영어에서 The oxide 을 사용하는 예와 한국어로 번역
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Remove the oxide layer.
The oxide semiconductor and 4H-SiC have some commonalities.
산화물 반도체 및 4H-SiC는 몇몇 공통점들을 가진다.Plane of the oxide film.
산화막으로 이루어지는 Composed of an oxide film.It enables to obtain smooth and compact surfaces and reduce the oxide formation.
그것은 매끄럽고 조밀한 표면을 얻고 산화물 대형을 감소시키는 것을 가능하게 합니다.Further, the oxide semiconductor may contain SiO 2.
또한, 상기 산화물 반도체막은 SiO 2 를 포함할 수 있다.Purification of the oxide film;
산화막 생성법의 예 EXAMPLES Generation of the oxide film;Further, the oxide semiconductor may contain SiO 2.
또한, 상술한 산화물 반도체막은 SiO 2 를 포함할 수도 있다.Grounding Clip For Solar Chips for piercing the oxide film on the surface of the rails.
The oxide is used to make special high refractive index glass for camera lenses.
Thus, oxygen vacancies of the oxide semiconductor stack 144 can be reduced.
따라서, 산화물 반도체 적층(144)의 산소 결손은 저감될 수 있다.The oxide under the gate is removed using a GA(Gate to Active) contact mask.
반지 나사는 전체적으로 위조되고 산화물 피부를 정상화하고 제거해서 대우됩니다.산화물 반도체층(620)의 두께는 원하는 특성에 따라 적절히 설정할 수 있다.In this case, the heat treatment may not be performed after the oxide insulating layer 396 is formed.
이 경우 상기 산화물 절연층(396)의 형성후에 가열 처리를 수행하지 않을 수도 있다.품질 및 일관성 산화물 층의 형성, 주로 서피스 마무리의 품질에 따라 달라 집니다….In this embodiment, the second heat treatment is performed after formation of the oxide insulating layer 107;
이 실시형태에서, 제 2 열 처리는 산화물 절연층(107)의 형성 후에 수행된다;Therefore, the transistor using the oxide semiconductor cannot be said to have sufficient reliability yet.
따라서, 산화물 반도체를 이용한 트랜지스터는, 아직 충분한 신뢰성을 가지고 있다고는 할 수 없다.과정에서 적용 되는 더 많은 전압, 달성 되는 두꺼운 산화물 레이어.From there, the oxide is heated in an atmosphere of hydrogen, reducing the tungsten to elemental powder, leaving behind water vapor.
거기에서, 산화물은 수소 분위기에서 가열되어 텅스텐을 원소 가루로 환원시켜 수증기를 남긴다.Thus, water(H2O) can be prevented from being contained again in the oxide semiconductor layers in later steps.
따라서, 물(H 2 O)이 나중 단계들에서 산화물 반도체층들에 다시 함유되는 것이 방지될 수 있다.When properly controlled, the oxide can be recovered and reduced again to reclaim its molybdenum content. To avoid oxidation loss however, molybdenum is often utilized in inert or vacuum environments.
언제 적절하게 제어되면, 산화물은 회수되고 감소 될 수있다 다시 몰리브덴 함량을 되찾기 위해 산화를 피하려면 그러나 손실, 몰리브덴은 종종 불활성 또는 진공 환경.Our cobalt chrome dental casting alloys enables to obtain smooth and compact surfaces and reduce the oxide formation.
우리의 코발트 Chrome 치과 주조 합금은 매끄럽고 조밀한 표면을 얻고 산화물 대형을 감소시키는 것을 가능하게 합니다.Composite powder size, the oxygen content of the oxide powder milling time varies with the following table.
복합 분말 크기, 산화물 분말 밀링 시간의 산소 함량은 다음 표에 따라 다릅니다.In avalanche multiplication and electron injection, the electrons just jump over the barrier at the silicon surface, i.e.,3.2 eV, and become less energetic and are trapped once they reach the oxide.
애벌런치 증가(avalanche multiplication) 및 전자 주입에서, 전자는 실리콘 표면에서의 장벽, 즉,3.2eV를 뛰어 넘어서, 산화물에 도달하면 점차 덜 활동적이 된다.In this case, the heat treatment after the formation of the oxide insulating layer 396 is not necessarily performed.
이 경우, 가열 처리는 산화물 절연층(396)의 형성 후 반드시 수행될 필요가 없다.If V. sub. OX exceeds a critical value,e.g., 8 V, during Fowler-Nordhiem tunneling, the tunnel electrons can gain enough energy to exceed the band gap energy of the oxide, which is approximately 8-9 eV.
만약 V ox 가 임계치, 예를 들어, 8V를 초과하면,파울러 노르트하임 터널링(Fowler-Nordheim tunneling) 동안, 터널 전자는 대략 8 내지 9eV인 산화물의 밴드갭 에너지를 초과하기에 충분한 에너지를 획득할 수 있다.Accordingly, among the semiconductors with wide band gaps, the oxide semiconductor particularly has an advantage of high mass productivity.
따라서, 넓은 밴드 갭을 갖는 상기 반도체 중에서, 특히, 산화물 반도체는 높은 대량 생산 효율의 장점을 가진다.In this case, it is preferable to remove the residual moisture in the treatment chamber during the film formation of the oxide insulating layer 316.
상기 경우에, 상기 산화물 절연 층 ( 356 ) 의 성막 에 있 어서 상기 처리 실에 서의 잔여 수분 을 제거 하 는 것 이 바람직 하 다. * In this case, it is preferable to remove In 1782, at Scheele's suggestion, Peter Jacob Hjelm chemically reduced the oxide with carbon, obtaining a dark metal powder that he named'molybdenum.'.
When the oxide semiconductor layer is heat-treated at a temperature of 400° C or more and less than 750° C, dehydration or dehydrogenation of the oxide semiconductor layer can be achieved;
산화물 반도체층들이 400℃ 이상 750℃ 미만에서 열 처리를 받을 때, 산화물 반도체층들의 탈수화 또는 탈수소화가 달성될 수 있다; When the oxide semiconductor layer to be a heat treatment at less than 750 ℃ than 400 ℃, it can upset dehydration or dehydrogenation of the oxide semiconductor layers can be achieved;
