Examples of using Process chamber in English and their translations into Korean
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Colloquial
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Ecclesiastic
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Ecclesiastic
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Programming
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Computer
One or two process chambers.
하나 또는 두 개의 공정 챔버.A process chamber in which a substrate is accommodated;
Next: No.60 Rapid heating process chamber.
Next: 제 60 호 가공 챔버 급속 가온.The atmosphere in the process chamber thus remains in the optimum ratio.
따라서 프로세스 챔버 내의 분위기는 최적의 비율로 유지됩니다.Home/ Best Applications List/ Machine/ No.60 Rapid heating process chamber.
Home / 용도 예 / 기계 WJ-999- 3 process chambers for TEOS and hydride processes.
Total pressure display on the process chamber itself.
공정 챔버에서 직접 총압력 판독.One of Process chamber parts that is worked as hot plate.
LCD 제조공정 중 process chamber (CVD공정) 내부에 사용하는 part로 hot plate 역할.The total pressure in the coating process chamber was 4.8 Torr.
Evacuate the process chamber to a pressure of about 30 mTorr to remove excess reactants.
과도한 반응제들을 제거하도록 약 30 mTorr의 압력으로 처리 챔버를 진공시킨다.Isolation of Vacuum line between the process chamber and Vacuum pump.
Process Chamber와 진공펌프 사이에 설치되어 라인 개폐 역할.A process chamber configured to accommodate a target substrate;
피처리 기판을 수용하는 반응실과, Reaction chamber accommodating a target substrate.In their machines, the printing is executed under a protective gas atmosphere inside the process chambers.
SLM 3D 프린터는 프로세스 챔버 내부의 보호 가스 분위기에서 완전히 수행합니다.Process chamber of the Selective Laser Melting Machine SLM280 2.0 of SLM Solutions Group AG.
SLM Solutions Group AG의 선택적 레이저 용융 기계, SLM 280 2 프로세스 챔버.Booster Kit featuring new columbic type Ceramic Electrostatic Chuck and yttrium coated process chamber.
새로운 니오븀 타입 세라믹 정전기 척과 이트리움 코팅 공정 챔버를 특징으로 하는 부스터 키트.The groundbreaking Applied Centris platform clusters up to eight process chambers- six etch and two plasma clean chambers. .
혁신적인 어플라이드 Centris 플랫폼은 최대 8개의 공정 챔버, 구체적으로는 6개의 식각 챔버와 2개의 플라즈마 클린 챔버로 구성할 수 있습니다.The two, three or more reactive compounds may alternatively be introduced into a reaction zone of a process chamber.
The process chamber must be cleaned at the latest when the layers which have accumulated on the walls no longer allow a controlled vacuum process. .
공정 챔버는 벽에 축적된 층들이 더 이상 제어된 진공 공정을 허락하지 않는 최후의 순간에 청소되어야 합니다.It features a fully automated precision wafer handling system and multiple process chambers and is compatible with automated chemical management systems.
이 시스템은 완전 자동화된 웨이퍼 핸들링 시스템과 다중 공정 챔버를 특징으로 하며 자동 화학물질 관리 시스템과 함께 사용할 수 있습니다.SiCl4 was charged to the process chamber from a SiCl4 vapor reservoir, creating a partial pressure of 4 Torr in the coating process chamber.
SiCl 4 는 SiCl 4 증기 저장소로부터 처리 챔버로 충전되고, 코팅 처리 챔버에서 4 Torr의 부분 압력을 생성한다.The Raider M-Quattro is a high-performance single-wafer ECD system featuring fully automated precision wafer handling and multiple process chambers.
Raider M-Quattro는 고성능 단일 웨이퍼 ECD 시스템으로 완전 자동화된 정밀 웨이퍼 핸들링 기능과 다중 공정 챔버를 특징으로 합니다.(Several volumes of SiCl4 and/or several volumes of water may be injected into the process chamber to achieve the total partial pressures desired, as previously described herein.).
(몇몇 부피의 SiCl 4 및/또는 몇몇 부피의 물이 처리 챔버로 주입되어 본 발명에서 이전에 기술된 것처럼 목표되는 전체 부분 압력들을 달성한다.).When using a heat treatment process chamber fundamental requirement is to achieve a minimum temperature 56° C continuously for at least 30 minutes the entire layer of timber(including the core).
열처리 공정 챔버를 사용하는 경우 기본적인 요건은 적어도 56 분간 연속적 (코어 포함) 목재 전체 층 ° C 최소 온도 30을 달성하는 것이다.The package includes the options of the 50Â ppm oxygen sensor and the glove box, for which the classic process chamber doors are replaced by a door containing glove ports.
산소 센서 50ppm 옵션 및 전통적 공정 챔버 도어가 글로브 포트가 있는 도어로 교체된 글로브 박스 옵션은 본 패키지에 포함되어 있습니다.To ensure a perfect melting process, therefore, a circulation of the protective gas and a constant compensation takes place, but which could potentially lead to uncontrolled pressure increase in the process chamber.
따라서, 완벽한 용융 프로세스를 보장하기 위해 보호 가스 순환 및 일정한 보상이 발생하여, 프로세스 챔버에서 제어되지 않은 압력 증가를 초래할 수 있습니다.Each radiantly-heated process chamber provides precise and repeatable control of deposition conditions and delivers 100% slip free films, excellent film thickness and resistivity uniformity, and low defect levels.
복사열로 가열되는 개개의 공정 챔버가 증착 조건 제어에 대한 높은 정밀성과 재현성을 제공하고 100% 슬립 없는 필름, 우수한 필름 두께와 저항 균일성, 낮은 결함률을 구현합니다.DDMS was then applied at a partial pressure of 1 Torr, followed within 10 seconds by H2O applied at a partialpressure of 2 Torr, to produce a total pressure within the process chamber of 3 Torr.
그 다음, DDMS는 1 Torr의 부분 압력에서 제공된 다음, 10초이내에 2 Torr의 부분 압력에서H 2 O가 제공되어, 3 Torr의 처리 챔버내의 전체 압력을 형성한다.This ability to control precise amounts of catalyst and vaporous precursors to be dosed(charged) to the process chamber 102 at a specified time provides not only accurate dosing of reactants and catalysts, but repeatability in the vapor charging sequence.
특정 시간에서의 처리 챔버(102)로 도징(충전)되는 촉매 및 증기 프리커서들의 정밀한 양을 제어하는 이러한 능력은 반응물질 및 촉매들의 정확한 도징 뿐만 아니라 증기 충전 시퀀스에서의 반복성을 제공한다.DigiLine, ActiveLine, CenterLine, andModulLine cover the entire pressure range, while the handheld vacuum gauges allow pressure to be displayed in the low and medium vacuum range on the process chamber itself.
DigiLine, ActiveLine, CenterLine 및 ModulLine 시리즈는 전체 압력 범위를 커버하는 한편,휴대형 측정 계기는 공정 챔버에서 직접 진공 및 중간 진공 범위의 압력을 판독할 수 있습니다.The newest of our semiconductor processing platforms, the Centris clusters up to six independent process chambers and two plasma clean chambers, uniquely incorporated into the vacuum loadlocks, around a high-speed transfer robot that enables throughput of up to 180 wafers per hour- nearly twice that of competing alternatives.
가장 최근에 나온 반도체 처리 플랫폼인 Centris 시스템은 웨이퍼 처리량이 경쟁 제품보다 거의 두 배나 높은 시간당 최대 180개에 이르는 고속 이송 로봇 주변에 최대 6개의 독립적인 공정 챔버와 진공 로드록에 독창적인 방법으로 결합된 2개의 플라즈마 세정 챔버로 구성되어 있습니다.
