What is the translation of " MOSFETS " in German?

• Mosfets
• MOSFET
• Mosfet's

Examples of using Mosfets in English and their translations into German

The C6 series is Infineon's fifth CoolMOS generation of MOSFETs.
Die C6-Familie ist Infineons fünfte Generation von CoolMOS-MOSFETs.

MOSFETs in the Dual Cool package can be used with or without a heat sink.
Die MOSFETs im Dual Cool Gehäuse können mit oder ohne Kühlkörper eingesetzt werden.

It is similar as with silicon: Silicon MOSFETs end at around 800 to 900 volts.
Es ist ähnlich wie bei Silizium: Silizium-MOSFETs enden bei etwa 800 bis 900 Volt.

PILOT 141 is a single-phase welding machine based on Power Mosfets.
Die Maschine ist eine auf der Power Mosfets basierende, einphasige Schweißanlage.

It uses 4 Mitsubishi RD70 Mosfets mounted on a copper heat spreader 200x60x3mm.
Mitsubishi RD70-Mosfets verwendet, die auf einem großen Kupferwärmeverteiler(200x60x3mm) montiert sind.

What's the temperature of the RX coil, TX coil and MOSFETs under operation?
Welche Temperaturen haben die Senderspule, die Empfängerspule und die MOSFETs im Betrieb?

Conventional Mosfets have a 4 to 7 times higher internal resistance than switching Mosfets.
Herkömmliche Audio-Mosfets weisen einen 4- bis 7-fachen Innenwiederstand als schaltende Mosfets auf.

The common solution to current control for power electronics is pulse width modulation(PWM) realized with MOSFETs or IGBTs.
Der gängige Lösungsansatz zur Stromregelung bei Leistungselektronik ist die Pulsweiten-Modulation(PWM) realisiert mit MOSFETs oder IGBTs.

MOSFETs are used both in highly integrated circuits and in power electronics as special power MOSFETs.
Der MOSFET wird sowohl in hochintegrierten Schaltkreisen als auch in der Leistungselektronik als spezieller Leistungs-MOSFET verwendet.

This module allows you to mount up to five drivers for stepper motors and has two exits with MOSFETs to drive motors, relay or hot wire to the polystyrene and adjust them in PWM.
Dieses Modul ermöglicht es Ihnen, bis zu fünf Treiber für Schrittmotoren zu montieren und hat zwei Ausgänge mit MOSFETs zu Antriebsmotoren, Relais oder heiße Draht um das Styropor und PWM anpassen.

To help you overcome these vacuum cleaning system challenges, Infineon offers a comprehensive portfolio of discrete IGBTs, such as the RC-Drives(RC-D) and RC-Drives Fast(RC-DF), discrete MOSFETs and IPMs.
Staubsaugertechnologie von Infineon Infineon bietet ein umfassendes Angebot an diskreten IGBTs, z. B. RC-Drives(RC-D) und RC-Drives Fast(RC-DF), sowie diskrete MOSFETs und IPMs.

Supports IGBTs, Voltage Regulators, MOSFETs, JFETs(including SiC types), transistors, diodes, LEDs, Triacs(up to 10mA), thyristors(up to 10mA) and lots more.
Es unterstützt IGBT's, Spannungs-regulatoren, MOSFET's, JFET's(beinhaltet auch den SiC-Typ), Transistoren, Dioden, LED's, Triac's(bis zu 10 mA), Thyristoren(bis zu 10 mA) und vieles mehr.

PWM algorithms that are able to minimise dead time can reduce these effects, while specifying MOSFETs with a low Vf fast recovery parallel diode is also advisable.
Diese Auswirkungen lassen sich mit Algorithmen zur PWM zur Verringerung der Verzugszeit reduzieren, dabei ist es ebenfalls empfehlenswert, parallel zum MOSFET eine Diode mit kurzer Sperrverzugszeit und geringer Vorwärtsspannung vorzugeben.

Supports IGBTs, Voltage Regulators, MOSFETs, JFETs(including SiC types), transistors, diodes, LEDs, Triacs(up to 10mA), thyristors(up to 10mA) and lots more.
Der ATLAS DCA75 PRO unterstützt IGBT's, Spannungsregulatoren, MOSFET's, JFET's(beinhaltet auch das SiC-Typ), Transistoren, Dioden, LED's, Triac's(bis zu 10 mA), Thyristoren(bis zu 10 mA) und vieles mehr.

Infineon will also offer the devices in a new high-performance Shrink SuperSO8(S3O8) 3 mm x 3 mm package that can yield up to a 60 percent board space savings required for MOSFETs in converter system designs.
Infineon bietet für die OptiMOS 3-Bausteine ein neues S3O8(Shrink SuperSO8)-Gehäuse an, das mit Abmessungen von nur 3 mm x 3 mm in einem Spannungswandler-Design bis zu 60 Prozent Boardfläche für die MOSFETs einspart.

In season four, next year, we will provide full-SiC modules, including MOSFETs, and plan to make the inverters even smaller and lighter by utilizing our SiC technology.
Nächstes Jahr, in der vierten Saison, werden wir Full-SiC-Leistungsmodule einschließlich MOSFETs liefern, und wir haben vor, die Wechselrichter unter Verwendung unserer SiC-Technologie sogar noch kleiner und leichtgewichtiger zu machen.

The MOSFETs can bring highest energy efficiency to end-applications such as power and gardening tools, light electric vehicles, drones and e-bikes that demand a high level of energy efficiency but are restricted in available space.
Für Endanwendungen wie Elektrowerkzeuge oder Gartengeräte, leichte Elektrofahrzeuge, Drohnen und E-Bikes bieten die neuen MOSFETs höchste Energieeffizienz bei reduziertem Platzbedarf.

Of course, all LEDs need to be supplied with power, and developers will find numerous analog and digital LED drivers, microcontrollers, MOSFETs and dimming ICs for horticultural lighting thanks to Infineon Technologies.
Selbstverständlich muss jede LED mit Strom versorgt werden Hierfür finden Entwickler bei Infineon Technologies zahlreiche analoge und digitale LED Treiber, Mikrocontroller, MOSFETs und Dimming-ICs für Pflanzenleuchten.

Although SiC MOSFETs feature lower drift resistance than Si MOSFETs, at the current technical level mobility of the MOS channel section is low, resulting in higher MOS channel resistance.
Obgleich die SiC MOSFETs einen geringeren Drift-Widerstand aufweisen als Si MOSFETs, ist die Mobilität des MOS-Kanalabschnitts auf dem aktuellen technischen Stand gering, was zu einem höheren Widerstand des MOS-Kanals führt.

Classic substrates are recommended for power electronic modules(e.g. current inverters) using MOSFETs or IGBT semiconductor elements and diodes for widespread application fields in the industrial sector: electric motor drives, e. g.
Classic Substrate werden für leistungselektronische Module(z.B. Stromrichter) mit MOSFETs oder IGBT-Halbleiterelementen und Dioden für weit verbreitete Anwendungsgebiete im Industriebereich empfohlen: Elektromotorische Antriebe, z.B.

The p-channel MOSFETs are still switched directly by the signal at X1 respectively X2, while the n-channel MOSFETs are controlled by the signal at X1 AND the pulse-width signal respectively X2 AND the pulse-width signal.
Die P-Kanal MOSFETs werden nach wie vor direkt von dem Signal an X1 beziehungsweise X2 angesteuert, während die N-Kanal MOSFETs durch das Signal an X1 und dem Pulsweitensignal beziehungsweise X2 und dem Pulsweitensignal kontrolliert werden.

Ngspice implements various circuits elements, like resistors, capacitors, inductors(single or mutual), transmission lines and a growing number of semiconductor devices like diodes, bipolar transistors, mosfets(both bulk and SOI), mesfets, jfet and HFET.
Ngspice enthält mehrere Bauelemente wie Widerstände, Kondensator und Spule, Übertragungsleitungen und eine wachsende Anzahl von Halbleiterbauelementen, wie Dioden, Transistoren, MOSFET(sowohl bulk als auch SOI); MESFET, JFET und HFET.

Availability and additional information Samples of the 1EDI EiceDRIVERTM for MOSFETs and IGBTs with 6 amperes of output current are available now; the corresponding Customer Evaluation Board can be ordered as of January 2014.
Verfügbarkeit und weitere Informationen Muster der 1EDI EiceDRIVERTM für MOSFET und IGBT mit 6 Ampere Ausgangsstromstärke sind sofort lieferbar, ein hierzu gehörendes Customer Evaluation Board kann ab Januar 2014 bestellt werden.

As a comprehensive semiconductor manufacturer, ROHM now offers ICs optimized for use with SiC devices, including the BD7682FJ-LB DC/DC converter control IC designed to maximize the performance of SiC power MOSFETs such as the SCT2H12NZ.
Evaluierungskarte Als umfangreicher Hersteller von Halbleitern bietet ROHM nun ICs, die für den Einsatz in SiC-Geräten optimiert sind, einschließlich der BD7682FJ-LB DC/DC Wandler-Steuer-IC, welche für eine Leistungsmaximierung der SiC-Hochleistungs-MOSFETs bestimmt sind, wie z.B. SCT2H12NZ.

Infineon’s discrete IGBTs and MOSFETs, such as CoolMOS™, as well as power modules and stacks help to raise solar inverters’ efficiency to up to 98 percent and to feed as much of solar-based electricity into the power grid as possible.
Infineons IGBT-Komponenten und MOSFETs, wie CoolMOS™, sowie die Leistungsmodule und Stacks erhöhen den Wirkungsgrad solcher Solarwechselrichter auf bis zu 98 Prozent, wodurch so viel Sonnenenergie wie möglich als Strom in das Netz eingespeist werden kann.

Researchers from the"Nano SiC Trench MOSFET" Argovia project, led by Dr. Marc Schnieper from the CSEM in Muttenz, examined MOSFETs with microscopically small U-shaped trenches to solve the problem of lower electron mobility in the SiO2/SiC channel.
Die Forschenden im Argovia-Projekt«NanoSiCTrenchFet» unter Leitung von Dr. Marc Schnieper vom CSEM in Muttenz untersuchten nun MOSFETs mit mikroskopisch kleinen u-förmigen Gräben, um das Problem der geringeren Mobilität der Elektronen im SiO2/SiC-Kanal zu lösen.

With the IPLU300N04S4-R7 of Infineon, 40 V MOSFETs of the latest generation of TO-leadless packages are applied which have been designed particularly for lowest on-state resistance(84 μOhm), highest ampacity(300 A DC) and best cooling 0.35 K/W.
Mit dem IPLU300N04S4-R7 von Infineon kommen 40 V MOSFETs der neuesten Generation im TO-Leadless Gehäuse zum Einsatz, die speziell für niedrigsten Durchlasswiderstand(84 μOhm), höchste Stromtragfähigkeit(300 A DC) und beste Kühlung(0,35 K/W) konzipiert sind.

The development of SiC MOSFETs that enable large current, high temperature operation, combined with a high-temperature heat resistance low thermal resistance package, make it possible to achieve ultra-compact, large current SiC power modules.
Die Entwicklung von SiC MOSFETs für einen Betrieb mit hohen Temperaturen und Stromstärken in Kombination mit einem Paket von Hitzewiderstand bei hohen Temperaturen und niedrigem Wärmewiderstand ermöglicht die Fertigung von ultrakompakten SiC Leistungsmodulen für hohe Stromstärken.

Full-SiC power module integrating SiC MOSFETs and SBDs An original electric field mitigation structure, along with a novel screening method, are utilized to maintain reliability and enable the development of the first mass production system for Full-SiC power modules.
Übersicht Full-SiC-Leistungsmodule mit SiC MOSFETs und SBDs. Eine originale Struktur zur Absenkung elektrischer Felder sowie ein neuartiges Prüfverfahren dienen dazu, die Zuverlässigkeit beizubehalten, und ermöglichen die Entwicklung des ersten Massenproduktionssystems für Full-SiC-Leistungsmodule.

In the project Nano-Trench MOSFETs, a team of scientists under the leadership of Dr. Marc Schnieper and Dr. Nenad Marjanović from the CSEM in Muttenz study a novel type of transistor that meets the different requirements of increased energy demand in the modern digital computing and global mobility age.
Im Projekt Nano-Trench MOSFETs untersucht ein Wissenschaftlerteam unter Leitung von Dr. Marc Schnieper und Dr. Nenad Marjanović vom CSEM in Muttenz einen neuartigen Transistortyp, der den verschiedenen Anforderungen des gesteigerten Energiebedarfs des modernen Zeitalters der Information und der globalen Mobilität gerecht wird.