PROCESSING CHAMBER 한국어 뜻 - 한국어 번역

• 처리 챔버
• 프로세싱 챔버

영어에서 Processing chamber 을 사용하는 예와 한국어로 번역

Closed processing chamber with fume extraction system reduces chemical exposure for the user.
냄새제거장치가 있는 밀폐형 프로세싱 챔버가 사용자의 화학물질 노출을 감소시킵니다.

For instance, the distribution sequence may involve maximizing the use of the“fastest” processing chamber.
예를 들어, 분배 순서는 "가장 빠른(fastest)" 처리 챔버의 사용을 최대로 하는 것을 포함할 수 있다.

Step 216 inquires as to whether the plasma is on in the processing chamber 36, and therefore may be identical to step 224 discussed above.
단계(216)는 플라스마가 처리 챔버(36)에서 온인지, 그래서 상기에서 논의된 단계(224)와 동일할 수 있는지에 대하여 문의한다.

As such, the gas supply section 200 can supply many different desired gas mixtures to the plasma processing chamber 12.
이와 같이, 가스 공급부 (200) 는 많은 상이한 원하는 가스 혼합물을 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 에 공급할 수 있다.

This unique innovation enables an unprecedented number of etch processing chamber locations and doubles the capacity of traditional silicon etch systems.
이 혁신적인 시스템은 전례없이 많은 식각 공정 챔버 배치를 가능하게 하고 종래의 실리콘 식각 시스템 대비 2배의 용량을 제공합니다.

The wafer handling assembly 44 will retrieve one of the wafers 18 from the cassette 6 and transport the same into the processing chamber 36.
웨이퍼 처리 어셈블리(44)는 웨이퍼(18)의 하나를 카세트(6)로부터 검색하고 그것을 처리 챔버(36)으로 수송할 것이다.

These differences can be readily identified to in turn identify when the processing chamber 36 should be cleaned in at least some manner.
이러한 차이점을 쉽게 식별되어 처리챔버(36)가 적어도 어떠한 방법에 의하여 세정되어야 할 때를 식별하게 한다.

New spectral patterns from this new plasma process will then be available to assess further runnings of plasma processes on this same processing chamber 36.
이러한 새로운 플라스마 처리로부터의 새로운 스펙트럼 패턴은 이러한 동일한 처리 챔버(36)상에서의 추가 실행의 플라스마 처리를 액세스하는 것을 가능케 한다.

The vacuum processing chamber 15 is provided with an exhaust port and is provided with an automatic pressure control valve 22(also referred to as APC).
또한, 진공 챔버(15)에는 배기구가 마련되며, 자동 압력 제어 밸브(22)(Automatic Pressure Control valve, APC라고도 부른다)가 구비되어 있다.

The highly efficient chambers are 3m long and devided in to 2 sections, each one with individual control of the airflow, to ensure even temperature in the processing chamber.
매우 능률적인 약실은 가공 약실에 있는 온도 조차 지키기 위하여 2개의 단면도, 기류의 각개조정에 각자에 안으로 긴 분할된 3m.

Optionally, processing chamber may be purged with nitrogen up to a pressure of about 10 Torr to about 20 Torr and then pumped down to the pressure in the range of about 30 mTorr.
선택적으로, 처리 챔버는 약 10 Torr 내지 약 20 Torr의 압력까지 질소로 정화된 다음, 약 30 mTorr 범위의 압력으로 펌핑 다운될 수 있다.

That is, each main data entry 350 is reserved for storing information which is used to evaluate plasma processes which are to be conducted in this same processing chamber 36.
즉, 각 메인 데이터 엔트리(350)는 이 동일한 처리 챔버(36)에서 수행될 예정인 플라스마 처리들을 평가하는데 사용되는 정보를 저장하기 위하여 남겨둔다.

Another way in which this may be done is to determine when any of the spectra from the interior of the processing chamber 36 have at least a certain number of discrete peaks of a least a certain intensity.
이것이 수행되는 다른 방법은 처리 챔버(36)의 내부로부터의 어떤 스펙트럼이 최소한 어떤 세기의 최소한 어떤 수의 개별 피크들을 가질 때를 판단하는 것이다.

Optionally, the processing chamber may be purged with nitrogen up to a pressure of about 10 Torr to about 20 Torr and then pumped down to the pressure in the range of about 30 mTorr, as previously described.
선택적으로, 처리 챔버는 약 10 Torr 내지 약 20 Torr의 압력까지 질소로 정화된 다음, 이전에 기술된 것처럼 약 30 mTorr 범위의 압력으로 펌핑 다운될 수 있다.

Entries in the normal spectra subdirectory 288 are thereby used as a“model” or“standard” for the evaluation of plasma processes conducted in this very same processing chamber 36 at some future time.
그래서 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 있는 엔트리들은 어떤 미래 시간에 바로 이 동일한 처리 챔버(36)에서 수행되는 플라스마 처리들의 평가를 위한 "모델" 또는 "표준"으로서 사용된다.

Consider that a single semiconductor fabrication facility may have up to 200-300 processing chambers and that each processing chamber in commercial production may process at least about 15-20 wafers per hour.
단일 반도체 제조 설비가 200-300개까지 처리 챔버를 구비하고, 상업용 생산에서 각 처리 챔버는 적어도 시간당 약 15-20개의 웨이퍼를 처리한다고 생각하자.

One aspect of any plasma process which may be monitored through the subject eighteenth aspect is to identify an occurrence of at least one endpoint which is associated with a plasma process being run in a processing chamber.
해당 제18 형태를 통해 감시될 수 있는 플라스마 처리의 한 관점은 처리 챔버 안에서 실시되는 플라스마 처리에 관련된 적어도 하나의 종료점의 발생을 식별하는 것이다.

For instance, spectral data from two separate runnings of plasma recipe A on the same type of product in the associated processing chamber 36 may actually be included in the normal spectra subdirectory 288.
예를 들어, 관련된 처리 챔버(36)에서 동일한 타입의 제품에 대한 플라스마 레시피 A의 두 개의 개별 실행들로부터의 스펙트럼 데이터는 실제적으로 정상 스펙트럼 서브디렉토리(288)에 포함될 수 있다.

As noted above, these errors in the main data entries 346 have preferably been identified(e.g., the cause(s) of the error has been determined), and are thereby a“known” condition which may be encountered when running a plasma process in the processing chamber 36.
상기에서 언급된 바와 같이, 메인 데이터 엔트리들(346)에서의 이 에러들은 바람직하게 확인되었고 (예를 들어, 에러의 원인(들)이 판단되었고), 그래서 처리 챔버(36)에서 플라스마 처리를 수행할 때 직면할 수 있는 "알려진" 조건이다.

The current plasma process module 250 may use this information on“dirty chamber conditions” to identify when a processing chamber 36 is in condition for cleaning, and further such that appropriate actions may thereafter be undertaken.
현재 플라스마 처리 모듈(250)은 처리 챔버(36)가 세정할 조건에 있고 더 나아가 그 후에 적절한 동작들이 취해져야 하는지를 확인하기 위하여 "더러운 챔버 조건"에 대하여 이 정보를 사용할 수 있다.

With appropriate gases being contained within the processing chamber 74 and under other appropriate conditions(e.g., pressure, temperature, flow rate), an appropriate voltage may be applied to one or more of the wafer pedestal 106 and the showerhead 94 to create the plasma within the chamber 74 above the wafer platform 104.
적절한 가스들이 처리 챔버(74) 내에 다른 적당한 조건들(예를 들어, 압력, 온도, 흐름속도)하에서 함유되면서, 적당한 전압이 웨이퍼 플라스마(104) 상부의 챔버(74) 내에서 플라스마를 발생시키기 위하여 하나 이상의 웨이퍼 축받이(106) 및 샤워헤드(94)에 적용될 수 있다.

The particular gases supplied by the respective gas sources 202-216 can be selected based on the desired process that is to be performed in the plasma processing chamber 12, e.g., particular dry etching and/or material deposition processes.
각 가스 소스들 (202-216) 에 의해 공급된 특정 가스는, 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 내에서 수행되는 원하는 프로세스 (예를 들어, 특정 건식 에칭 및/또는 재료 증착 프로세스) 에 기초하여 선택될 수 있다.

Data regarding process control parameters or conditions associated with the processing chamber 36 may also be included in each of the above-described subdirectories of the plasma spectra directory 284 for a specific data entry, particularly in the case of the abnormal spectra subdirectory 292 and the unknown conditions subdirectory 296.
처리 챔버(36)과 관련되는 처리 제어 파라미터들 또는 조건들에 관한 데이터는 또한 특정 데이터 엔트리를 위한 플라스마 스펙트럼 디렉토리(284)의 상기에서 설명된 서브디렉토리들의 각각에, 특히 비정상 스펙트럼 서브디렉토리(292) 및 알려지지 않은 조건 서브디렉토리(296)에 포함될 수 있다.

Each storage tank 154 b-d is fluidly interconnected with a mixer 166 by gas lines 158 b-d where the feed gases may be appropriately mixed prior to being provided to the processing chamber 74 through the showerhead 94 via the gas line 158 e.
각 저장 탱크(154b-d)는 가스 라인들(158b-d)에 의하여 믹서(166)와 유동적으로 상 호접속되어 있으며, 여기에서 인가 가스들은 가스라인(158e)을 거쳐 샤워헤드(94)를 통하여 처리 챔버(74)로 제공되기 전에 적당하게 혼합될 수 있다.

In other words, a first group of valves 440 is opened and a second group of valves 440 is closed to supply the first gas to the plasma processing chamber 12, and then the same first group of valves is closed and the same second group of valves 440 is opened to change the gas flow to supply the second gas to the plasma processing chamber.
다시 말하면, 제 1 그룹의 밸브 (440) 는 개방되고 제 2 그룹의 밸브 (440) 는 폐쇄되어, 플라즈마 프로세싱 챔버 (12) 에 제 1 가스를 공급하고, 그 다음에, 동일한 제 1 그룹의 밸브가 폐쇄되고 동일한 제 2 그룹의 밸브 (440) 가 개방되어 플라즈마 프로세싱 챔버로 제 2 가스를 공급하도록 가스 흐름을 변경한다.

If the spectral data from a plasma process recorded in the unknown spectra subdirectory 296 is identified as being a new plasma process, and if a determination is made to use this spectral data as a standard for evaluating further runnings of this same plasma process on this same processing chamber 36, this spectral data may be transferred to the normal spectra subdirectory 292.
알려지지 않은 스펙트럼 서브디렉토리(292)에 기록된 플라스마 처리로부터의 스펙트럼 데이터가 새로운 플라스마 처리로서 확인된다면, 그리고 이 동일한 처리 챔버 상에서 이 동일한 플라스마 처리의 추가적 수행들을 평가하기 위한 표준으로서 이 스펙트럼 데이터를 사용하려는 결정이 이루어진다면, 이 스펙트럼 데이터는 정상 스펙트럼 서브디렉토리(292)로 전달될 수 있다.

Generally, the current plasma process module 250 receives data from the current plasma process being conducted within the plasma processing chamber 36, and in all but one case(the research module 1300) compares this data or at least a portion thereof with data from one or more plasma processes previously conducted within this very same plasma processing chamber 36 to evaluate or monitor the current plasma process.
일반적으로, 현재 플라스마 처리 모듈(250)은 플라스마 처리 챔버(36) 내에서 수행되는 현재 플라스마 처리로부터 데이터를 접수하고, 한 경우 (조사 모듈(1300))를 제외한 모두에서, 현재 플라스마 처리를 평가하거나 감시하기 위하여 이 데이터 또는 그것의 최소한 한 부분을 바로 이것과 동일한 플라스마 처리 챔버(36) 내에서 이전에 수행된 하나 이상의 플라스마 처리들로부터의 데이터와 비교한다.

If the“response” to the inquiry of step 208 is a“yes”, the startup subroutine 204 proceeds to step 224 where a determination is made as to the status of the plasma in the processing chamber 36-specifically whether the plasma is“on” through optical analysis by the current plasma process module 250.
단계(208)의 문의에 대한 "응답"이 "예"라면, 시동 서브루틴(204)은 단계(224)로 진행되는데, 여기에서 처리 챔버(36)에서 플라스마의 상태에 대하여 - 특정적으로는 플라스마가 현재 플라스마 처리 모듈(250)에 의한 광 분석을 통하여 "온(ON)"되는지에 대하여 판단이 이루어진다.

Food Processing Refrigerating Chamber Hospital Airport.
Etc에서 가공 식품 냉장 약실 병원 공항.

For example, the power may range from about 600 W to about 6000 W for a chamber processing four 300 mm wafers.
예를 들어, 전력은 4개의 300 mm 웨이퍼들을 프로세싱하는 챔버에 대해 약 600 W 내지 약 6000 W의 범위일 수도 있다.

영어 문장에서 "processing chamber"를 사용하는 방법

A controller 490 is coupled to the processing chamber 400.

Therefore the processing chamber has no hoses and connections inside.

The processing chamber should be located far from dusty roads.

Such a processing chamber can suitably function as a humidify chamber.

This is the processing chamber in which the material is processed.

The Processing Chamber is programmed for most effective and efficient treatment.

Its processing chamber is powered by a Qualcomm Snapdragon 821 chipset.

FIGS. 7 to 10 are views illustrating a processing chamber station.

In process 402, a semiconductor processing chamber and substrate are provided.

한국어 문장에서 "처리 챔버"를 사용하는 방법

바람직하게는 상기 캐리어 가스 및 단량체는 처리 챔버 안에 진입되기 전 혼합되어, 처리에 앞서 상기 캐리어 가스와 단량체의 혼합이 개선된다.

다른 구현예로서, 상기 입자 분배 시스템은 상기 입자를 처리 챔버 내로 공급하는 하나 이상의 펌프를 포함한다.

필터 어셈블리에 사용되는 필터의 개수 및 포어 사이즈는 전형적으로 처리 챔버 내에서 혼합되는 입자 및 배합물에 의존한다.

상기 혼합 시스템은 처리 챔버 및 입자들을 상기 배합물과 혼합하기 위한 처리 챔버에 분배할 수 있는 입자 분배 시스템을 포함한다.

0 이상으로 처리 챔버 내로 다시 이송된다.

상기 배합물과 혼합되는 입자들은 처리 챔버 하우징의 유입 영역 내로 이송된다.