Examples of using Memory cells in English and their translations into Korean
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Colloquial
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Ecclesiastic
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Ecclesiastic
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Programming
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Computer
An array of memory cells;
메모리 셀들의 어레이; An array of memory cells;Flash memory cells have a long but finite lifetime.
Start differentiating into effector and memory cells.
반응기와 기억 세포를 구분해 보세요.These memory cells immediately deploy the exact weapons needed.
이 기억 세포들은 즉시 필요한 특정 무기들을 배포합니다.Com, can help to retain those memory cells.
Com까지도 그 메모리 셀을 유지할 수 있다고 생각할 수 있습니다.Typically, most of the memory cells will not have uncertain digital data values.
In this example, the NAND string comprises 32 memory cells MC.
본 예에서는, NAND형 Therefore, the memory cells can be arranged at a high density in the semiconductor device.
따라서, 반도체 장치에서 메모리 셀들이 고밀도로 배치될 수 있다.One or more dice of memory cells; and.
메모리 셀들의 하나 이상의 다이들; One or more dies of memory cells; 및 And.Flash memory cells are one possible solution for high density memory requirements.
플래시 메모리셀은 고밀도 메모리 요구 조건을 위한 하나의 가능한 해답이다.The control gates of the memory cells M1, M2, M3,….
동일한 로우에 배치된 메모리 셀 MC의 제어 게이트는 워드선 WL1, WL2, WL3,….These memory cells are embedded into the logic chip when the chip is getting close to completion.
이러한 메모리 셀은 칩이 완성에 다다를때 로직 칩 안에 내장됩니다.Thus, a constant distance between the memory cells needs to be maintained.
따라서, 메모리 셀들 간에 일정한 거리가 유지될 필요가 있다.C-source control circuit 4 controls a common source line connected to the memory cells(M).
C-소스 컨트롤 회로(4)는 메모리 셀(M)에 연결된 공통 소스 라인을 컨트롤한다.Memory cells generated by the HIV vaccine are activated when they learn HIV is present from the front-line troops.
HIV 백신에 의해 생성된 기억 세포들은 HIV의 존재가 최전방 세포들에 의해 알려지면 활성화 됩니다.Equalizing erase depth in different blocks of memory cells.
발명의 명칭: (en) equalizing erase depth in different blocks of memory cells.During programming of memory cells, verify operations are carried out in the periods between the programming pulses.
메모리 셀을 프로그래밍 하는 동안에, 프로그래밍 펄스들 사이의 기간들(periods)에서 검증동작들이 수행된다.Alternatively, there may be 32, 64 or more pages of memory cells within each block.
대안적으로, 각 블록 내에 16, 32 또는 그 이상의 메모리 셀의 페이지가 존재할 수 있다.In addition to the memory cells, each bank 112 and 114 includes a select or pass transistor for each bitline.
상기 메모리 셀들에 더하여, 각 뱅크(112와 114)는 각 비트라인에 대한 선택 트랜지스터 또는 패스(pass) 트랜지스터를 포함한다.That is, each block may contain the minimum number of memory cells that are erased together.
즉, 각각의 블록은 함께 소거되는 최소 개수의 메모리 셀들을 포함할 수 있다.The Vt level of memory cells to be programmed to program state L3 is increased until the Vt level reaches a Vt level associated with Vt distribution 225-3.
프로그램 상태(L3)로 프로그램될 메모리 셀들의 Vt 레벨은, Vt 레벨이 Vt 분포(225-3)와 관련된 Vt 레벨에 도달할 때까지 증가된다.Namely, each physical block contains the least number of memory cells that are erased together.
즉, 각각의 블록은 함께 소거되는 최소 개수의 메모리 셀들을 포함할 수 있다.To the computer,is more like an allocation, the computer just assigns a memory cell from a lot of pre-existing memory cells to X.
컴퓨터에, 더 할당처럼,컴퓨터는 X에 기존의 In other words, each block contains the minimum number of memory cells that can be erased simultaneously.
바꾸어 말하면, 각각의 블록은 동시에 소거될 수 있는 최소 수의 메모리 셀들을 포함한다.A memory array having a plurality of memory cells;
복수개의 메모리 셀들을 구비하는 메모리 어레이; A A memory cell array including memory cells arranged in rows and columns.
행들과 열들로 배열된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이와; And a memory cell array including memory cells arranged in rows and columns;Increased data density can also be achieved by reducing the physical size of the memory cells and/or the overall array.
또한, 증가된 데이터 밀도는 상기 메모리 셀 및/또는 전체 어레이의 물리적인 크기를 줄임으로써 달성된다.M is the number of program states associated with the memory cells, and ym is the Vt level, e.g., mean Vt level, that corresponds with each program state.
M은 메모리 셀들과 관련된 프로그램 상태들의 수이고, M is the number of program states associated with memory cells, 은 각 프로그램 상태와 관련된 Vt 레벨, 예를 들어, 평균 Vt 레벨이다.The magnitude of the change of the Vt distributions can also depend on the temperature(s) the memory cells are exposed to during the cycles.
Vt 분포들의 변화의 크기는 또한, 메모리 셀들이 사이클들 동안 노출되는 온도(들)에 의존할 수 있다.In other words, each block contains the smallest number of memory cells which are erased together.
즉, 각각의 블록은 함께 소거되는 최소 개수의 메모리 셀들을 포함할 수 있다.
