Examples of using Partial pressure in English and their translations into Korean
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Colloquial
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Ecclesiastic
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Ecclesiastic
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Programming
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Computer
The partial pressure.
가스분압 * 가스분압partial pressure.Dalton's Law of Partial Pressure.
Dalton의 부분 압력 법칙.I partial pressure is small, L is too large pressure. .
L 부분 압력은 작은, L은 너무 큰 압력.The law of partial pressures.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.The partial pressure of SiCl4 in the silicon oxide coating deposition chamber was 0.8 Torr.
실리콘 산화물 코팅 증착 챔버에서 SiCl 4 의 부분 압력은 0.8 Torr이다.Share law of partial pressures.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.The total pressure of a mixed gas equals the sum of the partial pressures.
일화Ⅰ gas mixture 의 total Laws of Partial Pressure.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.INFICON has leveraged its expertise in gas analysis process control equipment to create an RGA withindustry-leading data collection speed, minimum detectable partial pressure and signal-to-noise ratio.
INFICON은 가스 분석 공정 제어 장비 분야의 전문성을 활용하여 업계 최고 수준의 데이터 수집 속도,최소 검출 가능한 분압 및 신호대잡음비로 RGA를 생성합니다.Law of partial pressures.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.Medical Definition of law of partial pressures.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.Example: For brass, the partial pressure of the zinc is limited to a maximum permissible temperature in a high vacuum at about 100°C.
예: 황동의 경우 아연의 분압은 약 100°C.의 고진공 상태에서 최대 허용 가능 온도로 제한됩니다.Words related to law of partial pressures.
부분 압력의 법칙 Law of Partial Pressure.Lower water vapour partial pressure during processing for higher film quality, better adhesion and more reproducible deposition.
더 높은 품질, 더 나은 접착력, 더 많은 재생산 가능 침전물을 처리하는 동시에 더 낮은 수증기 부분 압력 유지.SiCl4 was charged to the processchamber from a SiCl4 vapor reservoir, creating a partial pressure of 4 Torr in the coating process chamber.
SiCl 4 는 SiCl 4 증기저장소로부터 처리 챔버로 충전되고, 코팅 처리 챔버에서 4 Torr의 부분 압력을 생성한다.Typically the partial pressure of the water vapor ranges from about 2 Torr to about 8 Torr, and more typically from about 4 Torr to about 6 Torr.
통상적으로 수증기의 부분 압력은 약 2 Torr 내지 약 8 Torr 범위에 있고, 보다 전형적으로 약 4 Torr 내지 약 6 Torr 범위에 있다.As indicated by Table III, below, the oxygen partial pressure was increased for each wafer within a given Set.
아래의 표 3 에의해 지시되는 바대로, 소정의 세트 내에서 각각의 웨이퍼에 대한 산소분압(oxygen partial pressure)은 증가되었다.Features: anti-corrosion or oxidation, firm welding spot, strong tensile force, bright surface, smooth&unknotted surface,solid construction, strong integrity even in partial cut or partial pressure burdening.
특징: 반대로 부식 또는 산화의 확고한 용접 반점, 강한 인장력, 밝은 표면은, 부분적인 커트에서 조차 &unknotted 표면,단단한 건축, 강한 완전성 또는 부분 압력 짐을 지우를 반반하게 합니다.Hyperbaric medicine uses hyperbaric oxygen chambers to increase the partial pressure of oxygen around the patient and, when needed, the medical staff.
Hyperbaric 약은 환자 주위의 산소 분압을 증가시키기 위해 특별한 산소 챔버를 사용하고, 필요할 경우 의료진에게도 사용합니다.Typically, for example, the partial pressure of oxygen in the vapor above slurry 5050 is larger than the ambient pressure of oxygen, and ranges from 0.5 bar to 35 bar, depending upon the nature of the feedstock.
전형적으로, 예를 들어, 슬러리(5050) 위쪽의 증기에서의 산소 분압은 산소의 분위기 압력보다 크고, 공급원료의 성질에 따라, 0.5 바 내지 35 바의 범위이다.Leaving the atmosphere,the water comes in contact with the soil air, where the partial pressure of vegetation(root-respiration) generated carbon dioxide is much higher.
물은 대기 권에 남아 있는 동안,토양에 있는 공기와 접촉합니다. 그리고 이산화 탄소를 생성하는 식물의 부분 압력 (뿌리 호흡)이 훨씬 높습니다.DDMS was then applied at a partial pressure of 1 Torr, followed within 10 seconds by H2O applied at a partial pressure of 2 Torr, to produce a total pressure within the process chamber of 3 Torr.
그 다음, DDMS는 1 Torr의 부분 압력에서 제공된 다음, 10초이내에 2 Torr의 부분 압력에서 H 2 O가 제공되어, 3 Torr의 처리 챔버내의 전체 압력을 형성한다.If this air is compressed and the total pressure is doubled to 2026.6 mbar, then according to Dalton's law, the partial pressure of water vapor, e, is also doubled to the value of 5.6 mbar.
이 공기가 압축되고 총 압력이 2026.6mbar로 두 배가 되면 Dalton의 법칙에 따라 수증기 분압 e는 5.6mbar의 값으로 두 배가 된다.Temperature and humidity(i.e., the water vapor partial pressure prevalent during reduction) are the two main parameters in steering the average grain size of the W powder, the latter being related to a number of oxide and process-related variables as indicated in Fig.
온도 및 습도 (즉, 환원 동안 널리 퍼진 수증기 분압)는 W 분말의 평균 입자 크기를 조종 할 때 두 가지 주요 파라미터이며, 후자는도 1에 나타낸 바와 같은 다수의 산화물 및 공정 관련 변수와 관련된다.Poxygen=(Pmeasured-Pwater vapor)×(%O2 in air stream)mm Hg!=partial pressure of oxygen in the air stream.
P 산소 = (P 측정치 - P 수증기 )=(공기 스트림 중 O 2 ％) [㎜Hg] = 공기 스트림 중 산소의 분압 P oxygen = (P measured - P water vapor) = (air stream of O 2%)[㎜Hg] = partial pressure of oxygen in the air stream.For example, for the glass substrate discussed in Table III, 1 volume(300 cc at 100 Torr)of SiCl4 to a partial pressure of 4 Torr was injected, then, within 10 seconds 10 volumes(300 cc at 17 Torr each) of water vapor were injected to produce a partial pressure of 10 Torr in the process chamber, so that the volumetric pressure ratio of water vapor to silicon tetrachloride is about 2.5.
예를 들어, 표 Ⅲ에서 기술된 유리 기판에 대해,4 Torr의 부분 압력에 대한 SiCl 4 의 1 부피(100 Torr에서 300cc)가 주입된 다음, 10초 이내에 수증기의 10 부피들(각각 17 Torr에서 300cc)가 처리 챔버에서 10 Torr의 부분 압력을 형성하도록 주입되어, 실리콘 테트라클로라이드에 대한 수증기의 부피 At a constant temperature, the amount of a given gas dissolved in a given type and volume of liquid is directly proportional to the partial pressure of that gas in equilibrium with that liquid.
At a constant temperature, the amount of a given gas dissolved in a given type and volume of liquid is directly proportional to the partial pressure of that gas in equilibrium with that liquid. - 동일한 온도에서, 같은 양의 액체에 용해 될 수 있는 기체의 양은 기체의 부분압과 정비례한다.Typical solid phase transformation process is thermal decomposition method based on raw materials of APT, which by controlling the decomposition temperature and the partial pressure of ammonia and water to make most of the water-insoluble APT transferred into amorphous substance of water-soluble AMT, then dissolved in water to form ammonium metatungstate solution, and finally concentrated and crystallize to obtain the solid AMT.
일반적인 고체상 변환 공정은 열분해 법 APT의 원료를 기반으로하는 분해 온도 및 불용성 APT 수용성 AMT의 비정질로 이송 한 다음 대부분을 암모니아와 물의 분압을 제어함으로써, 메타 텅스텐 산 암모늄 용액을 형성하는 물에 용해하고, 마지막으로 농축하고, 고체를 수득 AMT 결정화.It pumps vapourwithin minutes of“start,” defrosts in less than four minutes, and lowers water vapour partial pressure during processing, for higher quality, better adhesion, and more reproducible deposition.
시작'한 지 몇 분 만에 증기를 펌핑하고 4분 이내에 해동을 할 수 있고, 더 높은 품질, 더 나은 접착력,더 많은 재생산 가능 침전물을 위해 처리 중 수증기 부분 압력을 낮춰줍니다.In the example in Table III, FOTS vapor was injected first to the charging reservoir, andthen into the coating process chamber, to provide a FOTS partial pressure of 200 mTorr in the process chamber, then, within 10 seconds, H2O vapor(300 cc at 12 Torr) was injected to provide a partial pressure of about 800 mTorr, so that the total reaction pressure in the chamber was 1 Torr.
표 Ⅲ의 예에서, FOTS 증기가 충전 저장소에 먼저 주입된 다음,처리 챔버에서 200 mTorr의 FOTS 부분 압력을 제공하기 위해 코팅 처리 챔버로 유입되고, 그 다음, 10초 이내에서 H 2 O 증기(12 Torr에서 300cc)가 약 800 mTorr의 부분 압력을 제공하도록 주입되어, 챔버의 전체 반응 압력은 1 Torr가 된다.
