Examples of using Igbts in German and their translations into English
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Political
MOSFETs und IGBTs an Kühlkörper.
Perfekt geeignet für schnelle IGBTs.
Hochleistungsmodule, IGBTs und Treiber.
Im Vergleich zu IGBTs bei einer Chiptemperatur von 150 ° C beansprucht das Unternehmen eine Reduzierung der Schaltverluste um 64.
Er wurde zum Schutz vor Überhitzung von hochintegrierter Leistungselektronik wie MOSFETs,ICs, IGBTs, Triacs, SCRs, usw.
Der limitierende Faktor eines IGBTs ist im Wesentlichen seine Betriebstemperatur.
Der gängige Lösungsansatz zur Stromregelung bei Leistungselektronik ist die Pulsweiten-Modulation(PWM)realisiert mit MOSFETs oder IGBTs.
Ich bin überzeugt, dass IGBTs nicht nur die nächsten fünf, sondern die nächsten zehn Jahre im einstelligen Prozentbereich wachsen werden.
Dazu wurde bisher die elektrische Leistungsfähigkeit von IGBTs und Dioden verbessert sowie die Verbindungstechnologie.
Industrial Power Control Lösungen von Infineon -Hochleistungsmodule, Stacks, bipolare Gleichrichtersysteme und Filter,diskrete IGBTs und Treiber.
Induktionsherde, ausgerüstet mit unseren IGBTs- eine spezielle Art von Leistungstransistoren- können hier bis zu 70 Prozent der Energie einsparen.
Die ECA Halbleiter Datenbank beinhaltet die technischen Daten von über 1.Million verschiedenen Bauteilen wie Transistoren, Dioden,FETs, IGBTs, Thyristoren und ICs.
Netzdrosseln reduzieren die Rückwirkungen der Schaltvorgänge der IGBTs des Servoverstärkers auf das speisende Netz und glätten die Stromspitzen.
Ignition IGBTs(Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode) sind der Muskel der Zündung- auch sie werden in Bremen entwickelt und getestet © WFB/Frank Pusch.
ROHM hat mit der Baureihe RGSxxTS65HDR diezweite Generation von Field Stop Trench IGBTs mit eingebauter FRD für den Spannungsbereich bis 650V in Serie.
IGBTs(Insulated Gate Bipolar Transistors) sind Leistungshalbleiter, die zum Beispiel Elektromotoren in Autos oder Hochgeschwindigkeitszügen antreiben.
Je nach Design-Anspruch lassen sich damit die Schaltgeschwindigkeit der IGBTs und das EMI-Verhalten auch während des Betriebs flexibel variieren.
EVAL-1EDI60I12AF Evaluierungs-Board für 1EDI60I12AF- zwei isolierte Gatetreiber-ICs mit kernlosemEin-Kanal-Transformator mit 1200 V in Halbbrückenkonfiguration für MOS-Transistoren oder IGBTs.
Das Produktportfolio umfasst zunächst IGBTs von 40 A bis 90 A in der 600-V-Spannungsklasse. TRENCHSTOP Advanced Isolation wird auf der PCIM 2017 vorgestellt.
Ebenso intelligente elektronische Fahrerassistenzsysteme(FAS), effiziente Antriebskonzepte(mit Hybrid- oder Elektroantrieben)sowie deren Energieversorgung Hochleistungsbatterien und Leistungselektronik, IGBTs.
Moderne Leistungsbauteile wie MOSFETs, IGBTs, SO-, Direct-FET und viele mehr verlangen eine Kombinaton aus Hochstromanschlüssen und Steuerelektronik in einer Leiterplatte.
Durch die kurzen Zykluszeiten kann die Temperatur genauer bestimmt unddie Leistungsfähigkeit der IGBTs beinahe bis zur Belastungsgrenze ausgereizt werden- für mehr Effizienz.
Die Zwischenkreisspannung wird durch einen Wechselrichter mit IGBTs oder Leistungs-MOSFETs in Wechselspannung umgewandelt und ein- oder dreiphasig in das Niederspannungsnetz oder über einen Transformator in das Mittelspannungsnetz eingespeist.
ROHM präsentiert Stromversorgungslösungen für Hybrid- und vollelektrische Fahrzeuge, die Produkte aus seiner umfassenden Produktpalette enthalten,unter anderem Leistungsbauelemente wie SiC und IGBTs, isolierte Gate-Treiber-ICs und Stromversorgungen für diese Bauelemente sowie Shunt-Widerstände zur Stromerkennung.
Der thermische Junction-Case-Widerstand der IGBTs des CiPoS- Moduls KCS12F60AA beträgt z.B. nur 3,6°C/W und der entsprechende Wert für die EmCon-Dioden nur 4,9°C/W.
Weiter geht es mit passiven Bauteilen wie Widerstände, Kondensatoren, Potis, Spulen, Quarze und Keramik-Resonatoren, schließlich aktive Bauelemente wie Dioden, Thyristoren und Triacs, bipolaren/Feldeffekt-und MOSFET-Transistoren sowie IGBTs.
Herkömmliche und spezielle Topologien mit Dioden, Thyristoren und IGBTs sind mit verschiedenen Gehäuse- und Anschlusstechnologien im Spannungsbereich von 200 V bis 2200 V und Strombereich von 9 A bis 494 A erhältlich.
Zudem ist die einfache Messung der Temperatur über einen Sensor zu ungenau,da dieser bauartbedingt an einer Stelle des IGBTs sitzt, die nicht die höchste Temperatur repräsentiert- und auch hier gibt es einen Zeitversatz.
Dort können wir nun alle Power-Produkte fertigen- Mosfets und IGBTs. Allerdings haben wir auch gesehen, dass wir einen weiteren Standort wie Dresden brauchen, und die Entscheidung ist auf Villach gefallen.
Die Hochstromkontakte eignen sich hervorragend als Anschlusselemente für Sicherungen, IGBTs, Schalter und Kabel an die Leiterplatte oder als Verbindungselemente von Leiterplatte zu Leiterplatte bzw. Leiterplatte zu Gehäuse.