Що таке НОСІЇВ ЗАРЯДУ Англійською - Англійська переклад

• charge carriers
• charge carrier
• charge-carriers

Приклади вживання Носіїв заряду Українська мовою та їх переклад на Англійською

Справа в тому, що він служить своєрідним дзеркалом для носіїв заряду.
The fact that it serves as a mirror for the charge carriers.

Без лептонним альтернативних носіїв заряду, поле кварка ніколи не міг порушити симетрію матерії-антиматерії пар лептокварка;
Without the leptonic alternative charge carriers, the quark mass field could never break the symmetry of matter-antimatter leptoquark pairs;

Проаналізовано вплив стехіометрії на процеси захоплення носіїв заряду.
Stoichiometric effect on the processes of charge carrier trapping has been analyzed.

Причина фотопровідності- збільшення концентрації носіїв заряду- електронів у зоні провідності і дірок у валентній зоні.
The reason for photoconductivity is the increasing of the concentration of charge carriers- electrons in the conductivity area and the holes in the valence zone.

Постійна Холу R обернено пропорційна величині заряду й концентрації носіїв заряду.
Hall coefficient R is inversely proportional to the charge and the charge carrier concentration.

Дослідження носіїв заряду в атомарних і молекулярних кріоконденсатах- формування і стабілізація зарядових центрів, реакції за участю носіїв заряду, процеси релаксації.
Charge carriers in atomic and molecular cryocondensates- formation and stabilization of charge centers, reactions involving charge centers, relaxation.

У сильних електричних полях закон Ома часто не виконується навіть для гарних провідників, оскільки фізична картина розсіювання носіїв заряду змінюється.
In strong electric fields, Ohm's law is often not respected even for good conductors because the physical picture of the charge carriers scattering changes.

Під дією випромінювання всередині приладу вже відбувається генерація носіїв заряду, які потім розділяються p-n переходом і практично готові до подальшого використання.
Under the influence of radiation inside the device it is already happening the generation of charge carriers, which are then separated p-n junction and almost ready for use.

На їхній основі був розвинений метод високоточного виміру екстремальних фермієвських імпульсів із одночасним визначенням знака носіїв заряду(Ga).
The method of precise measurement of extreme Fermi moment with simultaneous determination of the sign of charge carriers(Ga) was developed on this basis.

У деяких матеріалах при низьких температурах процеси розсіювання носіїв заряду гасяться завдяки особливій взаємодії між ними та коливаннями кристалічної ґратки- фононами.
In some materials at low temperatures, charge carrier scattering processes are suppressed due to the special interaction between them and the vibrations of the crystal lattice- phonons.

Ці результати дають змогу визначити, за яких умов реалізується той чи інший спіновий стан, що відкриває нові можливості керування спіновою степенем вільності носіїв заряду для спінтроніки.
These results allow to ascertain the conditions at which the given spin state is realized, which opens new perspectives to control the spin degree of freedom of charge carriers in spintronics.

Так само, в електричній схемі робота, проведена для переміщення електронів або інших носіїв заряду, дорівнює«електричному тиску», помноженому на кількість електричних зарядів, котрі пересуваються.
Similarly, in an electrical circuit, the work done to move electrons or other charge-carriers is equal to"electrical pressure" multiplied by the quantity of electrical charges moved.

(1) Біполярні транзистори, що є триелектродними приладами, які складаються з двох переходів діодного типу, транзисторна дія яких залежить як від позитивних, так і негативних носіїв заряду(тому і називають біполярними).
(1) Bipolar transistors, which are three terminal devices consisting of two diode type junctions, and whose transistor action depends on both positive and negative charge carriers(hence, bipolar).

Так само, в електричній схемі робота, проведена для переміщення електронів або інших носіїв заряду, дорівнює«електричному тиску», помноженому на кількість електричних зарядів, котрі пересуваються.
Similarly, in an electrical circuit, the work done to move electrons or other charge-carriers is equal to'electrical pressure'(an old term for voltage) multiplied by the quantity of electrical charge moved.

Мезони також функціонувати в якості альтернативних носіїв заряду часткових зарядів для перетворення кварків в баріони, а в якості альтернативних носіїв електричного заряду і/ або нейтральні маси-енергії.
Mesons also function as alternative charge carriers of partial charges for quark transformations in baryons, and as alternative carriers of electric charge and/or neutral mass-energy.

Так само, як зарядовим інваріантності є найважливішим питанням для збереження заряду і симетрії, так і повинно бути механізму елементарного і альтернативних носіїв заряду перетворення(перетворення кварки, лептони й нейтрино).
Just as charge invariance is a critical issue for charge and symmetry conservation, so also must be the mechanism of elementary and alternative charge carrier transformations(transformations of quarks, leptons, and neutrinos).

Де τ Ф{\властивості стиль відображення значення\Тау _{Ф}} вперед часу транзиту носіїв заряду.[5] Перший доданок в заряд заряд транзитом через діод, коли поточна Я Питання{\привиди властивості стиль відображення значення{запитання}} потоків.
Where τ F{\displaystyle\tau_{F}} is the forward transit time of charge carriers:[5] The first term in the charge is the charge in transit across the diode when the current I Q{\displaystyle I_{Q}} flows.

IVBs збереження заряду/ мас-інваріантності елементарних частинок через їх великий, постійної, і квантованного маси(як масштабується бозон Хіггса), яка відтворює оригінальне екологічних умов висококалорійних метрику, в якій реагують і перетворення елементарних частинок( і їх альтернативних носіїв заряду) вперше були сформовані під час"Великого вибуху".
The IVBs conserve the charge/mass invariance of elementary particles through their large, constant, and quantized mass(as scaled by the Higgs boson), which recreates the original environmental conditions of the energy-dense metric in which the reacting and transforming elementary particles(and their alternative charge carriers) were first formed during the“Big Bang”.

Аналітично знайдено зв'язок між загальною кількістю носіїв заряду із реалістичним значенням величини прикладеного електричного поля в експериментальній структурі польового транзистора, оцінено максимально можливий ступінь допування молекул фулерену в граничному випадку прикладеної напруги затвора.
The relation between total amount of charge carriers and realistic electric field magnitude in FET structure is determined analytically. Maximal possible field-effect doping rate of fullerene molecules is estimated in break-down limit of gate dielectrics.

Роль особистості заряду в збереження симетрії є не тільки можливість створення"фуфайки" шляхом надання альтернативних носіїв заряду(нейтрино) ідентичності заряду, але і для виявлення частинок на їх античастинки товаришів, щоб вони могли знайти відповідних партнерів анігіляції в своєчасно(у межах Гейзенберга час для віртуальної реальності, наприклад).
The role of identity charge in symmetry conservation is not only to allow the creation of“singlets” by providing alternative charge carriers(neutrinos) for identity charge, but also to identify particles to their antiparticle mates, so they may find appropriate annihilation partners in a timely fashion(within the Heisenberg time limit for virtual reality, for example).

Провідники I роду- метали- носіями заряду є електрони.
I kind of conductors- metals- the charge carriers are electrons.

Випромінювання, що потрапляє на поверхню елемента, генерує в обсязі напівпровідника носії заряду з різним знаком- електрони(n) і дірки(p).
Radiation falling on the surface of the element, in the semiconductor generates charge carriers with different signs- electrons(n) and holes(p).

Типу p в якості носіїв зарядів розглядаються так звані дірки(під дірками розуміється вільне місце біля атома, яке може бути включена стороннім йому електроном).
P type as charge carriers discusses the so-called holes(under the holes refers to free space in the atom, which can be busy outsiders him electron).

У зовнішніх(легованих) напівпровідниках атоми легуючих речовин збільшують концентрацію носія заряду в більшості за рахунок подачі електронів у зону провідності або створення отворів у валентній зоні.
In extrinsic(doped) semiconductors, dopant atoms increase the majority charge carrier concentration by donating electrons to the conduction band or producing holes in the valence band.

Розігнаний до великої швидкості носій заряду може іонізувати нейтральний атом, породжуючи нові носії заряду, які теж у свою чергу вносять вклад у електричний струм.
Accelerated to the high speed, the charge carriers can ionize a neutral atom, giving rise to new carriers, which also in turn contribute to the electric current.

В верхньому шарі УФ-світло створює вільні носії заряду, точно як в стандартній сонячній панелі»- каже Джордж.
In the upper layer, ultraviolet light creates free charge carriers, just like in a standard solar cell,” he added.

Транзисторний вплив у польовому транзисторі використовує лише один тип носія заряду(тому їх і називають уніполярними).
The transistor action in a field effect transistor employs only one type of charge carriers(hence, unipolar).

Оскільки новий матеріал катода дозволяє використовувати більш відповідний носій заряду, батареї можуть ефективніше використовувати потенціал алюмінію.
Because the new cathode material makes it possible to use a more appropriate charge-carrier, the batteries can make better usage of aluminum's potential.

Оскільки новий катодний матеріал дозволяє використовувати більш відповідний носій заряду, в батареях можна більше розкрити потенціал алюмінію.
Because the new cathode material makes it possible to use a more appropriate charge-carrier, the batteries can make better usage of aluminum's potential.

Оскільки новий катодний матеріал дозволяє використовувати більш відповідний носій заряду, в батареях можна більше розкрити потенціал алюмінію.
Because the new cathode material makes it possible to use a more appropriate charge-carrier, the batteries can make better usage of aluminium's potential.