日本語 での 次世代パワー の使用例とその 英語 への翻訳
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次世代パワー半導体」を半導体。
The" Next Generation Power Semiconductors.次世代パワーデバイス回路形成に最適。
Appropriate for forming next generation power device circuit.次世代パワー半導体への。
Next Generation Power.次世代パワーデバイス・モジュール用セラミックス。
Ceramics for next generation power devices& modules.次世代パワーデバイス材料、。
Future power device material.Combinations with other parts of speech
形容詞による使用
動詞での使用
さらに、次世代パワー半導体として研究が進んでいるSiC(炭化ケイ素)半導体向けにもAlワイヤーは有効である。
In addition, aluminum wires are also a good match for silicon carbide(SiC) semiconductor devices,which are currently being researched as next-generation power semiconductor devices.次世代パワー半導体SiC(シリコンカーバイド)を使いショットキバリア構造で耐圧650Vを実現しました。
Product with 650V breakdown voltage in schottkybarrier configuration is realized with use of the next generation power semiconductor SiC(Silicon Carbide).圧倒的に優位な材料特性を有するGa2O3ベースの次世代パワーデバイスを開発。
Developer and solution provider of Gallium Oxide(Ga2O3)-based next-generation power devices with overwhelmingly superior material characteristics.次世代パワー半導体はエレクトロニクス機器を新たな領域へと導く牽引役として期待されています。
The next generation power semiconductors are expected to open up a new field of opportunities for electronic equipments.高精度・高密度化された次世代パワーエレクトロニクス回路を対象として，計測技術，解析技術，信頼性の評価技術の標準化と共有化を確立することを目指します。
Targeting high precision, high density next-generation power electronic circuits, we aim for the standardization of measurement technology, analysis technology, and technology for evaluating reliability and sharing among members.本プロセス導入により、次世代パワーデバイス素材として期待される炭化ケイ素(SiC)ウェーハ生産の高速化、取り枚数増を実現し、生産性を劇的に向上させることが可能になります。
Implementing this process achieves the high-speed production of silicon carbide(SiC) wafers,which are anticipated as the next-generation power device material, increases the number of wafers produced from a single ingot, and dramatically improves productivity.サンケン電気は創業から60年以上の歴史を持つ半導体メーカーとして、次世代パワー半導体についても2000年以前から開発を進めてまいりました。
As a semiconductor manufacturer with more than 60 years 次世代パワー半導体を用いたパワーコンディショナは太陽電池で得られた電力を低損失で利用するために重要な技術であり、今後普及することが期待される。
そして昨今では、「次世代パワー半導体」と呼ばれる、GaN(ガリウムナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)を使った半導体に大きな注目が集まっています。
In recent years, GaN(gallium nitride) and SiC(silicon Carbide)based semiconductors called the"Next Generation Power Semiconductors"have been receiving much attention.フラウンホーファーが2008年より連携する三重県・高度部材イノベーションセンター（AMIC）にて、フラウンホーファーIKTS（セラミック技術・システム研究所、在：独ドレスデン）で開発が行われている次世代パワーエレクトロニクスのためのセラミックス技術をご紹介します。
Fraunhofer Institute for Ceramic Technologies and Systems IKTS, located in Dresden/Germany will introduce the latestR&D results about thier ceramic technologies for next-generation power electronics at AMIC.SiCに関しては、2009年からNEDOの次世代パワーエレクトロニクス技術開発プロジェクトに参加しつつ、SiC素子開発を平行して行い、電源応用の発表を行って参りました。
Regarding SiCs, Sanken has been involved in NEDO's next generation power electronics technical development project from 2009, while working in parallel with development of SiCs, and the introduction of 近年、ハイブリッド車のインバータモジュール、太陽光発電システムの電力変換器などに使われる次世代パワーデバイスの材料として、Siに代わりSiCが注目されています。
As a replacement of silicon, SiC(silicon carbide)is attracting attention these days as a material for the next-generation power devices to be used in an inverter module for hybrid automobiles or a converter for a solar ONYX12ソフトウェアはただ高速なだけでなく、同様に優れた反応性を提供する、最大限の処理機能を生かす全64-bitプラットフォーム、次世代パワーを利用しています。
ONYX 12 software utilizes the power of a next-generation, all 64-bit platform to harness full processing capabilities, delivering not just faster speeds but greater responsiveness as well.この研究の新規性・独創性(1)次世代パワーデバイス材料SiCの高品質結晶成長溶液法に特有の高品質メカニズムを解明し、結晶中の各種欠陥密度を市販基板の1/10~1/100まで低減できることを実証している。
Novelty and originality of this research(1)High quality crystal growth of SiC for next-generation power deviceWe revealed the mechanism of high-quality SiC growth by the solution method and demonstrated the reduction of the number of the defect in crystal.SiCパワー半導体は、現在主流のSi(シリコン)製に比べ耐高温・耐電圧・大電流特性に優れた半導体で、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と省エネルギー化に貢献することから、次世代パワー半導体として注目されています。
When compared with the currently mainstream silicon-based semiconductors, SiC-based この素材を活かす周辺技術開発が現在進められており、従来のSi(シリコン)半導体から、GaNやSiCを使った次世代パワー半導体へ置き換えることで、さらに大幅な機器の小型化・高効率化が実現できます。
To fully utilize this material, development in the area of peripheral technology is currently underway. A more compact and highly efficient equipment can be created, by replacing conventional Si(Silicon)semiconductors with a GaN or SiC based new generation power semiconductor.SiC次世代パワーエレクトロニクスの統合的研究開発(SIP)。
プリントサービスプロバイダがお客様に検証およびて証明できる、新しいカラー体験、次世代パワー、優れた出力。
A new color experience, next level power and superior output print service providers can validate and show to their customers.コンセプトは、どこからでもスケッチ、デザイン、イラストが制作できる次世代のパワーツールです。
Concepts is a next-generation power tool for sketching, design and illustrating from anywhere.ANSYS®RedHawk-SCTM:サブ7nm設計用の次世代SoCパワーインテグリティおよび信頼性のサインオフプラットフォーム。
ANSYS® RedHawk-SCTM: The next-generation SoC power integrity and reliability signoff platform designed to enable sub-7nm design success.
