Що таке MOSFET Українською - Українська переклад

• MOSFET

Приклади вживання Mosfet Англійська мовою та їх переклад на Українською

Some sort of street MOSFET?
Або як вам вулиця МЮД?

Mosfet Power Transistor.
Кремнієвої МОП- транзистор.

Transistor Modules MOSFET.
Транзисторні модулі MOSFET.

MOSFET Integrated Circuits, 302.
Інтегральні схеми 6. 5 MOSFET, 302.

In experiments very well-proven mosfet 47N60.
В експериментах дуже добре себе зарекомендував mosfet 47N60.

VT1- transistor mosfet protection on the input FS7KM;
VT1- mosfet транзистор з захистом по входу FS7KM;

But generation is still slowly recovering, and MOSFET!!!
Але генерація все одно потихеньку відновлюється, причому на мосфете!!!

A dual-gate MOSFET and schematic symbol.
MOSFET з двома затворами та його схематичне зображення на схемах.

It is drawn in a more successful bipolar MOSFET transistor.
В ній замість біполярного намальований більш вдалий MOSFET-транзистор.

A connector with a MOSFET button(metal-oxide semiconductor field-effect transistor) will be placed on the body.
На корпусі встановлюють конектор з кнопкою мосфету(MOSFET- польовий транзистор).

As the breaker fits many modern mosfet or lgbt transistors.
Як переривника підходять багато сучасні mosfet або igbt-транзистори.

The MOSFET is the basic building block of most modern electronics, including computers, smartphones, tablets and Internet services.
MOSFET є основним складовим елементом сучасної електроніки, включаючи комп'ютери, смартфони, планшети та Інтернет-сервіси.

This generator can be received if to include a mosfet transistor according to the diagram in the following figure.
Такий генератор можна отримати, якщо включити mosfet транзистор за схемою, представленою на рисунку.

The chip is generating at its terminals 5 and 7 of rectangular pulses, which are amplified by the output stage MOSFET two-Oh.
У ній застосовується мікросхема генеруюча на своїх висновках 5 і 7 прямокутні імпульси, які посилюються вихідним каскадом на двох MOSFET-ах.

As output keys in a computer PSU are often used MOSFET- field effect transistor with high output and low current control.
В якості вихідних ключів в комп'ютерному БП часто застосовують MOSFET- польовий транзистор великої потужності і малим струмом управління.

In this case, because the intermediate driver, the front of the pulse will be flatter, but the X3 allows you to connect a MOSFET is the key to any current and voltage.
В цьому випадку, через проміжного драйвера, фронт імпульсу буде більш пологим, але зате X3 дозволяє підключити MOSFET-ключ на будь-струм і напруга.

As a key, you can use any n-channel MOSFET with minimum reverse voltage of 400 volts and a power defined by the required power load.
В якості ключа можна застосувати будь-n-канальний MOSFET з мінімальним зворотним напругою 400 вольт та потужністю, яка визначається необхідної вам потужністю навантаження.

The ETL demonstration inspired Grenoble INP researchers including Francis Balestra, Sorin Cristoloveanu, M. Benachir and Tarek Elewa to fabricate a double-gate MOSFET using silicon thin film in 1987.
Це надихнуло Френсіса Балестра, Соріна Кристоловеану, М. Бенахіра та Тарека Елева на створення MOSFETу з подвійним затвором з використанням тонких плівок кремнію в 1987 році.

The JFET has higher transconductance than the MOSFET, as well as lower flicker noise, and is therefore used in some low-noise, high input-impedance op-amps.
JFET має більш високу крутизну, ніж MOSFET, а також низький рівень флікер-шуму, і тому використовується в деяких малошумлячих операційних підсилювачах з високим вхідним імпедансом.

MOSFET scaling miniaturization at a pace predicted by Dennard scaling and Moore's law has been the driving force behind technological advances in the electronics industry since the late 20th century.
MOSFET масштабування мініатюризації темпом, передбаченим масштабуванням Деннарда та законом Мура, є рушійною силою технологічного прогресу в електронній галузі з кінця 20th століття.

All these are shown on the diagram in the form of a waveform to the gate of the mosfet transistor VT1, which performs here the function of the circuit breaker.
Всі вони наводяться на схемі у вигляді осцилограм на затворі mosfet-транзистори VT1, який і виконує тут функцію переривника.

MOSFET scaling has been extended into the early 21st century with advances such as reducing power consumption, silicon-on-insulator(SOI) semiconductor device fabrication, and multi-core processor technology, leading up to the Internet of things, which is being driven by MOSFETs scaling down to nanoelectronic levels with reducing energy consumption.
Масштабування MOSFET було розширено на початку 21st століття з досягненнями, такими як зниження енергоспоживання, виготовлення напівпровідникового пристрою кремнію на ізоляторі та багатоядерна процесорна технологія, що веде до Інтернету речей, якими керує MOSFET зменшується до наноелектронних рівнів із зменшенням споживання енергії.

It should be noted that as a key transistor need to choose a MOSFET with a small on-resistance and maximum voltage closed- not less than 500V. Optimal 47N60.
Потрібно зауважити, що в якості ключового транзистора потрібно вибирати MOSFET з маленьким опором відкритого каналу і максимальним напруженням закритого- не нижче 500В. Оптимально підходить 47N60.

The double-gate control of SOI transistors was used to force the whole silicon film(interface layers and volume) in strong inversion(called“Volume-Inversion MOSFET”) or strong accumulation(called“Volume-Accumulation MOSFET”).
Транзистори з подвійним затвором ефективно використовували кремнієву плівку(не тільки площу, а й об'єм) в сильній інверсії(Volume-Inversion MOSFET) або сильному накопиченні(Volume-Accumulation MOSFET).

A typical experimental subthreshold swing for a scaled MOSFET at room temperature is~70 mV/dec, slightly degraded due to short-channel MOSFET parasitics.[2].
Типовий експериментальний підпороговий поворот для масштабованого MOSFET при кімнатній температурі становить~ 70 мВ/ дек, деградуючи незначно через короткоканальних паразитичних MOSFET.[1].

They realized that the fully depleted(FD) body of a narrow bulk Si-based transistor helped improve switching due to a lessened body-bias effect.[34][35] In 1992, a triple-gate MOSFET was demonstrated by IBM researcher Hon-Sum Wong.[36].
Вони зрозуміли, що повністю виснажений(FD fully depleted) кремнієвий канал сприяє поліпшенню перемикання завдяки зменшенню body-ефекту.[2][3] У 1992 році дослідник IBM Хон-Сум Вонг продемонстрував MOSFET з потрійним затвором.[4].

Working devices have been demonstrated which were fabricated with a MOSFET transistor channel length of 6.3 nanometres using conventional semiconductor materials, and devices have been built that used carbon nanotubes as MOSFET gates, giving a channel length of approximately one nanometre.
Були продемонстровані робочі пристрої, які були виготовлені з транзисторним каналом MOSFET довжиною 6, 3 нанометрів з використанням звичайних напівпровідникових матеріалів, а також були побудовані пристрої, що використовували вуглецеві нанотрубки як ворота MOSFET, що дало довжину каналу приблизно один нанометр.

In turn, the driving force behind the electronics industry is the semiconductor industry.[5] The basic building block of modern electronics is the MOSFET(metal-oxide-silicon field-effect transistor, or MOS transistor),[3][4] the scaling and miniaturization of which has been the primary factor behind the rapid exponential growth of electronic technology since the 1960s.[8].
У свою чергу, рушійною силою електронної промисловості є напівпровідникова промисловість.[2] Основним будівельним елементом сучасної електроніки є МОП-транзистор(польовий транзистор з металооксидом-кремнієм, або МОП-транзистор),[3][4] масштабування та мініатюризація якого є основним фактором швидкого експоненціального зростання електронних технології з 1960-х років.[5].

The rapid progress of the electronics industry during the late 20th to early 21st centuries was achieved by rapid MOSFET scaling(related to Dennard scaling and Moore's law), down to sub-micron levels and then nanoelectronics in the early 21st century.[20] The MOSFET is the most widely manufactured device in history, with an estimated total of 13 sextillion MOSFETs manufactured between 1960 and 2018.
Швидкий прогрес електронної промисловості в кінці 20-го на початку 21-го століття був досягнутий швидким масштабуванням MOSFET(пов'язаним із масштабуванням Деннарда та законом Мура), аж до субмікронних рівнів, а потім і наноелектроніки на початку 21 століття.[1] MOSFET- це найбільш широко випускається пристрій в історії, загалом, за оцінками, 13 МОП-транзистори sextillion, виготовлені між 1960 і 2018 рр.