英語 での Reverse bias の使用例とその 日本語 への翻訳
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Colloquial
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Ecclesiastic
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Computer
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Programming
Is a timing chart of reverse bias driving.
図４９は逆バイアス駆動のタイミングチャートである。Low capacitance at zero bias, extremely low dependence of reverse bias.
零バイアスでの容量が小さく、逆バイアス依存性が非常に小さい。This IC is a 200mA LDO with a reverse bias protection function.
本ICは、逆バイアス保護機能付きの200mALDOです。Vehicle Then reverse bias Road, Lu Zhigang, really beautiful ah pity to hurry can not stop.
This protects the LCDcolumn drivers from high transient currents and reverse bias conditions.
これによって、LCDカラムドライバは大遷移電流および逆バイアス状態から保護されます。The application of the reverse bias voltage is not limited to being performed in the middle of image display.
また、逆バイアス電圧の印加は、画像表示の途中に実施することに限定するものではない。Figure 3 shows a plot of the zener current versus the zenervoltage for a standard zener diode configured in reverse bias.
図3は、逆バイアス構成にした標準的なツェナーダイオードについて、ツェナー電流とツェナー電圧の関係を表したグラフです。This circuit avoids the reverse bias across the photodiode, although it requires a buffered reference.
この回路ではバッファリファレンスが必要ですが、フォトダイオード両端の逆バイアスを避けることができます。Infrared detectors| Hamamatsu Photonics The light level at which the output becomes saturated is about 10 mW, although depending on the element size,incident light spot size, and reverse bias.
赤外線センサ|浜松ホトニクス出力が飽和する光量は、素子サイズ、入射スポット光サイズ、逆バイアスによりますが、約10mW程度です。On the other hand,only small current can flow in reverse bias since the barrier is further increased.
他方で、逆方向バイアスでは、障壁がさらに大きくなるので、ほんの小さい電流が流れることができるだけである。Reverse bias testing can be performed with a maximum testing temperature of 350°C and a maximum testing voltage of 3 kV.
試験温度最大350℃の高温下で、試験電圧最大3kVまでの逆バイアス試験が可能です。During the charge phase, the MOSFET is on,the diode is reverse biased, and energy is transferred from the voltage source to the inductor Figure 2.
充電期間、MOSFETはオンで、ダイオードは逆方向にバイアスされており、エネルギーは電圧源からインダクタに移動します(図2)。The reverse bias for an APD must be tightly controlled to keep its multiplication factor(the gain factor"M") constant over temperature.
APDへの逆バイアスは、温度に対する増倍率(利得係数「M」)を一定に保つために厳しく制御する必要があります。Infrared detectors| Hamamatsu Photonics The light level at which the output becomes saturated is about 10 mW, although depending on the element size,incident light spot size, and reverse bias.
赤外線検出素子:製品情報のよくあるご質問|浜松ホトニクス出力が飽和する光量は、素子サイズ、入射スポット光サイズ、逆バイアスによりますが、約10mW程度です。In order to apply the reverse bias voltage Vm to the EL element 15, it is necessary to turn off the transistor 11a.
逆バイアス電圧ＶｍをＥＬ素子１５に印加するためには、トランジスタ１１ａをオフさせる必要がある。In APD, detected signal is amplified through an avalanche breakdown process where electrons orholes generated by absorbing light are accelerated by applying reverse bias voltage on a pn junction of photo-detection area.
APDでは、受光部のpn接合に逆バイアスをかけ、光を吸収して発生した電子(または正孔)を加速してなだれ増倍を起こさせ信号を増幅する。Although operating the photodiode with a large reverse bias(photoconductive mode) results in a faster response, operating with zero bias(photovoltaic mode) eliminates the dark current.
大きな逆バイアスでフォトダイオードを動作(光伝導モード)させると応答が速くなりますが、ゼロバイアスで動作(光起電モード)させると暗電流はなくなります。For example, if Key0 and Key1 are pressed together, the diodes in series with the keys prevent DIG0/SEG0 from being shorted to DIG1/SEG1, because at any time atleast one of the diodes will be reverse biased.
たとえば、Key0とKey1が同時に押された場合、キーに直列に接続されたダイオードによってDIG0/SEG0がDIG1/SEG1に短絡されることを防止しています(常に少なくとも1つのダイオードに逆バイアスがかかるためです)。When a reverse bias occurs, holes(the minority carrier) in the n layer return to the p layer, but this takes some time, and a current flows until the holes finally return some are annihilated due to the finite lifetime.
これが逆バイアスになると、n層にある正孔(少数キャリア)がp層に戻るのですが、それには少々時間がかかり、戻りきる(一部はライフタイムにより消滅)までは電流が流れてしまいます。When the collector-base(C-B) voltage is greater than zero, the transistor is operated in the active mode,in which the C-B junction is reverse biased and only a very small leakage current will flow across the junction.
Whenthecollector-base(C-B)voltageisgreaterthanzero,thetransistoroperatesintheactivemode.この場合には、Ｃ-Ｂ接合は逆方向にバイアスされ、非常に小さい漏れ電流だけが接合を横切って流れる。In high temperature reverse bias testing, the specimen is subjected to the stress of high voltage and temperature, so consideration is given to device protection and worker safety, and the facility safety specifications of the user are also met.
高温逆バイアス試験では、高電圧、高温度をストレスとするためデバイス保護、作業者の安全にも留意し、さらにユーザーの設備安全仕様にもお応えいたします。An available low-noise bias supply for APDs(an IC) is highly accurate, produces voltages up to 90V, and includes features such as current limiting for APD protection, an avalanche indicator flag,and an optional DAC for setting the reverse bias.
APDへの利用可能な低ノイズバイアス供給(IC)は、高精度で最大90Vの電圧を供給し、APD保護のための電流制限、アバランシェ表示フラグ、及び逆バイアス設定用のオプションのDACなどの機能を含みます。This system applies a reverse bias of from several hundred to 3,000 V between D and S on the IGBT, power MOSFET, or other power semiconductor, the Ice/Ids leak current value is measured, and the data is regularly logged.
IGBT、パワーMOSFETを中心としたパワー半導体のG端子にピンチオフ電圧を印加した状態で、ストレス電圧としてD－S間に数100～3,000Vの逆バイアスを印加、Ice・Idsリーク電流値を測定し、定期的にロギングします。Maximum BMI may be a useful metric to minimize reverse causation bias associated with a single baseline BMI assessment.
最大BMIは、単一ベースラインBMI評価に関連する逆因果関係バイアスを最小化するための、有用なメトリックとなる可能性があると記されている。
