НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА на Английском - Английский перевод

• charge carrier
• charge carriers

Примеры использования Носителей заряда на Русском языке и их переводы на Английский язык

Электроэнергия- энергия перемещения носителей заряда.
The electric energy is the motion energy of the charge carriers.

Поток носителей заряда между горячими и холодными областями, в свою очередь, создает разность потенциалов.
The flow of charge carriers between the hot and cold regions in turn creates a voltage difference.

Печатные проводники обладают более низкой проводимостью и подвижностью носителей заряда.
Printed conductors offer lower conductivity and charge carrier mobility.

Измене- ние времени жизни носителей заряда и проводимости дефектного приповерхностного слоя Ge при термообработках.
Changes in lifetime of charge carriers and in Ge defective subsurface layer conductivity at thermal treatment.

В связи с таким применением важно исследовать процесс переноса носителей заряда в используемом материале.
In connection with such an application, it is important to investigate the transfer of charge carriers in the material used.

Распространение электрического потенциала и тока по проводникам со скоростью, во много раз превышающей скорость движения носителей заряда.
Propagation of the electric potential and current over a conductor at speed many times higher than the charge carriers speed.

Также существует и четвертое агрегатное состояние- плазма, состоящая из носителей заряда: ионов и элементарных частиц.
There is also the fourth state of matter- plasma, which consists of charge carriers: ions and elementary particles.

Сепарация носителей заряда- неизбежное явление во вращающейся плазменной среде, а также способ создания магнитного поля в ртути.
The charge carriers separation is an inevitable phenomenon within the rotating plasma, as well as a way to produce a magnetic field within the mercury.

Молдавская Мария Давидовна« Субмиллиметровая спектроскопия носителей заряда в напряженных гетероструктурах Ge/ GeSi».
Moldavskaya Maria Davidovna« Submillimeter spectroscopy of charge carriers in the strained Ge/GeSi heterostructures».

Показано, что причиной такого роста электропроводности является обогащение проводящей стеклофазы по литию и, соответственно, увеличение концентрации носителей заряда.
It was revealed that this conductivity enhancement is due to the Li+ ions enrichment in the residual glass phase and, hence, to the charge carrier concentration growth.

Исследования температурной зависимости подвижности носителей заряда помогли определить механизм рассеяния.
The study of temperature dependence of charge carrier mobility helped to reveal the scattering mechanism: scattering on the ionized impurities and on the radiation defects.

Использование всестороннего давления для оценки степени влияния флуктуаци- онного потенциала на энергетический спектр носителей заряда в кристаллических полупроводниках.
Application of hydrostatic pressure for estimation of the extent of fluctuation potential effect on energy spectrum of charge carriers in crystalline semiconductors…….

Например, у пентацена, задействованного в органических полевых транзисторах, мобильность носителей заряда доходит до 5 см2/ В; соединение является лучшим органическим полупроводником p- типа.
Pentacene has been incorporated into organic field-effect transistors, reaching charge carrier mobilities as high as 5 cm2/Vs.

Данный метод предоставляет уникальные возможности по исследованию магнитных свойств и электронной структуры, механизмов рассеяния носителей заряда и характерах межзонных переходов.
This method provides unique information about magnetic and electronic structure, mechanisms of scattering of charge carriers and the nature of the interband transitions.

Отказ по другим причинам: затраты на возвращение посылки отказался от носителей заряда будет вычтена из полученной компенсации.
Refusal for other reasons: The cost of returning a parcel refused by the carrier charge will be deducted from the payment received.

Это предварительное заключение было сделано после измерения основных электрических параметров кристаллов n- Si: электропроводности, подвижности Холла, концентранции основных носителей заряда.
This preliminary conclusion was reached after measurements of main electro-physical parameters of n-Si crystals: electro-conductivity, Hall mobility and main charge carriers concentration.

Отказ по другим причинам: затраты на возвращение посылки отказался от носителей заряда будет вычтена из квитанции об оплате и доставки расходы за доставку пакета.
Refusal for other reasons: The cost of returning a parcel refused by the carrier charge will be deducted from the payment receipt and shipping costs incurred for shipping the package.

Измерения температурных зависимостей электрической проводимости( электросопротивления), коэффициента Холла, концентрации носителей заряда и их холловской подвижности в полупрводниках.
Measurements of temperature dependences of electrical conductivity(electrical resistivity), of Hall coefficient, of charge carriers concentration and of their Hall effect mobility in semiconductors.

В настоящей работе с помощью импедансной спектроскопии мы определили, что проводимость в поликристаллическом MAPbI3 с размером зерен. 1- 1 мкм задается прыжковым механизмом переноса носителей заряда.
In this study, using impedance spectroscopy, we determined that the conductivity in polycrystalline MAPbI3 with a grain size of 0.1-1 μm is given by the hopping mechanism of charge carrier transfer.

Вследствие стремления потенциальной энергии носителей заряда к минимуму, идеальный проводник имеет одинаковый потенциал по всему объему, по крайней мере, в случае протекания постоянных токов.
Because of tending of the potential energy of the charge carriers to a minimum, an ideal conductor has the same potential over the entire volume, at least in case of the direct currents.

Распыление является более быстрым и удобным методом осаждения металла, чем испарение, однако ионная бомбардировка из плазмы может вызвать поверхностные состояния или даже инвертировать тип носителей заряда на поверхности.
Sputtering is a faster and more convenient method of metal deposition than evaporation but the ion bombardment from the plasma may induce surface states or even invert the charge carrier type at the surface.

На основании таких величин нами были вычислены номограммы для раздельного определения времени жизни неравновесных носителей заряда в освещаемой части p( n) области и скорости их поверхностной рекомбинации на тыльной стороне.
Using such values we calculated nomograms for separate determination of the nonequilibrium charge carrier lifetimes of the illuminated p(n) local space and its surface recombination velocity at the rear side.

Докторская диссертация Эрнеста Арушанова заложила начало нового научного направления в физике и материаловедении полупроводников- получение монокристаллов, определение зонной структуры, механизмов рассеяния носителей заряда и пути практического применения полупроводников A23B52 и A2B5 на основе кадмия.
Doctoral dissertation of Ernest Arushanov began a new research direction in physics and materials science of semiconductors- the growth of single crystals, determination of the band structure, scattering mechanisms of charge carriers and the practical application of semiconductors A23B52 and A2B5 based on cadmium.

Установлены ранее неизвестные научные факты:- предельной компенсации GaAs примесью хрома, позволяющей достигнуть величины удельного сопротивления более 1 ГОм* см( выше, чем в собственном полупроводнике);- гофрировке энергетических зон, приводящей к формированию рекомбинационных барьеров, позволяющих более чем в 100 раз повысить время жизни носителей заряда в компенсированном полупроводнике.
Previously unknown scientific facts were discovered:- marginal compensation of GaAs with chromium impurity, which makes it possible to achieve a specific resistance of more than 1 GΩ* cm(higher than in its own semiconductor);- corrugation of the energy bands, leading to formation of recombination barriers, allowing a more than 100-fold increase in the lifetime of charge carriers in a compensated semiconductor.

По результатам сравнительного анализа экспериментальных и теоретических зависимостей шума показано, что доминирующим шумом является шум, создаваемый захватом- выбросом и генерацией- рекомбинацией носителей заряда на локализованные состояния в запрещенной зоне полупроводника и связанные с его структурными нарушениями.
The results of the comparative analysis of experimental and theoretical dependences of noise show that dominating noise is the noise created by capture-emission and generation-recombination of charge carriers on localized conditions in the semiconductor band gap and connected with its structural infringements.

Глубинный фильтр- картон BECO изготовлен из исключительно чистых исходных материалов катионных носителей зарядов.
BECO depth filter sheets are made from particularly pure natural materials and cationic charge carriers.

Глубинный фильтр- картон BECO CP1 изготовлен из исключительно чистых исходных материалов катионных носителей зарядов.
BECO CP1 depth filter sheet is made from particularly pure natural materials and cationic charge carriers.

Это резко увеличивает удельную электропроводимость каркаса частиц, что позволяет проводить количественный сбор носителей зарядов без существенных реостатных потерь.
This increases dramatically the conductivity of the particle scaffold enabling quantitative charge carrier collection without significant resistive losses.

В производстве используются тонко распушенная целлюлоза и катионные носители заряда, а также высококачественные кизельгуры и активированный уголь, вымытый кислотами и активированный паром.
BECO ACF 07 depth filter sheets are made from particularly pure natural materials using finely fibrillated cellulose fibers and cationic charge carriers as well as high quality diatomaceous earth, and acid-washed, steam-activated carbon.

Так как носители заряда могут быть пойманы затвором диэлектрика МОП- транзистора, то переключение характеристик транзистора может быть произведено навсегда.
Since the charge carriers can become trapped in the gate dielectric of a MOS transistor, the switching characteristics of the transistor can be permanently changed.