Series 700V CoolMOS P7 Power Transistor Field Effect MOS Tube.
Lt;Short channel effect in transistors using oxide semiconductors>
Lt;산화물 반도체를 사용한 트랜지스터에서의 쇼트 채널 효과> <Short-channel effects in a transistor using an oxide semiconductor>
