Voorbeelden van het gebruik van Aln in het Spaans en hun vertalingen in het Nederlands
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ALN:¿Cuál fue la respuesta a esta cuestión?
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Su rival, Eduardo Montealegre, de la Alianza Liberal Nicaragüense(ALN), el 29%.
AlN ceramic PCB es un nuevo tipo de material de embalaje cerámico de alta conductividad térmica.
Por experimento, podemos encontrar que con el aumento de AlN, W-Cu densidad compuesta tiende a disminuir.
AlN es un material ideal para el revelado de dispositivos ULTRAVIOLETA porque tiene el bandgap directo más ancho de la energía de todos los semiconductores(eV aproximadamente 6,2).
De la morfología de la fractura de W-Cu/ AlN, la densidad del cuerpo sinterizado es alta, y no hay poro obvio en el interior;
Nos excitan para señalar estos nuevos resultados y se preveen que extremadamente veamos un aumentogrande en la demanda de estos productos del modelo de AlN en un futuro muy próximo.”.
Tal aplicación ha aumentado la demanda para un modelo más de alta calidad de AlN conectado Sic para aumentar el nuevo funcionamiento del dispositivo de los HEMTs.
Además, con el contenido de AlN aumentado, la densidad de materiales disminuyó, especialmente en la cantidad de ≥ 2%, la disminución de la densidad es particularmente evidente.
Además, se puede confirmar que la adición de la superficie de fractura compuesta de alquitrán de cobre-tungsteno es más lisa, lo que confirmó además que la adición de AlN por un lado el refinamiento de la estructura de grano, por otro lado también condujo a la tenacidad de Declive de cobre compuesto de tungsteno.
Por lo tanto, nano AlN puede promover aún más la estructura característica de los materiales compuestos de W-Cu y reducir efectivamente el tamaño de partícula mediante el análisis de XRD.
En comparación con la topografía de electrones retrodispersados en superficie de diferentes adiciones de AlN, podemos encontrar que tanto el material compuesto W-Cu como el material compuesto W-Cu/ AlN tienen una microestructura densa y uniforme.
AlN tiene una alta conductividad térmica(200W/ m • K), está cerca de BeO y SiC y 5 veces más alto que Al2O3, bajo CTE(Coeficiente de Conductividad Térmica), excelentes propiedades mecánicas y propiedades eléctricas que pueden controlar las propiedades de W-Cu/ AlN material compuesto por contenido diferente.
El otro es que la relación de humectación de la partícula AlN no es tan buena como W y Cu a alta temperatura, por lo que la adición disminuirá la densidad de materiales compuestos de cobre de tungsteno.
Otra característica dominante del EVG620HBL es la disponibilidad de los microscopios receta-controlados especiales cuyo espectro de la iluminación se optimiza para asegurar el mejor contraste del modelo con los diversos materiales del fulminante y de la capa, incluyendo los materiales avanzados tales del substrato como el zafiro, el carburo de silicio(Sic),el nitruro de aluminio(AlN), el metal y de cerámica.
Para la conductividad térmica, la partícula nano AlN no daña a TC, y la densidad de los materiales permanece en un nivel alto, mientras que AlN tiene una conductividad térmica más alta a escala nanométrica.
Por último, se midió la densidad, la conductividad térmica, la resistividad, la dureza, la resistencia a la flexión y la microestructura de los materiales compuestos W-Cu/ AlN y se observó después de la sinterización por prensado en caliente, lo que puede estudiar el efecto de la adición de polvo de AlN sobre las propiedades del material compuesto WCu.
Las partículas de AlN se dispersan en la fase de Cu, debido a que las partículas de AlN se añaden en una mezcla de fresado de bolas de tiempo corto, que no se refleja con la interfaz de sólido W o Cu en la matriz y AlN tiene buena estabilidad, Es aún mejor mantener la naturaleza de las propias partículas.
La línea ancho está muy cercana a la del substrato de SIC,sugerir la capa epitaxial de AlN tiene una densidad de dislocación notable inferior de tornillo(≤106 cm-2) y pequeña inclinación alrededor del normal al avión básico refiera a Fig.
Los materiales AlN tienen una alta conductividad térmica, excelentes propiedades dieléctricas, alta resistencia de aislamiento eléctrico, propiedades químicas estables, fuerte resistencia a la corrosión y buenas propiedades mecánicas, especialmente su coeficiente de expansión térmica y silicio, lo que lo convierte en un material de sustrato ideal para el embalaje de semiconductores.
Información adicional sobre respuestas a preguntas frecuentes acerca de nuestra previsión de olas para Aln Estuary se pueden encontrar bajo la etiqueta de ayuda en el menú de arriba y también moviendo el ratón sobre los signos de interrogación en la tabla de previsión de olas.
Esto se debe a que la conductividad eléctrica de AlN es menor que la del tungsteno y cobre en la matriz, y el aumento en el contenido de AlN inevitablemente conduce a un aumento de la resistividad, o disminución de la conductividad eléctrica.
Esto se debe principalmente a la disminución de la densidad, por otro lado,con el aumento del contenido de nanopartículas de AlN, la distribución de las partículas de refuerzo en los límites de grano de la matriz es demasiado, lo que reduce en gran medida La relación de unión entre la matriz W durante la sinterización, que hace que disminuya la resistencia de unión entre las partículas y disminuya la resistencia a la flexión.