영어에서 Memory array 을 사용하는 예와 한국어로 번역
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Computer
Forming a memory array;
메모리 어레이; Memory array;Address signals are received and decoded to access memory array 104.
When you release the memory array elements, you must use the appropriate mode, depending on what changes you made.
메모리 배열 요소를 해제하는 경우에는, 어떤 변경을 수행하는지에 따라 적절한 모드를 사용해야 합니다.The researchers demonstrated the technique's ability to rewrite a small 24-bit memory array.
이 팀은 이 기술이 작은 24 비트 메모리 어레이를 다시 쓰는 능력을 보여주었다.If the flash memory array 215 is available then the next three operations can all occur at approximately the same time.
플래시 메모리 어레이(215)가 유효할 경우, 다음의 3개의 연산이 동시에 모두 발생할 수 있다.If there is enough free space to write the data, then the data is written to the free space in the memory array.
데이터를 기록하기에 충분한 자유 공간이 존재하는 경우, 데이터는 메모리 어레이내의 자유 공간에 기록된다.Circuits 27 interface with the memory array chip(s) and circuits 29 interface with a host though connections 31.
회로들(27)은 메모리 어레이 칩(들)과 인터페이스하고 회로들(29)은 접속부(31)를 통해 호스트와 인터페이스한다.If head data is to be written,then the system determines whether the flash memory array 215 is ready at 720.
헤드 데이터가 기록될 경우,그 후, 시스템은 플래시 메모리 어레이(215)가 준비되었는지 여부를 판단한다[단계(720)].Management tables stored in flash memory array 215 can include a head mapping table 325 and a block linking table.
플래시 메모리 어레이(215)에 저장되는 관리 테이블은 헤드 매핑 테이블(325)과, 블록 링킹 테이블을 포함할 수 있다.Memory array 540 can include, for example, MLCs, such as MLCs that can store eight or sixteen program states.
메모리 어레이(540)는 예를 들어, 8개 또는 16개의 프로그램 상태들을 저장할 수 있는 MLC들과 같은 MLC들을 포함할 수 있다.The initial value may be any value related to the head position of the memory array 201, and is generally set equal to 0.
초기 값은 메모리 어레이(201)의 헤드 위치에 관계된 임의의 값일 수 있으며, 일반적으로 0으로 세팅된다.The capacity of the memory array 201 is not restricted to 256 bits but may be varied adequately according to the capacity of data to be stored.
메모리 어레이(201)의 용량은 256 비트로 제한되지 않고 격납될 데이터 용량에 따라 적절하게 변경될 수 있다.The 3-bit identification data following the write command can thus be written in the first 3 bits of the memory array 201.
따라서, 기록 명령 이후에 오는 3-비트 식별 데이터는 메모리 어레이(201)의 처음 3 비트에 기록될 수 있다.Namely the data at the addresses in the memory array 201 that do not require rewiring are overwritten by the same values.
즉, 재기록을 요구하지 않는 메모리 어레이(201)의 어드레스들에 있는 데이터는 동일한 값들로 겹쳐 기록된다(overwrite).In one embodiment, the head mapping table 325 has only one entry for each valid head data fragment stored in the flash memory array 215.
한 가지 실시예에서, 상기 헤드 매핑 테이블(325)은 플래시 메모리 어레이(215)에 저장되는 유효한 헤드 데이터 프래그먼트에 대해 각각 단 하나의 엔트리를 갖는다.Typically, in a monolithic three dimensional memory array, one or more memory device levels are formed above a single substrate.
전형적으로, 모놀리식 3차원 메모리 어레이에서, 하나 이상의 Also, a memory array may be partitioned into more than one plane, where only one MEU within a plane may be programmed or erased at a time.
또한, 메모리 어레이는 하나 이상의 평면으로 구획화될 수 있으며, 여기서, 하나의 평면내에는 단 하나의 MEU가 한번에 프로그램 또는 삭제될 수 있다.The instructions and/or data may be retrieved from the memory array and sequenced and/or buffered before the FUC begins to execute instructions on the data.
지시들 및/또는 데이터는 메모리 어레이로부터 검색될 수 있으며 FUC가 데이터에 대한 지시들을 실행하기 시작하기 전에 시퀀싱 되고 및/또는 버퍼링될 수 있다.A research team led by Professor Robert Wolkow, from the Department of Physics at the University of Alberta in Canada, wanted to develop a more efficient method to rewrite atomic memory arrays.
캐나다 앨버타대학교 물리학과의 Robert Wolkow 교수가 이끄는 연구팀은 원자 메모리 어레이를 다시 작성하는 보다 효율적인 방법을 개발하고자 했다.This transfers the selected row from the memory array to one of 4 or 8(selected by the BA bits) row data buffers, where they can be read by a Read command.
이 경우 메모리 배열에서 선택된 행은 그것들이 읽기 명령에 의해 읽을 수 있는 4 또는 8 행 데이터 버퍼(BA비트로 선택된)로 전송한다.When the ID comparator 203 determines incoincidence of the ID data(that is, in the case of negativeanswer at step S230), the host computer 10 is not allowed to access the memory array 201.
ID 비교기(203)가 ID 데이터가 불일치함을 결정할 때{즉,단계(S230)에서 부정적인 대답을 얻는 경우에}, 호스트 컴퓨터(10)의 메모리 어레이(201)에 대한 액세스는 허용되지 않는다.Such a card may includethe entire memory system, or the controller and memory array, with associated peripheral circuits, may be provided in separate cards.
이러한 카드는 전체 Memory array 440 can include, for example, single level memory cells(SLCs) and/or multilevel memory cells(MLCs) that can store four program states.
메모리 어레이(440)는 예를 들어, 단일 레벨 The instructions and/or data may be retrieved from the memory array and sequenced and/or buffered before the functional unit circuitry begins to execute instructions on the data.
명령어 및/또는 데이터는 메모리 어레이로부터 검색되고 그리고 기능 유닛 회로가 데이터에 명령어를 실행하기 시작하기 전에 시퀀싱 및/또는 버퍼링될 수 있다.However, if the flash space was limited, then mechanisms would need to be implemented that allow the head data 305 to be removed from the flash memory array 215 in order to make room for new head data.
그러나 플래시 공간이 제한되어 있을 경우, 새로운 헤드 데이터를 위한 공간을 형성하기 위해, 헤드 데이터(305)가 플래시 메모리 어레이(215)로부터 제거될 수 있는 수단이 구현될 필요성이 있다.The memory arrays can include a number of memory cells organized into a number of physical blocks, and the physical blocks can be organized into a number of pages.
메모리 어레이는 다수의 물리 페이지(physical page)로 조직화된 다수의 In this embodiment, the function of the flash controller 220 is not required and the flash memory array 215B does not form part of a logical data storage device, but is used directly as a physical store.
본 실시예에서, 플래시 컨트롤러(220)의 기능은 요구되지 않고, 플래시 메모리 어레이(215B)는 논리 데이터 저장 장치의 부분을 형성하지 않으나, 물리적 저장소로서 직접 사용된다.The substrates may be thinned or removed from the memory levels before bonding, but as the memory levels are initially formed over separate substrates,such memories are not true monolithic three-dimensional memory arrays.
기판은 본딩 이전에 박막화(thin)되거나 In a number of embodiments, memory array 440 may not include any reference memory cells, e.g., memory array 440 may include only data memory cells.
다수의 실시예들에서, 메모리 어레이(440)는 어떠한 레퍼런스 Eventually, the mass storage device 150 must, depending upon its error-handling routine, either transfer old head data before accepting new head data orstop using the flash memory array 215 and exclusively use the hard drive 210 for new data fragments.
결국, 대용량 저장 장치(150)는 자 신의 에러-핸들링 루틴(error-handling routine)에 따라서, 새로운 헤드 데이터를 수락하기 전에 오래된 헤드 데이터를 전송하거나,또는 플래시 메모리 어레이(215)를 사용하기를 중단하고, 새로운 데이터 프래그먼트를 위해 하드 드라이브(210)를 배타적으로(exclusively) 사용한다.
