Що таке CHARGE CARRIERS Українською - Українська переклад

• носіїв заряду
• носії заряду

Приклади вживання Charge carriers Англійська мовою та їх переклад на Українською

I kind of conductors- metals- the charge carriers are electrons.
Провідники I роду- метали- носіями заряду є електрони.

The use of gettering treatments that increase the lifetime of non-main charge carriers;
Використання геттерірующіх обробок, що збільшують час життя неосновних носіїв заряду;

If a metal plate, the charge carriers are electrons.
Якщо пластина металева, то носіями електричного заряду є електрони.

The fact that it serves as a mirror for the charge carriers.
Справа в тому, що він служить своєрідним дзеркалом для носіїв заряду.

In metals, the electric charge carriers are electrons.
У металах, як ви вже знаєте, вільними носіями електричного заряду є електрони.

P type as charge carriers discusses the so-called holes(under the holes refers to free space in the atom, which can be busy outsiders him electron).
Типу p в якості носіїв зарядів розглядаються так звані дірки(під дірками розуміється вільне місце біля атома, яке може бути включена стороннім йому електроном).

In the upper layer, ultraviolet light creates free charge carriers, just like in a standard solar cell,” he added.
В верхньому шарі УФ-світло створює вільні носії заряду, точно як в стандартній сонячній панелі»- каже Джордж.

Charge carriers in atomic and molecular cryocondensates- formation and stabilization of charge centers, reactions involving charge centers, relaxation.
Дослідження носіїв заряду в атомарних і молекулярних кріоконденсатах- формування і стабілізація зарядових центрів, реакції за участю носіїв заряду, процеси релаксації.

The transistor action in a field effect transistor employs only one type of charge carriers(hence, unipolar).
Транзисторний вплив у польовому транзисторі використовує лише один тип носія заряду(тому їх і називають уніполярними).

Without the leptonic alternative charge carriers, the quark mass field could never break the symmetry of matter-antimatter leptoquark pairs;
Без лептонним альтернативних носіїв заряду, поле кварка ніколи не міг порушити симетрію матерії-антиматерії пар лептокварка;

This process is similar to the current movement in the conductor with the difference that the charge carriers- ions will have a different speed.
Цей процес схожий на рух струму в провіднику з тією відмінністю, що переносники заряду- іони будуть мати різну швидкість.

Chaotic and regular dynamics of charge carriers in the semiconductor multilayer structures with avalanche multiplication of charges;.
Хаотична і регулярна динаміка носіїв зарядів в багатошарових напівпровідникових структурах з лавинним множенням зарядів;.

Radiation falling on the surface of the element, in the semiconductor generates charge carriers with different signs- electrons(n) and holes(p).
Випромінювання, що потрапляє на поверхню елемента, генерує в обсязі напівпровідника носії заряду з різним знаком- електрони(n) і дірки(p).

Accelerated to the high speed, the charge carriers can ionize a neutral atom, giving rise to new carriers, which also in turn contribute to the electric current.
Розігнаний до великої швидкості носій заряду може іонізувати нейтральний атом, породжуючи нові носії заряду, які теж у свою чергу вносять вклад у електричний струм.

One of the main characteristics of the p-n junction is its ability to be an energy barrier for the charge carriers, i. e. they pass only in one direction.
Одним із головних властивостей p-n переходу є його здатність бути енергетичним бар'єром для носіїв струму, тобто пропускати їх в тільки в одному напрямку.

Because the charge carriers, no matter WHAT, in the conductor interact with some structures, causing a higher or lower conductivity, but this interaction only goes in the direction of transmission of the current….
Адже носії заряду, не важливо ЯКІ, в провіднику взаємодіють з деякими структурами, що обумовлюють більшу або меншу провідність- але ця взаємодія не тільки йде по напрямку передачі струму….

Conductors II kind- solutions of acids, salts and melts- the charge carriers- electrons and ions, they transfer charges leads to chemical changes(electrolysis).
Провідники II роду- розчини кислот, солей і їх розплави- носії заряду- електрони й іони; перенесення в них зарядів приводить до хімічних змін(електроліз).

(1) Bipolar transistors, which are three terminal devices consisting of two diode type junctions, and whose transistor action depends on both positive and negative charge carriers(hence, bipolar).
(1) Біполярні транзистори, що є триелектродними приладами, які складаються з двох переходів діодного типу, транзисторна дія яких залежить як від позитивних, так і негативних носіїв заряду(тому і називають біполярними).

Perhaps the most important of these many pairings is that between the leptons(alternative charge carriers) and hadrons(mass carriers), illustrated here by the electron and proton.
Мабуть, найбільш важливим з цих багатьох пар є те, що між лептонів(альтернативні носії заряду) і адронів(маса носіїв), ілюстровані тут електрона і протона.

Mesons also function as alternative charge carriers of partial charges for quark transformations in baryons, and as alternative carriers of electric charge and/or neutral mass-energy.
Мезони також функціонувати в якості альтернативних носіїв заряду часткових зарядів для перетворення кварків в баріони, а в якості альтернативних носіїв електричного заряду і/ або нейтральні маси-енергії.

The IVBs conserve the charge/mass invariance of elementary particles through their large, constant, and quantized mass(as scaled by the Higgs boson), which recreates the original environmental conditions of the energy-dense metric in which the reacting and transforming elementary particles(and their alternative charge carriers) were first formed during the“Big Bang”.
IVBs збереження заряду/ мас-інваріантності елементарних частинок через їх великий, постійної, і квантованного маси(як масштабується бозон Хіггса), яка відтворює оригінальне екологічних умов висококалорійних метрику, в якій реагують і перетворення елементарних частинок( і їх альтернативних носіїв заряду) вперше були сформовані під час"Великого вибуху".

It is done to ensure that the charge carriers of different signs generated by the radiation were in the area of influence of the p-n junction as quick as possible, otherwise they will meet again each other and thus balanced by, and to prevent any contribution to the generation of electric current.
Це зроблено для того, щоб носії заряду різних знаків, згенеровані під дією випромінювання, якнайскоріше потрапили в зону впливу pn переходу, інакше вони просто знову зустрінуться один з одним і таким чином скомпенсіруют, так і не давши жодного внеску в генерацію електричного струму.

The role of identity charge in symmetry conservation is not only to allow the creation of“singlets” by providing alternative charge carriers(neutrinos) for identity charge, but also to identify particles to their antiparticle mates, so they may find appropriate annihilation partners in a timely fashion(within the Heisenberg time limit for virtual reality, for example).
Роль особистості заряду в збереження симетрії є не тільки можливість створення"фуфайки" шляхом надання альтернативних носіїв заряду(нейтрино) ідентичності заряду, але і для виявлення частинок на їх античастинки товаришів, щоб вони могли знайти відповідних партнерів анігіляції в своєчасно(у межах Гейзенберга час для віртуальної реальності, наприклад).

The continuum model for long-wavelength charge carriers, originating in the tight-binding approximation for the nearest-neighbour interaction of atoms in the crystalline lattice, is applied to consider quantum ground-state effects of electronic excitations in Dirac materials with two-dimensional monolayer honeycomb structures warped into nanocones by a disclination.
На основі континуальної моделі для довгохвильових зарядових носіїв, розглянуто квантові ефекти основного стану електронних збуджень в діракових матеріалах із двовимірними одношаровими стільниковими структурами, скрученими дисклинацією у наноконуси.

Hall coefficient R is inversely proportional to the charge and the charge carrier concentration.
Постійна Холу R обернено пропорційна величині заряду й концентрації носіїв заряду.

Stoichiometric effect on the processes of charge carrier trapping has been analyzed.
Проаналізовано вплив стехіометрії на процеси захоплення носіїв заряду.

In some materials at low temperatures, charge carrier scattering processes are suppressed due to the special interaction between them and the vibrations of the crystal lattice- phonons.
У деяких матеріалах при низьких температурах процеси розсіювання носіїв заряду гасяться завдяки особливій взаємодії між ними та коливаннями кристалічної ґратки- фононами.

In extrinsic(doped) semiconductors, dopant atoms increase the majority charge carrier concentration by donating electrons to the conduction band or producing holes in the valence band.
У зовнішніх(легованих) напівпровідниках атоми легуючих речовин збільшують концентрацію носія заряду в більшості за рахунок подачі електронів у зону провідності або створення отворів у валентній зоні.

Just as charge invariance is a critical issue for charge and symmetry conservation, so also must be the mechanism of elementary and alternative charge carrier transformations(transformations of quarks, leptons, and neutrinos).
Так само, як зарядовим інваріантності є найважливішим питанням для збереження заряду і симетрії, так і повинно бути механізму елементарного і альтернативних носіїв заряду перетворення(перетворення кварки, лептони й нейтрино).

Quark flavors can transform one into another if there is sufficient energy, and if a leptonic(and/or meson) alternative charge carrier can be produced by the"W" IVB of the weak force.
Кваркового ароматів може перетворити один в одного, якщо є достатня кількість енергії, і якщо лептонної(і/ або мезон) альтернативний носій заряду може бути отриманий за допомогою“W” IVB слабкої сили.