ТИРИСТОРА на Английском - Английский перевод

• thyristor

Примеры использования Тиристора на Русском языке и их переводы на Английский язык

Управление нагревательными элементами посредством тиристора.
Heating elements switched via thyristors.

Перенапряжение возникает на тиристорах, включающихся с опозданием;
Overvoltage occurs in thyristors switched-on with delay.

Ниже приведены требования для наиболее распространенных случаев применения тиристора.
Below are the conditions for the most frequent cases of thyristors usage.

Модули М3- тиристорно- диодные модули, общие анод тиристора и катод диода.
Modules М3- thyristor-diode modules, with common anode of thyristor and cathode of diode.

Драйверы формируют сигналы управления тиристорами в соответствии с заданными логическими сигналами.
The drivers form the control signals of thyristors according with the given logic signals.

Во-вторых, необходимо обеспечить идентичность времени жизни носителей заряда в слоях тиристора.
Secondly, it is necessary to ensure identity of carrier lifetime in the layers of thyristor.

Один кристалл схемы д' Азаро( четыре тиристора) заменял схему из восьми транзисторов, 26 диодов и 27 резисторов.
In this register, one crystal containing four thyristors replaced eight transistors, 26 diodes and 27 resistors.

Оптотиристорные сборки МО3 72 Модули МО3( А)- диодно- оптотиристорный модуль общие анод тиристора и катод диода.
Optothyristor assemblies МО3 69 Modules МО3(А)- diode-optothyristor module common thyristor anode and diode cathode.

Ток за время tpon выполняет функции страховки тиристора, если есть вероятность снижения анодного тока до значения тока удержания.
Current in time tpon function as thyristor insurance if there is a possibility to lower anode current to the value of hold-on current.

Оптотиристорные сборки МО2 71 Модули МО2( А)- диодно- оптотиристорный модуль общие катод тиристора и анод диода.
Optothyristor assemblies МО2 68 Modules МО2(А)- diode-optothyristor module common thyristor cathode and diode anode.

При этом могут возникать ситуации, когда определенная последовательность безопасных по отдельности режимов может создать предпосылки для отказа тиристора.
In such a way some situations may occur when a certain sequence of separate safe modes can cause conditions of thyristor failure.

Поэтому для такой конструкции тиристора чрезвычайно важным является качество технологии соединения кремниевой пластины с молибденовым термокомпенсатором.
That is why for such thyristor structure quality of connection technology of silicon wafer with molybdenum disc is extremely important.

Это напряжение в первый момент времени после включения тиристора прикладывается к нему и обеспечивает равномерность распределения напряжения.
At the first moment after the thyristor turning on the voltage of snubber capacitors is applied to the thyristor and provides voltage distribution steadiness;

Кроме того, при неравномерном нагревании и охлаждении возникают корабления полупроводникового элемента, которые приводят к отсутствию на их месте электрического и теплового контакта, даже при сборке тиристора с охладителем.
Moreover, during uneven heating and cooling bending of semiconductor element occurs, which leads to absence electrical and thermal contact in some areas of semiconductor element, even if assembling the thyristor with heat sink.

Для получения оптимальной величины времени жизни носителей заряда в n- базе тиристора используются технологии облучения кремниевых элементов ускоренными электронами и протонами.
To reach the optimum value of carriers' life time in n- base of thyristor the technology of accelerated electrons and protons irradiation of silicon elements is used.

При этом уровень тока вспомогательного тиристора превысит безопасный предел, что приведет к недопустимому перегреву области вспомогательного тиристора и тепловому пробою.
In addition, level of auxiliary thyristor current will exceed safe limit, which will lead to inadmissible overheat of auxiliary thyristor area and heat breakdown.

Известно, что величина заряда обратного восстановления, в первую оче- редь, зависит от величины накопленного заряда избыточных электронов и дырок в n-- базовом слое тиристора, а также от скорости рекомбинации этого накопленного заряда.
It's clearly known that value of reverse recovery charge depends on value of accumulated charge of excess electrons and holes in n- base layer of thyristor, and also on recombination rate of this accumulated charge.

Таким образом, есть некоторое оптимальное значение эффективного времени жизни носителей заряда в n- базе тиристора, позволяющее получить малый заряд обратного восстановления при приемлемом малом значении падения напряжения во включенном состоянии.
Thus there is some optimum value of effective life time of carriers in n- base of thyristor, which allows achieving low reverse recovery charge with relatively low value of voltage rate of rise in on-state.

Для обеспечения надежной работы тиристора, минимальный анодный ток, на который включается тиристор, должен быть больше заданной величины, в зависимости от типа прибора и может варьироваться от нескольких ампер до нескольких десятков ампер.
To ensure reliable performance of thyristor, minimum anode current, on which thyristor is switched on, should be higher that the defined value, depending on device type and can vary from several amps up to several tens of amps.

Если уменьшить максимальную концентрацию атомов акцепторной примеси в р- базе тиристора, удается снизить заряд обратного восстановления за счет выноса части избыточных электронов, накопленных в n- базе, прямо в n эмиттер, аналогично тому, как это происходит в диоде.
If we lower the maximum concentration of atoms of acceptor dopant in p- base of thyristor, this will lower reverse recovery charge by means of transferring part of excess electrons accumulated in n- base into n+ emitter, same to the process in diode.

Если режим работы предусматривает последующее быстрое нарастание анодного тока до уровня, не превышающего допустимый, то из-за разницы температур основной и вспомогательной областей тиристора, вспомогательный тиристор не отключается после включения основного.
If operating mode anticipates consecutive high rate of rise of anode current up to the level not exceeding maximum allowed, then due to temperature difference of the main and auxiliary areas of thyristor, auxiliary thyristor doesn't turn-off after turnon of the main one.

Также следует обратить внимание на то, что область управляющего электрода в полупроводниковом элементе не находится под внешнем давлением при сборке тиристора с охладителем, так как в катодной прокладке область управляющего электрода вскрыта для исключения короткого замыкания катода и управляющего электрода.
It is also important to consider that the area of gate electrode in semiconductor element is not under external pressure during assembling of thyristor with heat sink, because in cathode layer area of gate electrode is open to exclude short circuit failure of cathode and gate electrode.

Соединяя приборы последовательно, необходимо стремиться к равному распределению блокирующего( прямого и( или) обратного) напряжения, как в стационарном состоянии, так и в динамических режимах, а именно- при включении тиристоров и при восстановлении блокирующих свойств во время выключения тиристора или диода.
Connecting thyristors or diodes in series it's necessary to achieve even distribution of blocking(direct and/or reverse) voltage in steady-state condition and dynamic modes, especially at thyristors' switching-on and recovery of blocking characteristics during switching-off of thyristor or diode.

Контроль температуры Через функцию контроллера блока ПЛК Число контролируемых зон 2 термопары в стенках ванны Регулировка мощности Посредством тиристора в каждой зоне Контроль перегрева ванны Отдельный контроллер и термопара Контроль перегрева нагревательной камеры Отдельные термопары к блоку ПЛК Управление печи Сенсорная панель Аварийная сигнализация на сенсорной панели.
Temperature control Via PLC block controller function Number of controlled zones 2 thermocouples in the bath walls Power adjustment With thyristors in every zone Bath overheating control Separate controller and thermocouple Heat chamber overheating control Separate thermocouples to the PLC block Furnace control Touch panel Warning alarm on the touch panel High/low temperature of zinc Power and the pump frequency convertor control.

Рабочая точка нагрузки управляющего электрода должна находиться в зоне оптимального управления, а именно- не должна выходить за кривую, соответствующую максимально допустимой мощности потерь на управляющем электроде при принятой длительности и скважности импульсов управления, и не должна попасть в зону негарантированного включения тиристора.
Operating point of control electrode load should be located in the zone of optimum control, exactly it shouldn't come outside the curve corresponding maximum admissible power of losses on the control electrode with defined durability and control pulse relative duration, and shouldn't get into the zone of unwarranted switching-on of thyristor.

К достоинствам прижимной конструкции относится отсутствие вышеописанных деформаций, т. к. исключен нагрев до высоких температур и последующее охлаждение полупроводникового элемента, что позволяет получать высокое значение ударного тока и хорошую циклостойкость, даже при отклонениях от номинального усилия сжатия при сборке тиристора с охладителем.
Absence of above described bending is one of the advantages of pressure contact structure, since heating up to high temperatures and cooling of semiconductor element are excluded, which allow to achieve high value of surge current and good load cycle capability even with shift from nominal mounting force during assembling of thyristor with heat sink.

Высоковольтные тиристоры, адаптированные для применения в последовательных сборках.
High voltage thyristors adjusted for usage in series assemblies.

Три пары встречно-параллельных тиристоров М26 24 см. паспорт изделия.
Three pairs of inverse-parallel thyristors М26 22 see user's manual of product.

Тиристоры являются фазоуправляемыми.
The thyristor valve is phase-controlled.

Исключительно важной является возможность получения тиристоров с идентичными характеристиками обратного восстановления.
It's very crucial to have identical reverse recovery characteristics for thyristors.