MEMORY ELEMENTS Meaning in Japanese - translations and usage examples

• メモリ素子
• 記憶素子を
• メモリ要素を

Examples of using Memory elements in English and their translations into Japanese

Shape memory elements can operate for several million cycles.
形状記憶素子は、数百万サイクル動作することができる。

The cross points of the digit lines and the word lines are memory elements.
桁線と語線が交差する位置がそれぞれ記憶素子である。

In particular, it is necessary to develop MTJ memory elements and materials technology that significantly increase the VCMA effect.
なかでも、VCMA効果をさらに一層高めたMTJメモリ素子や材料技術の開発を必要とします。

I am considering applying this substance to shape memory materials and magnetic memory elements.
この物質の形状記憶材料、磁気メモリー素子への応用も検討しています。

The ability to read or write ephemeral memory elements outside of ACC 12 programming is outside the scope of our security model.
Ｅ）ＡＣＣ１２プログラミング外で一過性のメモリ要素を読み出す、または書き込む能力は、我々のセキュリティモデルの範囲外である。

When facts are"asserted" to working memory, the engine creates working memory elements(WMEs) for each fact.
事実がワーキングメモリ上に「表明」されると、エンジンは「ワーキングメモリ・エレメント」(WME)を各事実に対応させて生成する。

In most FPGAs, the logic blocks also include memory elements, which may be simple flip-flops or more complete blocks of memory[1].
多くのFPGAでは、論理ブロックにメモリ要素も含んでおり、単純なフリップフロップまたはより完全なメモリブロックで構成されている[2]。

As memory elements, the machine used 32 glass solid delay line elements with a memory capacity of 32 words developed by the Electrotechnical Laboratory.
記憶素子には電気試験所で開発された記憶容量32語のガラスの固体遅延素子を32個用いて構成した。

However, as the number of cycles increases, the properties of shape memory elements, e.g. may remain a residual strain after conversion.
しかしながら、サイクル数が増加すると、形状記憶要素の特性は、例えば、変換後に残留歪みのままである可能性がある。

As memory elements, the machine used 32 glass solid delay line elements with a each memory capacity of 32 words developed by the Electrotechnical Laboratory.
記憶素子には電気試験所で開発された記憶容量32語のガラスの固体遅延素子を32個用いて1,024語を構成した。

On the other hand, with the advent of high-density LSI, such as microprocessors and memory elements, it became possible to reduce the size, increase the performance and lower the price of hardware.
一方,マイクロプロセッサやメモリ素子のように高密度LSIの出現によってハードウェアの小形化・高性能化・低価格化が実現できるようになってきた。

Note that although the new architecture presented in this work has a three-terminal structure, it avoids the drawback that a three terminal structure tends to increase the footprint by employing the string-of-beads structure, in which multiple MTJ memory elements are arranged on a single string.
なお、本発表の新たなメモリアーキテクチャは、実質三端子構造をとりますが、その欠点であるフットプリントの増大に対しては、複数のMTJ記憶素子を1つのストリング(糸紐)上に配置する数珠つなぎ構造(String構造)とすることで、この欠点を回避しました。

The ability to read or write static memory elements using e-beam or lasers and other similar techniques is possible, but it will be difficult and expensive.
Ｄ）電子ビームまたはレーザおよび他の同様の技法を使用して、静的メモリ要素を読み出す、または書き込む能力が可能であるが、困難かつ高価となる。

Further, in accordance with the MDM device of the present invention, memory elements may be scaled to less than a few square microns in size, the active portion of the device being less than one micron.
更に、本発明のＭＤＭデバイスによると、メモリ素子は数平方ミクロン未満のサイズまで小型化され得、その場合デバイスの作動部は１ミクロン未満である。

We will continue to improve the developed magnetic memory elements and circuits, with the aim of developing, by project end(fiscal 2015), nonvolatile memory technologies that reduce overall processor power consumption to less than one-tenth that of conventional circuits.
当社は、これまで開発した新型磁性体メモリ素子と回路をさらに改良し、プロジェクトの最終年度(2015年度)までに、プロセッサ全体の消費電力を10分の1に抑えることが可能な不揮発メモリ技術の開発を目指します。

Circuit integration: Circuit integration refers to forming many transistors and memory elements within a semiconductor device of limited area, thereby enabling higher performance to be combined with more compact size.
高集積化：限られた面積の半導体デバイスの中に、多くのトランジスタや記憶素子を形成して、コンパクト化と高性能化を両立すること。

Organic memory element made by ink-jet printing(collaboration with Kyusyu Univ.).
インクジェット印刷で作製する有機メモリー素子。

It is equipped with the encoder and the memory element to the rear of the motor.
モータ後部にエンコーダ及びメモリ素子を搭載。

Memory element that is used in an electronic circuit and HDL, etc.
電子回路やHDL等で使用する記憶素子のこと。

The identifier of certain embodiments includes a memory element, where the memory element may vary with respect to its capacity.
ある実施形態の識別子は、メモリ要素を含み、該メモリ要素は容量が変わってもよい。

Moreover, it was found that the"atom transistor" also operates as a memory element that maintains states by control of the operating voltage range.
さらに、電圧を制御することにより、状態を保持する記憶素子としても動作することがわかった。

Typically, when an FPGA is connected directly to a memory element, performance characteristics and timing specifications are not points of concern.
FPGAデバイスを直接メモリエレメントに接続している場合は、通常、パフォーマンス特性やタイミング仕様は問題ではありません。

The nuclear spin acts as a memory element that can faithfully store the full state of the electron spin for longer than its decoherence time; the state can then be transferred back to the electron spin with about 90% efficiency.
核スピンは記憶素子として作用し、電子スピンの全状態を1秒以上にわたって忠実に蓄積し、それから、これを約90％の効率で電子スピンへ戻すことができる。

The storage elements may also hold data or other information, as desired, and may be an information source or physical memory element present in the processing machine.
Storage elements may also store data or otherinformationasdesiredorneeded.記憶要素は、処理マシン内の情報源又は物理的なメモリ素子の形態であってもよい。

Toshiba: Press Releases 12 December, 2007 Toshiba develops basic technology for world's smallest flash memory element in 10nm generation 12 December, 2007 Applied double tunneling layer to realize 100 gigabit density TOKYO--Toshiba Corporation today announced that it has developed a new double tunneling layer technology applicable to future 10nm generation flash memories. This elemental technology opens the way for memory devices with densities of over 100 gigabits in the 10nm generation, which lies four generations ahead.
東芝:プレスリリース(2007.12.12)世界最小10nm台フラッシュメモリ素子の要素技術を開発2007年12月12日100ギガビット級大容量化に向け二重接合トンネル膜を採用当社は、100ギガビット級の大容量フラッシュメモリに向けた要素技術として、現在の4世代先に当たる10nm台世代の超微細加工を施したメモリ素子にまで対応可能な二重接合トンネル膜技術を開発しました。

The storage elements may hold data or other information, as desired, and may be in the form of an information source or a physical memory element present in the processing machine.
Storageelementsmayalsostoredataorotherinformationasdesiredorneeded.記憶要素は、処理マシン内の情報源又は物理的なメモリ素子の形態であってもよい。

In one embodiment, central controller 40 includes processor 42 and memory element 44.
一実施形態において、中央コントローラ４０はプロセッサ４２及びメモリ要素４４を備える。

The register is a memory element that is used in an electronic circuit, and HDL, etc.
レジスタ(Register)は、電子回路やHDLなどで使用する記憶素子のことです。

Memory element 44 of central controller 40 may store information regarding the various types of different wagers that may be placed and their outcomes in gaming system 10.
中央コントローラ４０のメモリ要素４４は、ゲーミング・システム１０において投入される様々なタイプの種々の賭けとその結果に関する情報を保存してもよい。