MAGNETIC MEMORY 日本語 意味 - 日本語訳 - 英語の例文

• 磁気メモリ
• 磁気メモリー
• 磁気記憶

英語 での Magnetic memory の使用例とその 日本語 への翻訳

High-density magnetic memory materials.
高密度磁気記録材料。

There are two important requirements for magnetic memory.
磁気メモリでは2つの重要な特性が問題になる。

The MOKE is used in magnetic memory devices and future spintronics devices.
MOKEは、磁気メモリーデバイスや将来のスピントロニクスデバイスに用いられます。

This has promise for realizing new devices such as magnetic-field sensors and magnetic memory devices.
この方法は、磁場センサーや磁気記憶デバイスなどへの応用が期待される。

IBM launched a magnetic memory in the cartridge has a packing density of 38,000 BPI.
IBMは38000BPIの密度を有するカセット内の磁気メモリを開始しました。

This work suggests that single-atom magnetic memory should be possible.
今回の研究結果は、単一原子磁気メモリーを実現できるはずであることを示唆している。

The ability to operate without a permanent magnet means that this memory device is easier to downscale in size compared to other magnetic memory technologies.
この記憶デバイスは、永久磁石がなくても動作するため、他の磁気記憶技術よりも小型化が容易になっている。

Future developments The developed magnetic memory technology is being pursued as a fundamental technology development project by the New Energy and Industrial Technology Development Organization.
今後の展望今回開発した磁性体メモリの技術開発は、NEDO(新エネルギー・産業技術総合開発機構)のノーマリオフコンピューティング基盤技術開発プロジェクトにて進められております。

I am considering applying this substance to shape memory materials and magnetic memory elements.
この物質の形状記憶材料、磁気メモリー素子への応用も検討しています。

Our company is continuing to further improve the new magnetic memory elements and circuits that we have already developed and to develop memory technology that is suitable for even smaller silicon transistors.
当社は、これまで開発した新型磁性体メモリ技術をさらに改良し、より微細なシリコントランジスタに適合したメモリを継続的に開発してまいります。

In 2012, IBM scientists announced the creation of the world's smallest magnetic memory bit, made of just 12 atoms.
年、IBMはわずか12の原子で構成される世界最小の磁気メモリー・ビットの開発を発表。

The development of a high-performance magnetic memory device(where the magnetic structure is manipulated by current) has been intensively pursued recently, and the present findings are expected to facilitate the fundamental understanding to achieve the practical application.
近年電流を用いて磁気構造を操作する高性能磁気メモリ素子の開発が活発に行われていますが、本研究はこのようなデバイス応用を実現するための基礎的な理解も大いに促進するものと期待されます。

Prof. Motokawa offered a model that explains an uncommon physical phenomenon in tis class of materials- magnetisation reversal and magnetic memory effect at low temperatures.
本河教授はこのクラスの物質(低温における磁性転換と磁気記憶効果)の特異な物理学的現象を説明するモデルを提供した。

In the field of spintronics, development has been progressing on"MRAM" nonvolatile magnetic memory that utilizes the nonvolatile nature of magnets and is recognized as the only nonvolatile memory offering high capacity, high speed, and highly repeatable operation.
スピントロニクス(注8)分野では、磁石が有する不揮発性を利用した、不揮発性磁気メモリ「MRAM」の開発が進められており、大容量性、高速性、高い耐繰り返し動作性を満たし得る唯一の不揮発性メモリとして期待されています。

In 1986, they achieved practical application of a high-capacity, high-speed magnetic disk unit commonly referred to as GEMMY: Giga-byte capacity magnetic memory.
年,大容量・高速磁気ディスク装置(通称GEMMY:Giga-bytecapacitymagneticmemory)を実用化した。

These ε-iron oxide magnetic nanomaterials are expected to contribute to high-density magnetic memory media or high-speed operation circuit magnetic devices.
これらのイプシロン酸化鉄磁性ナノ材料は、高密度磁気記録媒体または高速動作回路磁気デバイスに貢献することが期待されます。

Because the atomically thin material is an exceptional conductor of heat, the researchers suggested it may be useful for electronics in high-temperature applications, perhaps even as magnetic memory devices.
この原子薄物質が、非常に優れた熱伝導体なので、研究者達は、それが、高温下でも使える電子機器や、さらに、磁気メモリ素子としても利用できる可能性がある事を示唆しています。

Voltage torque MRAM is expected to offer dramatically lower power consumption than conventional current-controlled magnetic memory(STT-MRAM), but reducing the write error rate has been a major challenge in terms of practical application of the technology.
電圧トルクMRAMでは、従来の電流駆動型磁気メモリ(STT-MRAM(注5))と比較して飛躍的な低駆動電力化が期待されていますが、書き込みエラー率の低減が実用化に向けた重要課題となっています。

The development of a multiferroic material allowing magnetization reversal through electric polarization reversal in which ferromagnetism and ferroelectricity coexist, promises ultra-low power consumption magnetic memory with electric field writing and magnetic reading.
強磁性と強誘電性が共存するマルチフェロイクス材料を用い、電気分極反転に伴って磁化を反転することが可能ならば、電場書き込み磁気読み出しの超低消費電力磁気メモリを実現できると期待されます。

We will continue to improve the developed magnetic memory elements and circuits, with the aim of developing, by project end(fiscal 2015), nonvolatile memory technologies that reduce overall processor power consumption to less than one-tenth that of conventional circuits.
当社は、これまで開発した新型磁性体メモリ素子と回路をさらに改良し、プロジェクトの最終年度(2015年度)までに、プロセッサ全体の消費電力を10分の1に抑えることが可能な不揮発メモリ技術の開発を目指します。

These characteristics have enabled researchers to use GaMnAs as a platform for new devices, such as spin transistors and magnetic memory, which can process information using minimal energy.
研究者たちは、このような特徴を持つ(Ga,Mn)Asを、スピントランジスターや磁気メモリーなど、非常に少ないエネルギーでの情報処理を可能にする新しいデバイスのプラットフォーム材料として利用してきた。

In circuits for writing conventional magnetic memory, it has been difficult to generate high-speed voltage pulse with an accurately controlled waveform, because the waveform of the voltage pulses can be degraded because of the influence of resistance and capacitance components of memory elements and wiring, which make the quick switching of the voltage polarity difficult.
従来の磁気メモリ用書き込み回路では、配線の充・放電に時間がかかるためパルス電圧の波形の立ち上がり、立ち下がり時間がなだらかなものに変化してしまい(波形のなまり)、かつ電圧の極性を高速に切り替えることも困難であるため、正確に形状制御された高速パルス電圧を生成することは困難でした。

It has an excellent power saving capacity and by removing the battery for data backup, it improved the reliability of storage, using magnetic memory and also contributes to easier maintenance and reduction of waste.
省電力に優れ、またデータバックアップ用バッテリーを無くし磁気性メモリーを活用することでデータの保存の信頼性を高めると同時に、メンテナンス性の向上、廃棄物削減にも寄与します。

The Voltage-driven spintronics team in AIST previously developed a magnetic tunnel junction(MTJ) element, in which magnetization reversal can be controlled by fast voltage pluses, and has been developing a new type of voltage-controlled magnetic memory,"voltage torque MRAM.
本研究開発チームはこれまで、高速パルス電圧によって磁化反転(注3)を制御可能な磁気トンネル接合素子(MTJ素子)(注4)を開発し、電圧駆動型の新しい磁気メモリ「電圧トルクMRAM」の実現に取り組んできました。

The tetrataenite phase with the magnetic properties found in this research is attracting attention as a material for the next-generation resource-saving and low-power-consumption magnetic memory, which will contribute to the realization of a low-carbon society in our country.
本研究により見出されたテトラテーナイト相の磁気特性は、省資源・低消費電力の次世代磁気メモリの材料として注目が集中しつつあり、我が国の低炭素社会の実現に繋がるものと期待されます。

In the"Achieving Ultimate Green IT Devices with Long Usage Time without Charging", part of ImPACT, the R&D team formed by Toshiba Corporation and AIST has implemented nonvolatile memory offering the lowest power consumption and highest recording density through research and development of"voltage-controlled MRAM" non-volatile magnetic memory, which is written using voltage.
ImPACT「無充電で長期間使用できる究極のエコIT機器の実現」では、究極の超低消費電力かつ高記憶密度の不揮発性メモリの実現に挑戦し、電圧書き込み方式の不揮発性磁気メモリ「電圧駆動MRAM」の研究開発に取り組んでいます。

However, presently available magnetic memories are"current-controlled," which means that data are written(i.e. magnetization is reversed) by supplying current to the MTJ element. This creates the problem that power consumption for writing is larger in the magnetic memory than in semiconductor memory..
しかし、現状の磁気メモリは、磁気トンネル接合素子(MTJ素子)への電流通電により情報書き込み(磁化反転)を行う"電流駆動型"であるため、半導体メモリと比べて書き込み時の消費電力が大きいことが課題となっています。

Such a pure spin current enables to drive magnetic memories, magnetic hard disks, and quantum computers, bringing the promising application as the new energy technology.
熱エネルギーを磁気の流れに変換することで、磁気メモリや磁気ディスク、量子コンピューターなどを駆動することができ、新しいエネルギー技術としての利用が期待されます。

Magnetic memories generally function using the magnetic fields in two ferromagnetic layers- one layer consisting of a permanent magnet and one layer with adjustable magnetic polarization.
磁気メモリーは、通常、2つの強磁性層(永久磁石層と磁気分極を調節できる層)の磁場を利用している。