Eksempler på brug af Random access på Spansk og deres oversættelser til Dansk
{-}
-
Colloquial
-
Official
-
Medicine
-
Financial
-
Ecclesiastic
-
Official/political
-
Computer
¿Qué es ram o random access memory?
Random Access Memory(memoria de acceso aleatorio).
También conocida como"Random Access Memory".
Random Access Memory(Memoria de Acceso al Azar o Aleatoria).
La memoria principal también se conoce como RAM(Random Access Memory).
Combinations with other parts of speech
Brug med adjektiver
office accessfácil accessmicrosoft accesskors accessweb accessinternet accessaccess consciousness
origin accessaccess to
adagio access
Mere
Random Access Memories es el cuarto álbum de estudio del dúo francés Daft Punk.
En el 2013, solicitaron su colaboración con una pieza para su álbum Random Access Memories.
Random Access Memories es el cuarto álbum de estudio del dúo francés Daft Punk.
Fue presentado en 1956 como parte del IBM RAMAC(Random Access Method of Contability and Control).
La extensión ARA(Audio Random Access) para VST permite una interacción más estrecha entre Samplitude y Melodyne essential.
Actualmente se está realizando una investigación«antidumping»relativa a ciertos chips semiconductores denominados DRAMs(dynamic random access memories).
La memoria RAM(Random Access Memory) registra provisionalmente datos que permiten el funcionamiento del ordenador.
Pharrell también optó a 4 Premios Grammy este año- 2 por su participación en'Get Lucky', una comoÁlbum del Año por'Random Access Memories'de Daft Punk y una como Productor del Año.
El producto objeto de reconsideración son determinados circuitos integrados electrónicos conocidos como DRAM( Dynamic Random Access Memories, o memorias dinámicas de acceso aleatorio) fabricados utilizando variedades de el proceso tecnológico con semiconductores de óxido metálico llamado MOS, incluidos tipos de MOS complementarios( CMOS), de todos los tipos, densidades, variedades, velocidad de acceso, configuración, embalaje o soporte,etc., originarios de la República de Corea(" el producto afectado").
Procedimiento de reconsideración parcial del reglamento(CEE)n° 2112/90 relativo a las importaciones de determinados tipos de microestructuras electrónicas llamadas«DRAM»(«dynamic random access memories») originarias de Japón.
Anuncio de inicio de un procedimiento an tisubvención por la importación de determinados microcircuitos electrónicos conocidos como«DRAM»(dynamic random access memories, memorias dinámicas de acceso aleatorio) originarios de la República de Corea.
En abril la Comisión decidió aprobar, con arreglo a la letra c del apartado 3 del artículo 92. una subvención ad hoc por valor de 231 millones de ecus(450 millones de DM) pagaderos en cinco plazos anuales entre 19951999. que el Estado federado de Sajonia concede a Siemens AG para el establecimiento enDresden de nuevas instalaciones de ID y de fabricación de DRAM ι Dynamic Random Access Memories de 16 y 64 Mbit.
Propuesta de reglamento por el que se establece un derecho antidumping definitivo sobre las importaciones de determinados tipos de microestructuras electrónicas denominadas«DRAM»(«dynamic random access memories») originarios de Japón, y por el que se percibe definitivamente el derecho provisional.
Decisión 93/157/CEE de la Comisión por la que se aceptan los compromisos propuestos por tres productores en relación con el procedimiento antidumping sobre determinadas importaciones de microcircuitos electrónicos denominados«DRAM»(dynamic random access memories) originarios de la República de Corea.
Propuesta de reglamento del Consejo por el que se modifica el reglamento(CEE) n° 2112/90 por el que se establece un derecho antidumping definitivo sobre las importaciones de determinados tipos de microcircuitos electrónicos conocidos como DRAM(«dynamic random access memories») originarios de Japón, y por el que se percibe definitivamente el derecho provisional.
En la misma fecha, la Comisión aprobó 219 millones de euros en concepto de ayuda a lainversión en favor de Infineon Technologies SC 300 para la construcción de una nueva planta en Dresde(Sajonia), que produciría memorias RAM dinámicas(DRAM, Dynamic Random Access Memory: semiconductores que almacenan datos binarios) con una capacidad de almacenamiento de 512 megabitsy más(235).