WRITE ERROR Meaning in Japanese - translations and usage examples

[rait 'erər]

Examples of using Write error in English and their translations into Japanese

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Write error.
File write error.
ファイル書き込みエラー
Write errors are more serious.
書き出しエラーはより深刻です。
File write error.
ファイルの書き込みエラー
Official reasons for“Software caused connection abort: socket write error”.
ソフトウェアが接続を中断させた原因:ソケット書き込みエラー」の正式な理由。
A write error occurred.
書き込みエラー発生。
Temporary file write error.
一時ファイルの書き込みエラー
A write error has occurred.
書き込みエラーが生じた。
Lots of read and write errors.
読み間違い、書き間違いが多い。
Registry write error. Admin Permission?
レジストリの書き込みエラー。管理者権限はありますか?
It can detect upcoming failures by analyzing read/write errors or a shift in the motor speed.
これは、読み取り/書き込みエラー又はモータ速度の変化を分析することによって、今後の故障を検出することができる。
When a write error occurs, you should recover and regenerate the data as soon as possible.
書き込みエラーが発生する場合、利用者できるだけ早く、データを修復して再生するべきです。
Have you lost data files to a read or write error on your SD, microSD or CF cards?
あなたはあなたのSD上の読み取りまたは書き込みエラーにデータファイルを失っている,のmicroSDまたはCFカード?
When the same drive is used in the Windows operating system an error messagewill be received stating that"read/ write error.
同じドライブがWindowsオペレーティングシステムで使用されている場合、「読み取り/書き込みエラー
A database write error occurs.
データベース書き込みエラーが発生する。
One thing that is particularly important for making voltage torque MRAM practical is minimizing the failure rate when writing data i.e.,minimizing the write error rate.
電圧トルクMRAMの実用化において特に重要となるのが、情報書き込みに失敗する確率(書き込みエラー率)をいかに小さくするかです。
CCC will report read and write error statistics when they are present.
読み取りおよび書き出しエラーの統計情報が存在する時、CCCから報告があります:。
It is a free-to-use tool that is extremely light and offers all the required information, such as temperature, health status, hard disk type and features,and other attributes like read/write error rate and spin-up time, etc.
非常に軽量で、温度、正常性状態、ハードディスクのタイプと機能、読み取り/書き込みエラー率やスピンアップ時間などのその他の属性など、必要なすべての情報を提供する無料のツールです。
In other words, the write error rate can be reduced by suppressing thermal fluctuations of the magnetization in the initial and final states.
つまり、始状態および終状態における磁化の熱揺らぎをいかに抑制するかが、書き込みエラー率を低減するための鍵となります。
It wouldn't After setting the print system configuration data write error partition to run DOS….
それはできませんでしたプリントを設定した後システム構成データ書き込みエラーDOSを実行するためのパーティション…。
Error 503 backend write error This error is similar to the backend read error but occurs when Fastly sends information in the form of a POST request to the backend.
Error503backendwriteerrorBackendwriteerror(バックエンド書き込みエラー)は、BackendReadErrorに類似していますが、POST リクエストをFastlyからバックエンドに送信する際に発生します。
The putw() function returns 0 on success;EOF is returned if a write error occurs, or if an attempt is made to write a read-only stream.
Putw()は、問題がない場合は0を返し、書込みエラーが発生した場合、または読込み専用ストリームに書き込もうとした場合はEOFを返します。
In the new method,on the other hand, the write error rate is greatly reduced by suppressing thermal fluctuations of magnetization in the initial and final states by applying a negative voltage in these states, thereby increasing the magnetic anisotropy as shown in Fig. 1b.
一方、新手法では図1(b)に示すように磁気異方性が大きくなる負の電圧を始状態と終状態で加えることによって、始状態と終状態における磁化の熱揺らぎを抑制し、書き込みエラー率を大幅に改善可能であることが分かりました。
Voltage torque MRAM is expected to offer dramatically lower power consumption than conventional current-controlled magnetic memory(STT-MRAM),but reducing the write error rate has been a major challenge in terms of practical application of the technology.
電圧トルクMRAMでは、従来の電流駆動型磁気メモリ(STT-MRAM(注5))と比較して飛躍的な低駆動電力化が期待されていますが、書き込みエラー率の低減が実用化に向けた重要課題となっています。
The Voltage-driven Spintoronics team previously worked on developing technology for control of magnetic anisotropy by applying voltage to ultra-thin metallic magnetic films, as well as new magnetization reversal control methods that use this technology refer to the JST press release of 10 December 2015,"Proof of Stable Operation of Voltage Write Method Nonvolatile Memory andEvaluation of the Write Error Rate.
本研究開発チームは、これまでに非常に薄い金属磁石薄膜に電圧をかけることで、磁化の向きやすい方向(磁気異方性(注9))を制御する技術(電圧磁気異方性制御)と、それを用いた新しい磁化反転制御法の開発に取り組んできました(2015年12月10日産総研プレス発表「電圧書き込み方式不揮発性メモリの安定動作の実証と書き込みエラー率評価」参照)。
The Voltage-driven Spintronics team in AIST and the R&D team in Toshiba developed methods for reducing the write error rate andperformed circuit design that achieves a low write error rate by improving material characteristics through the mechanism of applying a pulse voltage having a devised waveform during writing..
一方、今回本研究開発チームは、書き込み時のパルス電圧の形状を工夫することにより疑似的に材料特性を向上させて書き込みエラー率を低減する手法の開発、ならびにそれを実現する回路設計を行いました。
In this work, the AIST team and an R&D team in Toshiba developed a method that suppresses the occurrence of write failures due to thermal fluctuations andreduces the write error rate by applying pulse voltage with the reversed polarity of the write voltage before and after the pulse voltage applied during writes..
今回、書き込み時に印加するパルスの前後に書き込みとは逆極性のパルス電圧を印加することにより、熱ゆらぎによる書き込み失敗の発生を抑制して書き込みエラー率を低減する手法、およびそれを実現する新しい書き込み用回路を開発しました。
CacheFile writing Error.
キャッシュファイルの書き込みエラー
This may be a writing error.
恐らく書き間違いである。
It was probably a writing error.
恐らく書き間違いである。
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