Що таке GALLIUM ARSENIDE Українською - Українська переклад

• арсенід галію
• арсеніду галію

Приклади вживання Gallium arsenide Англійська мовою та їх переклад на Українською

Gallium arsenide epitaxial structures.
Епітаксійні структури арсеніду галію.

Hanergy employees used gallium arsenide for this.
Співробітники Hanergy застосували для цього арсенід галію.

The creators of innovation for this purpose used a special method of building up a microscopic layer of gallium arsenide.
Творці інновації для цього використовували спеціальний метод нарощування мікроскопічного прошарку арсеніду галію.

Mainly applied to Gallium arsenide(GaAs) for semiconductor(Microchip) and manufacturing of Ga2O3.
В основному застосовується для арсеніду галію(GaAs) для напівпровідника(мікрочіп) і виготовлення Ga2O3.

LEDs are small, inexpensive optoelectronic devices made of such semiconducting materials as gallium arsenide.
Перші являють собою невеликі недорогі оптоелектронні пристрої, виготовлені з таких напівпровідникових матеріалів як арсенід галію.

Despite some disadvantages(fragility, high density), gallium arsenide has undoubted advantages over silicon.
Незважаючи на деякі недоліки(крихкість, велика щільність), у арсеніду галію є безсумнівні переваги перед кремнієм.

For example, gallium arsenide is very good for optics, but it cannot be grown on silicon very easily because the two semiconductors are incompatible.”.
Наприклад, арсенід галію відмінний для оптики, але його не можна вирощувати на кремнії, оскільки ці два напівпровідники несумісні.

Their performance is far behind semiconductors such as gallium arsenide and silicon used in personal electronics and computer chips.
Їх продуктивність значно відстає від напівпровідників, таких як арсенід галію і кремнію, використовуваного в комп'ютерних чіпів і персональної електроніки.

Semiconductors- under certain conditions(high temperatures and electric fields) are able to conduct electricity(germanium, silicon, gallium arsenide).
НАПІВПРОВІДНИКИ- за певних умов( великі температури й електричні поля) здатні проводити електричний струм(германій, кремній, арсенід галію).

In previous rectennas, it's been made from a material such as silicon or gallium arsenide, which is not only rigid, but would also be expensive for large areas.
У попередніх антенах він був виготовлений з такого матеріалу, як арсенід кремнію або галій, який не тільки жорсткий, але і задорогий для великих площ.

The most common is gallium arsenide(GaAs), which at the temperature of liquid nitrogen can radiate continuously in the near infrared region at a power of up to 10 W with an efficiency of 30 percent.
Найбільш поширеним з них є арсенід галію(GaAs), який при температурі рідкого азоту може випромінювати в безперервному режимі в ближній інфрачервоній області потужність до 10 Вт при ккд= 30%.

Quite promising material, which attracted the attention of a large number of researchers, is gallium arsenide, with which it was immediately possible to obtain a fairly high efficiency.
Досить перспективним матеріалом, до якого прикута увага великої кількості дослідників, є арсенід галію, з використанням якого відразу вдалося отримати досить високий ККД.

Thus, zinc is close to the boundary between metallic and metalloid elements, which is usually placed between gallium and germanium, though gallium participates in semi-conductors such as gallium arsenide.
Таким чином, цинк близький до границі між металами і Металоїдами, яка зазвичай поміщається між галієм і германієм, хоча галій є у напівпровідниках, таких як арсенід галію.

In 1968, Monsanto Corporation established first serial production of visible LEDs, using gallium arsenide phosphide to produce red LED suitable for indicators.
У 1968 році корпорація Monsanto вперше налагодила серійний випуск видимих світлодіодів, в яких використовувався фосфід арсенію галію для вироблення червоного світлодіоду, що підходив би для індикаторів.

The most common is gallium arsenide(GaAs), which at the temperature of liquid nitrogen can radiate continuously in the near infrared region at a power of up to 10 W with an efficiency of 30 percent.
Найбільш поширеним з них є арсенід галію(Gaas), який при температурі рідкого азоту може випромінювати в безперервному режимі в ближньої інфрачервоної області потужність до 10 Вт при ккд(коефіцієнт корисної дії)= 30%.

Spintronic memory works with just a few atoms, probably on a surface created by ingaas fabrication(indium gallium arsenide), a promising new material.
Пам'ять Spintronic працює всього з декількома атомами, що знаходяться на поверхні, створеним газовим середовищем(арсенід галію або індія), яке є на сьогоднішній день перспективним новим матеріалом.

To visualize this phenomenon, the researchers used a nanostructure made from gallium arsenide and gallium aluminum arsenide, in which the energies of the movements of electrons and ions were tuned to each other.
Щоб уявити собі це явище, дослідники використовували наноструктури з арсеніду галію і арсеніду галію алюмінію, в якому енергія руху електронів та іонів були налаштовані один до одного.

Solid-state crystalline materials primarily include monocrystalline and multicrystalline silicon, grown by the method of pulling through filer profiles of silicon, dendritic silicon tapes, gallium arsenide.
До твердотілих кристалічних матеріалів в першу чергу відносяться монокристалічний і мультикристалічний кремній, вирощений методом витягування через фільєру профільовані стрічки кремнію, дендритні кремнієві стрічки, арсенід галію.

In semiconductors like gallium arsenide the positively and negatively charged ions of the crystal lattice vibrate with an extremely short period of 100 fs(1 fs= 10-15 s= 1 billionth part of one millionth of a second).
У напівпровідниках, як арсенід галію позитивно і негативно заряджених іонів кристалічної решітки коливаються з дуже коротким періодом 100 фс(1 фс= 10-15 сек= одномільярдну частина однієї мільйонної частки секунди).

Braunstein observed infrared emission generated by simple diode structure based on gallium antimonide(GaSb), gallium arsenide, indium phosphide(InP), and silicon- germanium alloy(SiGe) at room temperature.
Браунштайн спостерігав інфрачервоне випромінювання, що генерувалося звичайною діодною структурою на основі антимоніду галію(GaSb), арсеніду галію, фосфіду індію(InP) та кремнієво-германієвого сплаву(SiGe) при кімнатній температурі.

In our research, we have shown that we can simultaneously overcome all of these challenges of working with nanotubes, and that has allowed us to create these groundbreaking carbon nanotube transistors that surpass silicon and gallium arsenide transistors," says Arnold.
У нашому дослідженні ми показали, що ми можемо одночасно подолати всі ці проблеми роботи з нанотрубками, і що дозволило нам створити ці новаторським вуглецевих нанотрубок транзисторів, які перевершують кремній і арсенід галію транзисторів”,- говорить Арнольд.

Light emitting diodes, or electroluminescent diodes,(based, inter alia, on gallium arsenide or gallium phosphide) are devices which convert electric energy into visible, infra- red or ultra-violet rays.
Світловипромінювальні діоди, чи електролюмінісцентні діоди(на основі, серед іншого(іnter alіa), арсеніду галію або фосфіду галію) є пристроями, що перетворюють електричну енергію у видиме, інфрачервоне чи ультрафіолетове випромінювання.

Indeed, epitaxy is the only affordable method of high crystalline quality growth for many semiconductor materials, including technologically important materials as silicon-germanium, gallium nitride, gallium arsenide and indium phosphide.
Фактично епітаксія є єдиним доступним методом вирощування високоякісних кристалів для більшості напівпровідникових матеріалів, включаючи такі технологічно важливі матеріали, як кремній-германій, нітрид галію, арсенід галію, фосфід індію та графен.

Gallium arsenide(GaAs) is also widely used in high-speed devices but so far, it has been difficult to form large-diameter boules of this material, limiting the wafer diameter to sizes significantly smaller than silicon wafers thus making mass production of GaAs devices significantly more expensive than silicon.
Арсенід галію(GaAs) також широко застосовується у високошвидкісних пристроях, але до цих пір складно було сформувати кульки великого діаметру з цього матеріалу, обмеживши діаметр розмірами, значно меншими, ніж кремнієві пластини, завдяки чому масове виробництво пристроїв GaAs значно дорожче кремнію.

Applied research, development and production of new semiconductor components on the base of silicon, silicon carbide, gallium arsenide, indium phosphide, gallium nitride, which are carried out in the scientific and engineering divisions of the RI"Orion", make it possible to create microwave basic technology for manufacturing the main components of transceiver modules in microwave integrated circuits form.
Прикладні дослідження, розроблення і виробництво нових напівпровідникових компонентів на основі кремнію, карбіду кремнію, арсеніду галію, фосфіду індію, нітриду галію, які виконуються в науково-технічних підрозділах НДІ"Оріон", дозволяють створювати мікрохвильові базові технології виробництва основних компонентів приймально-передавальних модулів у вигляді інтегральних схем НВЧ.

The one-dimensional photonic crystals of the millimeter-wave with the resonance inserts in the form of the wafers of the silicon, gallium arsenide or cadmium telurida films on the plates of the fused silica with a quality factor Qgt; 1000, suitable for the creation of the quasi-sensitive switches W range that can be controlled by the light pulses, which are emitted by an array of light-emitting diodes were theoretically and experimentally studied.
Теоретично та експериментально досліджено одновимірні фотонні кристали міліметрових хвиль з резонансними вставками у вигляді пластин кремнію, арсеніду галію або плівок телуриду кадмію на пластинах плавленого кварцу з добротністю Qgt;1000, придатні для створення чутливих квазиоптичних перемикачів W диапазону, що можуть керуватися світловими імпульсами, які випромінюються масивом світлодіодів.

Besides them in the manufacture of solar batteries are increasingly used components such as arsenide, gallium, copper, cadmium telluride, selenium, and others.
Крім них при виробництві сонячних елементів все частіше використовуються такі компоненти, як арсенід, галій, мідь, кадмій, телурид, селен та інші.